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[发明专利]基于金刚石的氮面极性氮化镓器件及其制造方法-CN201810665083.4在审
发明人：倪贤锋;范谦;何伟 -专利权人：苏州汉骅半导体有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本申请提提供一种基于金刚石的氮面极性氮化镓器件制造方法，包括：在衬底上依次生长GaN层、介质层和金刚石层以形成晶体结构；倒置所述晶体结构并去除所述衬底；在所述GaN层上依次生长势垒层和沟道层。本申请所提供的基于金刚石的氮面极性氮化镓器件及其制造方法，无需采用载体晶圆，不仅降低了制造工艺的难度，而且提高了器件的性能，有利于基于金刚石的氮面极性氮化镓器件的产业化。
氮化镓器件金刚石氮面极性晶体结构衬底制造金刚石层制造工艺倒置产业化沟道层介质层生长势晶圆垒层去除申请生长

[发明专利]一种带有均匀表面压应力的半导体切片切割钢丝及其制备方法-CN202011610353.5在审
发明人：李晓军;张释伟;盛荣生;曹伟君;林理波 -专利权人：镇江耐丝新型材料有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： B21F1/02 文献下载
摘要：本发明制备的切割钢丝，使钢丝表面由表面拉应力转变为具备均匀的表面压应力；表面压应力是相比表面拉应力更加有利的表面应力状态，可以减少钢丝在晶圆切片过程中的磨损，从而提升晶圆切片的质量；对于12寸以上硅晶圆类的大尺寸晶圆及超硬的以碳化硅晶圆和氮化镓为代表的第三代半导体晶圆切割应用
一种带有均匀表面应力半导体切片切割钢丝及其制备方法

[发明专利]一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法-CN201810079400.4在审
发明人：孔欣 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2018-07-13 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明涉及一种应用于氮化镓晶体管的器件隔离方法，包括以下步骤：a、清洗晶圆，旋涂正性光刻胶并进行前烘；b、对晶圆进行曝光、显影、后烘，得到隔离掩膜，使得晶体管区域保留光刻胶遮挡，且需要隔离的区域暴露出晶圆表面；c、采用等离子体对晶圆外延层进行刻蚀，形成一定深度的台面；d、采用等离子体处理晶圆表面，使隔离区域掺入负电荷补偿中心；e、去除光刻胶，完成器件隔离工艺。
台面晶圆等离子体氮化镓晶体管晶圆表面器件隔离光刻胶等离子体处理器件隔离工艺隔离晶体管区域正性光刻胶隔离工艺隔离技术隔离区域隔离效果工艺步骤区域暴露提升器件注入隔离负电荷外延层掺入后烘刻蚀去除显影旋涂掩膜遮挡应用清洗曝光引入保留

[发明专利]减小氮化镓高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率的方法-CN201610659008.8在审
发明人：孔欣 -专利权人：成都海威华芯科技有限公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供了一种减小氮化镓高电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率的方法，其包括：在晶圆表面旋涂光刻胶形成光刻胶层；采用光刻工艺在光刻胶层上刻蚀出源极区域和漏极区域，其中，源极区域和漏极区域露出晶圆表面；向源极区域和漏极区域中的晶圆表面溅射氩离子，以使氩离子轰击晶圆表面；向源极区域和漏极区域中的晶圆表面溅射金属形成源极金属电极和漏极金属电极；剥离光刻胶层，并采用高温快速热退火工艺使源极金属电极和漏极金属电极形成欧姆接触。
减小氮化电子迁移率晶体管欧姆接触电阻率方法

[发明专利]一种半导体专用合金材料及其制备方法-CN202310348769.1在审
发明人：秦超 -专利权人：烟台固邦新材料有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：该半导体专用合金材料及其制备方法，碳化硅、氮化镓、Ag‑Pd合金层，粒径5nm‑100nm，颗粒表面能与总能量之比0.6%‑14%，晶界比例40%‑50%，纳米晶断裂强度可达4800MPa，S1.将硅、氮化镓制成的单晶柱体切割形成的圆薄片，得晶圆，S2.将沙子加热，分离其中的一氧化碳和硅，并不断重复该过程直至获得超高纯度的电子级硅，加热温度在1500℃‑2000℃，S3.通过金刚石锯切掉铸锭的两端，再将其切割成厚度为通过碳化硅、氮化镓作为基底，便于打磨时更加光滑，便于在原子扩散时更加均匀，Ag、Pd金属化合物的电阻率要比各组元的电阻率高，两组元的电离势相差较大，则化合物的电阻大。
一种半导体专用合金材料及其制备方法

