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[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010762688.2有效
发明人：王桂磊;黎奔;亨利·H·阿达姆松;杜勇;徐步青 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供锗衬底，在锗衬底上形成砷化镓层，在砷化镓层上形成铟镓磷层。这样砷化镓层能够可以作为锗衬底和铟镓磷层之间的缓冲层，改善锗衬底和铟镓磷层之间的晶格失配，减少铟镓磷层中的反向畴，减少铟镓磷层中的缺陷，提高基于铟镓磷层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]一种高磁导率磁胶水的制备方法-CN202211662377.4在审
发明人：蔡旌章;贺军;刘维坚;王其艮;万芳中 -专利权人：深圳市岑科实业有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01F1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种高磁导率磁胶水的制备方法，涉及磁导胶水技术领域，包括以下步骤：S1将铁硅铬镓铟氮合金磁粉原料铁、铬、硅依次按顺序添入中频感应炉中，采取抽真空、注氮气的保护熔炼得到合金液。本发明通过将铁、铬、硅按顺序先后加入中频感应炉，密封炉体，中频感应炉的坩埚加热，再对炉体内抽真空至1‑100Pa，充入氮气至100‑102KPa，当感应炉内原料完全熔化，并在温度达到1640‑1660度时，加入镓、铟，镇静除渣后，得到合金液，由于镓、铟、氮化镓、氮化铟对合金的改性，明显改善了高频大功率使用条件下的损耗特性由于采用了真空熔炼氮气雾化，避免了水气联合雾化过程中的氧化、金属和水的反应，明显降低了合金的夹杂物含量
一种磁导率胶水制备方法

[发明专利]一种p型GaN与AlGaN半导体材料的制备方法-CN201210396995.9有效
发明人：江灏;陈英达 -专利权人：中山大学
申请日： 2012-10-18 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开一种p型GaN与AlGaN半导体材料的制备方法，包括衬底及由下往上生长在衬底上的缓冲层或过渡层、非故意掺杂层以及受主掺杂层；在该结构的生长过程中，使用氨气或二甲肼氮作为五族氮源；使用三甲基镓或三乙基镓作为三族镓源，使用三甲基铝或三乙基铝作为三族铝源，使用三甲基铟或三乙基铟作为三族铟源，统称为三族金属源；三甲基铟或三乙基铟也作为表面活性剂，在受主掺杂层中使用。本发明使用三甲基铟或三乙基铟作为表面活性剂辅助生长，同时采用delta掺杂法来制备受主掺杂层。
一种 gan algan 半导体材料制备方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法-CN201280022684.4有效
发明人：宇田川隆 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2012-05-16 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：一种Ⅲ族氮化物半导体发光元件，是pn结型异质结构的Ⅲ族氮化物半导体发光元件，其特征在于，具备：n型氮化铝镓铟层；发光层，其包含与n型氮化铝镓铟层接触地配置并且含有晶格常数比n型氮化铝镓铟层大的晶体的氮化镓铟层；和设置在发光层上的p型氮化铝镓铟层，包含原子半径比n型氮化铝镓铟层内的铟小的元素的施主杂质的原子浓度，与n型氮化铝镓铟层的内部相比在n型氮化铝镓铟层和发光层的界面较低，并且，发光层内的施主杂质的原子浓度，与发光层和n型氮化铝镓铟层的界面相比在发光层和p型氮化铝镓铟层的界面较高。
氮化物半导体发光元件及其制造方法

[实用新型]一种镓铟锡体温计-CN202222968284.6有效
发明人：徐学海 -专利权人：江苏辰宇医疗器械有限公司
申请日： 2022-11-08 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种镓铟锡体温计，包括镓铟锡体温计主体，所述镓铟锡体温计主体的外圈上方设置有用于提高镓铟锡体温计主体固定便捷性的可调节固定带装置，所述镓铟锡体温计主体的上端外表面设置有受力橡胶板，所述镓铟锡体温计主体的外部设置有用于提高对镓铟锡体温计主体保护性的可收紧防护套装置本实用新型所述的一种镓铟锡体温计通过设置有可收紧防护套装置，当挤压橡胶块与镓铟锡体温计主体上端的受力橡胶板接触后，继续转动螺纹盖后，挤压橡胶块通过伸缩弹簧可以将镓铟锡体温计主体固定在套体内，避免镓铟锡体温计主体在套体内晃动后破碎，进一步提高对镓铟锡体温计主体的保护性，便于收纳和携带。
一种镓铟锡体温计

[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法-CN201810746992.0有效
发明人：洪威威;王倩;韦春余;陆香花;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-07-09 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型层、有源层、低温P型层、电子阻挡层和高温P型层，所述缓冲层、所述N型层、所述有源层、所述低温P型层、所述电子阻挡层和所述高温P型层依次层叠在所述衬底上，所述高温P型层的材料采用P型掺杂的氮化镓，所述低温P型层的材料采用P型掺杂的氮化铟镓，所述电子阻挡层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层的材料采用铝铟镓氮，所述第二子层的材料采用氮化铝镓，所述第三子层的材料采用氮化铝，所述第四子层的材料采用氮化铟镓。
一种氮化发光二极管外延及其生长方法

