专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]锂电池芯的除气方法-CN201710508691.X有效
  • 程敬义;胡志宗;江文章;刘乃源 - 有量科技股份有限公司
  • 2017-06-28 - 2021-06-11 - H01M50/30
  • 本发明提供一锂电池芯的除气方法,其包含步骤:提供一锂电池芯,锂电池芯包含有一密封袋,密封袋的外侧设有一除气管且除气管的一端连通密封袋内部空间,密封袋内填充有一电解液且密封袋内容纳有一余气。对密封袋的外侧提供负压使密封袋膨胀且使密封袋内压力降低而令部分的电解液汽化,余气自液态的电解液中浮出分离而且与气态的电解液混合为一混合气体。通过除气管抽出混合气体而使得气态的电解液在除气管中升压液化,同时余气通过除气管排出。
  • 锂电池方法
  • [发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法-CN202010790369.2在审
  • 江文章 - 黄知澍
  • 2017-06-14 - 2020-12-01 - H01L21/329
  • 本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底;一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层;一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层;一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层;以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层。在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态,以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。
  • 解理iii氮化物结构及其主动元件与其制作方法
  • [发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法-CN202010790377.7在审
  • 江文章 - 黄知澍
  • 2017-06-14 - 2020-12-01 - H01L21/335
  • 本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底;一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层;一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层;一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层;以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层。在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态,以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。
  • 解理iii氮化物结构及其主动元件与其制作方法
  • [发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法-CN202010790472.7在审
  • 江文章 - 黄知澍
  • 2017-06-14 - 2020-12-01 - H01L21/335
  • 本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底;一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层;一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层;一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层;以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层。在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态,以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。
  • 解理iii氮化物结构及其主动元件与其制作方法
  • [发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法-CN202010791376.4在审
  • 江文章 - 黄知澍
  • 2017-06-14 - 2020-12-01 - H01L29/06
  • 本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底;一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层;一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层;一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层;以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层。在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态,以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。
  • 解理iii氮化物结构及其主动元件与其制作方法
  • [发明专利]镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法-CN201710447012.2有效
  • 江文章 - 黄知澍
  • 2017-06-14 - 2020-11-03 - H01L29/06
  • 本发明是关于一种镓解理面III族/氮化物磊晶结构及其主动元件与其制作方法。在此镓解理面的氮化镓铝/氮化镓磊晶结构包含有一基底;一位于基底上的氮化镓碳掺杂高阻值层;一位于氮化镓碳掺杂高阻值层上的氮化镓铝缓冲层;一位于氮化镓铝缓冲层上的氮化镓通道层;以及一位于氮化镓通道层上的氮化镓铝层。在元件设计上藉由P型氮化镓倒置梯型栅极或阳极结构使镓解理面III族/氮化物磊晶结构内的二维电子气在P型氮化镓倒置梯型结构下方处能呈现耗尽状态,以制作出P型氮化镓栅极加强型氮化镓铝/氮化镓高速电子迁移率晶体管、P型氮化镓阳极氮化镓铝/氮化镓肖特基势垒二极管或混合型元件。
  • 解理iii氮化物结构及其主动元件与其制作方法
  • [发明专利]LED灯丝-CN201510316656.9有效
  • 江涛;徐宏;江文章 - 嘉兴山蒲照明电器有限公司
  • 2015-06-10 - 2020-10-02 - H01L25/065
  • 本发明提供了一种LED灯丝,所述LED灯丝包括:透明支架;金属电极,分别设于所述透明支架的相对两端;所述金属电极的中间具有孔洞,所述透明支架穿越所述孔洞;至少一个LED芯片,设于所述透明支架内,所述LED芯片以金线打线的方式或覆晶结构的方式形成电气连接;硅胶,包裹所述LED芯片;所述LED芯片为交流型发光二极管或高压型发光二极管。本发明具有较好的散热效果与发光效率。
  • led灯丝
  • [发明专利]具支撑结构的LED直管灯-CN201510749645.X在审
  • 徐宏;杨昌;姚文涛;陈绍良;江文章 - 嘉兴山蒲照明电器有限公司
  • 2015-11-06 - 2017-11-10 - F21K9/27
  • 本发明提出一种具支撑结构的LED直管灯,其特征在于包含灯管和位于所述灯管内部的LED光源组件,所述LED光源组件包含LED光源和灯板,所述灯管在其端部设置灯头,所述灯管包括透光部和加强部,所述透光部和加强部之间具有灯管分界面,所述加强部包括平面加强部和支撑结构,所述LED光源组件设置在平面加强部的表面上,所述支撑结构由平面加强部远离LED光源组件的另一表面往下延伸,所述支撑结构包括至少一垂直支撑肋和至少一水平支撑肋,所述LED光源组件设置在平面加强部的表面上涂覆反射材料。
  • 支撑结构led直管灯

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