[发明专利]变形异质接面双极性晶体管-CN00124312.8无效
发明人：赵鹏盛;吴展兴;林燕津 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2000-09-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种变形异质接面双极性晶体管,特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形异质接面双极性晶体管。本发明材料结构包括有一半绝缘的伸化镓基板;一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层;一高掺杂的n－型砷化铟镓层;一低掺杂的n－型砷化铟镓或磷化铟或砷化铟铝层;一高掺杂的p－型砷化铟镓层;一n－型砷化铟铝或渐变的砷化铝铟镓或磷化铟层;以及一高掺杂的n－型砷化铟镓层。
变形异质接面双极性晶体管

[发明专利]高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法-CN201611140041.6在审
发明人：金荣善 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高迁移率氮化镓半导体器件及其制备方法，该高迁移率氮化镓半导体器件包括基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的非有意掺杂氮化镓层；设置于所述非有意掺杂氮化镓层上的通道层，所述通道层为氮化铟镓层、氮化铝镓层或复合层；设置于所述通道层上的第二氮化铝镓层；以及设置于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓帽层。上述氮化镓半导体器件能改善氮化镓功率器件的电子迁移率特性，可以改善使用un‑GaN/InGaN/AlGaN layer的2DEG的效果。
迁移率氮化半导体器件及其制备方法

[实用新型]高迁移率氮化镓半导体器件-CN201621363837.3有效
发明人：金荣善 -专利权人：英诺赛科（珠海）科技有限公司
申请日： 2016-12-12 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种高迁移率氮化镓半导体器件，该高迁移率氮化镓半导体器件包括基板；设置于所述基板上的氮化铝晶种层；设置于所述氮化铝晶种层上的缓冲层；设置于所述缓冲层上的非有意掺杂氮化镓层；设置于所述非有意掺杂氮化镓层上的通道层，所述通道层为氮化铟镓层、氮化铝镓层或复合层；设置于所述通道层上的第二氮化铝镓层；以及设置于所述第二氮化铝镓层上的氮化镓帽层。上述氮化镓半导体器件能改善氮化镓功率器件的电子迁移率特性，可以改善使用un‑GaN/InGaN/AlGaN layer的2DEG的效果。
迁移率氮化半导体器件

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202210240323.2在审
发明人：王颖慧;罗晓菊;赖云 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法，该半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的表面形成图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有若干个开口；于开口内及图形化掩膜层表面形成氮化镓晶种层，氮化镓晶种层包括晶粒区域及过生长区域，晶粒区域内的位错密度大于过生长区域内的位错密度；刻蚀氮化镓晶种层，以将位于晶粒区域的氮化镓晶种层去除；形成厚膜氮化镓层，厚膜氮化镓层填满开口并覆盖保留的氮化镓晶种层。本发明提供的半导体结构的制备方法，在去除部分或全部晶粒区域的氮化镓晶种层之后，再进行横向外延生长以形成厚膜氮化镓层，这样能够提高厚膜氮化镓层的晶体质量，同时，还有助于厚膜氮化镓层剥离。
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310286156.X在审
发明人：沈涛 -专利权人：天津万汇亿创科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：该方法包括：利用高温热氧化工艺对当前N+型氧化镓晶锭进行氧化处理，得到形成在当前N+型氧化镓晶锭上表面的N‑型氧化镓漂移层；在N‑型氧化镓漂移层的上表面制备阳极电极；对当前N+型氧化镓晶锭进行裁切，得到预设厚度的N+型氧化镓衬底和第一N+型氧化镓晶锭；在N+型氧化镓衬底的下表面制备阴极电极；将第一N+型氧化镓晶锭作为当前N+型氧化镓晶锭，跳转到“利用高温热氧化工艺对当前N+型氧化镓晶锭进行氧化处理”，直至当前N+型氧化镓晶锭的厚度小于预设厚度，得到多个肖特基二极管。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]优化室温沉积铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性的方法-CN202211211974.5有效
发明人：王春兰;刘晓红;宋勇乐;赵明;段楠 -专利权人：西安工程大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了优化室温沉积铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性的方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，室温下，在磁控溅射系统通过射频溅射方法，使铟镓锌氧靶材，在衬底上沉积一层非晶铟镓锌氧有源层薄膜；步骤2，在步骤1得到非晶铟镓锌氧有源层薄膜后，室温下继续向磁控溅射系统通入氮气，对非晶铟镓锌氧有源层薄膜及进行处理；步骤3，室温下，通过直流溅射方法，采用铜靶材在步骤2处理后的非晶铟镓锌氧有源层薄膜上沉积金属铜的源电极和漏电极本发明方法解决现有铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性差且需要高温制备的问题。
优化室温沉积铟镓锌氧薄膜晶体管阈值电压稳定性方法