[发明专利]变形异质接面双极性晶体管-CN00124312.8无效
发明人：赵鹏盛;吴展兴;林燕津 -专利权人：稳懋半导体股份有限公司
申请日： 2000-09-04 - 公布日： 2001-05-23 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种变形异质接面双极性晶体管,特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形异质接面双极性晶体管。本发明材料结构包括有一半绝缘的伸化镓基板;一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层;一高掺杂的n－型砷化铟镓层;一低掺杂的n－型砷化铟镓或磷化铟或砷化铟铝层;一高掺杂的p－型砷化铟镓层;一n－型砷化铟铝或渐变的砷化铝铟镓或磷化铟层;以及一高掺杂的n－型砷化铟镓层。
变形异质接面双极性晶体管

[发明专利]一种铜铟镓合金粉末的制备方法-CN201810622247.5在审
发明人：张蛟;万捷;徐国军;雷贵先;黄喜南;王云能;吴福忠;翁辉;林毅捷;蔡爱玲 -专利权人：米亚索乐装备集成(福建)有限公司
申请日： 2018-06-15 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： B22F9/08 文献下载
摘要：本发明涉及铜铟镓合金粉末的制备方法，其包括将铜、铟、镓及回收的粒度不在设定范围内的铜铟镓合金粉末在熔炼坩埚中熔炼成合金溶液；将合金溶液雾化、冷却、筛分得到粒度在设定范围内的铜铟镓合金粉末；回收粒度不在设定范围内的铜铟镓合金粉末；其中，在熔炼步骤中，将铟和镓置于熔炼坩埚的底部，将铜颗粒与回收的粒度不在设定范围内的铜铟镓粉末混合后置于熔炼坩埚中铟和镓的上方。通过该制备方法，降低了熔炼温度，从而避免铜铟镓合金粉末中成分的偏移并缩短合金粉末制备周期，提高铜铟镓合金粉末的组成稳定性以及生产效率。
铜铟镓合金粉末熔炼坩埚熔炼合金溶液回收制备合金粉末制备粉末混合生产效率铜颗粒偏移雾化冷却

[发明专利]铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201310687514.4有效
发明人：熊治雨;肖旭东;杨春雷 -专利权人：深圳先进技术研究院;香港中文大学
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2014-04-09 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法。该铜铟镓硒薄膜的制备方法包括步骤一为：在硒气氛中，共蒸镓和铟，使硒、镓和铟沉积于衬底上；步骤二为：提高衬底温度，在硒气氛中，蒸发铜，使硒和铜沉积于衬底上；步骤三为：保持衬底温度，在硒气氛中，共蒸镓和铟，形成铜铟镓硒薄膜。通过提高热镓和铟的蒸发温度加速薄膜沉积，设置步骤一和步骤三的蒸发量之间的配比关系，使铟更多地进入薄膜内部并增加薄膜表面的镓含量，显著地改善各元素的梯度分布，减少铜铟镓硒薄膜表面缺陷，提高铜铟镓硒薄膜的质量并降低能源消耗
铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]铜铟镓合金的制备方法-CN201210154753.9有效
发明人：胡智向;卢金生;文崇斌;朱刘 -专利权人：广东先导稀材股份有限公司
申请日： 2012-05-17 - 公布日： 2013-12-04 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铜铟镓合金的制备方法，包括步骤：将单质铜、单质铟、和单质镓按配比装入反应容器内，其中以摩尔计，单质铜、单质铟、单质镓之间的配比为1:(0.7~0.6):(0.3~0.4)；将反应容器抽真空；将抽真空后的反应容器密封；将密封后的反应容器放入加热炉内进行加热至铜铟镓三元合金固溶相温度以上，使得反应容器内的单质铜、单质铟、以及单质镓进行合成反应，以获得熔融的铜铟镓合金液；合成反应结束后直接从加热炉内取出反应容器并使反应容器急冷，以使反应容器内的熔融的铜铟镓合金液急冷成型为铜铟镓合金块；以及将反应容器破开，取出铜铟镓合金块。本发明在制备工艺以及所制备的铜铟镓合金性能方面均得以改善。
铜铟镓合金制备方法