[发明专利]一种化合物半导体晶圆裂片机-CN202011132956.9在审
发明人：温子勋;张一暾;张文杰 -专利权人：河北圣昊光电科技有限公司
申请日： 2020-10-21 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开的一种化合物半导体晶圆裂片机，包括基台，所述基台的上端外表面设置有运动控制机构与工作机架，所述工作机架位于运动控制机构的一侧，所述工作机架的前端外表面设置有刀头机构，所述工作机架的一侧外表面设置有上部视觉识别机构本发明所述的一种化合物半导体晶圆裂片机，解决了化合物半导体材料(特别是砷化镓)的WAFER裂片问题，可以裂2寸以内的所有wafer，可以把砷化镓的WAFER划线后裂开变成CHIP，整个化合物半导体晶圆裂片机结构简单
一种化合物半导体裂片

[发明专利]一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法-CN201310713492.4无效
发明人：梁萌;杨华;刘志强;郭恩卿;伊晓燕;王军喜;王国宏;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种氮化镓基外延膜的选区激光剥离方法，包括下列步骤：在第一基板上生长氮化镓外延膜，所述氮化镓基外延膜包含但不限于n型氮化物、有源层、p型氮化物；然后通过制作隔离槽，把氮化镓基外延膜分离成氮化镓基单元器件；以金属层作为金属中间层，并通过金属中间层将待剥离的单元器件与第二基板相结合；不需剥离的区域悬空于第二基板上，或在不需剥离区域与第二基板之间的间隙和隔离槽中填充保护材料；通过激光剥离方法将所有待剥离的单元器件从第一基板上剥离，转移到第二基板上形成氮化镓基单元器件的阵列。本发明实现了氮化镓基外延膜的选区剥离，把部分芯片转移到第二衬底上，随后可用于器件的晶圆级封装，提高了装配的灵活性和封装效率，降低了成本。
一种氮化外延选区激光剥离方法

[发明专利]一种氮化镓纳米线阵列及其加工方法-CN202211378465.1有效
发明人：陈云;余鹏飞;侯茂祥;李梓健;陈新 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓纳米线阵列及其加工方法，包括以下步骤：A、在清洗后的氮化镓晶圆的上表面自组装单层聚苯乙烯纳米微球；B、在单层聚苯乙烯纳米微球的上表面溅射贵金属掩膜；C、去除聚苯乙烯纳米微球；D、金属辅助光化学刻蚀后清洗得到氮化镓纳米孔阵列；E、去除贵金属掩膜；F、无电极光电化学刻蚀后清洗得到氮化镓纳米线阵列。本技术方案提出的一种氮化镓纳米线阵列及其加工方法，通过无电极光电化学刻蚀在氮化镓纳米孔阵列的基础上得到氮化镓纳米线阵列，解决了现有氮化镓纳米线阵列的加工成本高、操作复杂的技术问题。
一种氮化纳米阵列及其加工方法

[发明专利]镓面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其栅极保护元件-CN202010953995.9在审
发明人：黄知澍 -专利权人：黄知澍
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2021-03-12 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明是关于一种镓面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其栅极保护元件。在此镓面的氮化铝镓/氮化镓磊晶结构包含有一硅基底；一位于硅基底上的具碳掺杂的缓冲层；一位于缓冲层上的具碳掺杂的本质氮化镓层；一位于具碳掺杂的本质氮化镓层上的本质氮化铝镓缓冲层；一位于本质氮化铝镓缓冲层上的本质氮化镓通道层；以及一位于本质氮化镓通道层上的本质氮化铝镓层。在元件设计上，藉由将空乏型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管连接至P型氮化镓栅极加强型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管的栅极，藉此可以保护P型氮化镓栅极加强型氮化铝镓/氮化镓高速电子迁移率晶体管的栅极在任何栅极电压下操作都能够受到保护
iii 氮化物结构及其主动元件与其栅极保护