[发明专利]氮化镓系发光二极管-CN201010157611.9有效
发明人：马平;李京波;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：一种氮化镓系发光二极管，包括：一衬底；一氮化镓成核层，该氮化镓成核层制作在衬底上；一缓冲层制作在成核层上；一n型接触层制作在缓冲层上，该n型接触层由n型氮化镓构成；一活性发光层制作在n型接触层上并覆盖所述n型接触层的部分表面，所述活性发光层是由铟镓氮薄层和氮化镓薄层交互层叠形成的多周期的量子阱结构构成；一负电极制作在n型接触层未被所述活性发光层覆盖的表面上；一p型铝镓氮插入层制作在活性发光层上；一p型电子阻挡层制作在p型铝镓氮插入层上，该p型电子阻挡层由铝镓氮构成；一p型接触层制作在p型电子阻挡层上，该p型接触层由p型氮化镓构成；一正电极制作在p型接触层上，完成氮化镓系发光二极管的制作。
氮化发光二极管

[实用新型]一种铜铟镓硒太阳能电池-CN201220321401.3有效
发明人：彭寿;马给民;保罗·比帝;向光;王芸 -专利权人：广东凯盛光伏技术研究院有限公司;东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光电科技有限公司
申请日： 2012-07-04 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L31/0749 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜铟镓硒太阳能电池，它包括钠钙玻璃基板和铜铟镓硒薄膜层，铜铟镓硒薄膜层电镀在钠钙玻璃基板上，本实用新型铜铟镓硒太阳能电池采用“铜铟镓硒”四元素合成固态靶材，在退火炉内具有富裕的“硒”气体气氛，扼制“铜铟镓硒”薄膜中“硒”的流失，保证了硒在整个“铜铟镓硒”薄膜层间的均匀性，保证了高转换率的“铜铟镓硒”批量生产工艺，并方便快捷，生产过程不产生有毒气体。
一种铜铟镓硒太阳能电池

[实用新型]一种铜铟镓硒太阳能电池-CN201120144916.6有效
发明人：马给民 -专利权人：东莞日阵薄膜光伏技术有限公司;广东凯盛光伏技术研究院有限公司;广东凯盛光电科技有限公司
申请日： 2011-05-09 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L31/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铜铟镓硒太阳能电池，它包括钠钙玻璃基板和铜铟镓硒薄膜层，铜铟镓硒薄膜层电镀在钠钙玻璃基板上，本实用新型铜铟镓硒太阳能电池采用“铜铟镓硒”四元素合成固态靶材，在退火炉内具有富裕的“硒”气体气氛，扼制“铜铟镓硒”薄膜中“硒”的流失，保证了硒在整个“铜铟镓硒”薄膜层间的均匀性，保证了高转换率的“铜铟镓硒”批量生产工艺，并方便快捷，生产过程不产生有毒气体。
一种铜铟镓硒太阳能电池

[发明专利]铜铟镓硒废物料的回收方法-CN201810726510.5在审
发明人：李红科;谭明亮;李胜春 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明提供铜铟镓硒废物料的回收方法，包括：物料处理，将铜铟镓硒废物料磨细成物料粉末；氯化焙烧处理，采用氯化剂，在温度210‑400度条件下，焙烧所述物料粉末，得到含硒、镓氯化物的挥发气及含铜、铟的焙烧渣；挥发气处理，对含硒、镓氯化物气体进行处理，得到纯硒、镓；氯化焙烧渣处理，对含铜、铟的焙烧渣进行处理，得到纯铟、铜。本发明提供的回收方法，通过氯化焙烧使铜铟镓硒四种元素生成对应的氯化物，利用铜铟镓硒的氯化物挥发温度不同，控制合适的温度将铜铟镓硒废物料进行氯化焙烧，实现铟、镓的有效分离，减少酸用量从而减低生产成本并改善环保性
铜铟镓硒氯化焙烧废物料氯化物物料粉末焙烧渣挥发气回收焙烧氯化物气体物料处理有效分离元素生成环保性氯化剂酸用量渣处理纯硒纯铟挥发磨细生产成本

[发明专利]一种低温油墨法制备的铜铟镓硒吸收层-CN202010319141.5有效
发明人：李丽波;杜金田;翟墨 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种低温油墨法制备的铜铟镓硒吸收层，它涉及一种利用油墨法制备的铜铟镓硒吸收层。本发明致力于解决现有铜铟镓硒吸收层制备工艺复杂，需高温烧结，吸收层薄膜禁带宽度不佳等问题。本发明的方法如下：一、液相法制备铜铟镓硒晶体；二、铜铟镓硒油墨的制备；三、铜铟镓硒吸收层薄膜的制备。本发明制备得到的铜铟镓硒油墨经简单的热处理即可制备为铜铟镓硒吸收层，得到的铜铟镓硒吸收层表面平整，禁带宽度为1.45eV，空穴浓度为6.812×1015cm‑3，平带电位为0.06V，可作为铜铟镓硒太阳能电池的关键组件。并且制备过程利用油墨刮涂法，简单，成本低、利用率高，因此可进行大面积生产，应用于铜铟镓硒太阳能电池领域。
一种低温油墨法制铜铟镓硒吸收