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[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110305662.X有效
发明人： 洪威威;王倩;董彬忠;梅劲;张奕 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层和AlGaN电子阻挡层之间增加复合层，复合层包括依次层叠在多量子阱层上的第一子层、第二子层与第三子层。第一子层中交替层叠的InN层与掺有p型杂质的GaN层，提高GaN层中空穴数量。第二子层包括交替层叠的SiN层与AlN层，提高复合层的质量的同时起到一定的阻挡电子的作用。最后通过生长包括AlGaN层的第三子层，复合层及复合层后的AlGaN电子阻挡层的质量均可以得到提高，进入多量子阱层内的空穴数量也可以得到提高，最终发光二极管的发光效率可以得到大幅度提高。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法-CN202110180925.9有效
发明人： 洪威威;尚玉平;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管技术领域。掺杂Si的第一GaN子层可以将电子扩散的通道变窄，电子可以均匀分布，未掺的第二GaN子层则可以增大电阻，并加强电子横向分布，实现电子的均匀横向扩展，降低发光二极管外延片的工作电压。第一复合层上层叠的第二复合层包括多个交替层叠的InGaN子层与AlGaN子层，在电子得到横向扩展的基础上，可以有效限制电子的移动速率，减少电子的溢流作用，促使更多的空穴进入多量子阱层中进行发光。最终可以提高发光二极管外延片发光均匀度的同时提高发光二极管外延片的发光效率。
发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]改善光效的发光二极管及其制备方法-CN202310284715.3在审
发明人： 洪威威;尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善光效的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层；所述有源层包括交替层叠的多个量子阱层和多个量子垒层，所述量子垒层包括依次层叠的第一子层、第二子层、第三子层和第四子层，所述第一子层包括u型AlGaN层，所述第二子层和所述第四子层包括GaN层，所述第三子层包括n型GaN层。本公开实施例能改善有源层中量子垒层的制备质量，提升发光二极管的发光效率。
改善发光二极管及其制备方法

[发明专利]外延结构及其制备方法-CN202310162054.7在审
发明人： 洪威威;陆香花;梅劲;肖云飞 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种外延结构及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该外延结构包括衬底、硅原子阻挡层和外延层，所述硅原子阻挡层和所述外延层依次层叠在所述衬底上，所述硅原子阻挡层用于阻挡所述衬底中的硅原子向所述外延层扩散。本公开实施例能改善硅原子容易从衬底扩散至外延层的问题，提升外延层的晶体质量。
外延结构及其制备方法

[发明专利]改善内量子效率的发光二极管及其制备方法-CN202310250994.1在审
发明人： 洪威威;尚玉平;陆香花;肖云飞;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种改善内量子效率的发光二极管及其制备方法，属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括n型层和p型层，以及设置在所述n型层和所述p型层之间的有源层，所述有源层包括依次层叠在所述n型层上的第一有源层、第二有源层和第三有源层，所述第一有源层、所述第二有源层和所述第三有源层均包括层叠的量子阱层和量子垒层；所述第一有源层的量子阱层的厚度小于所述第二有源层的量子阱层的厚度，所述第二有源层的量子阱层的厚度小于所述第三有源层的量子阱层的厚度。本公开实施例能改善发光二极管的内量子效率，提升发光二极管的发光效果。
改善量子效率发光二极管及其制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN201910536346.6有效
发明人： 洪威威;王倩;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管包括Si衬底、多个AlN晶种、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源极、漏极和栅极；多个AlN晶种均匀分布在Si衬底的第一表面上，AlN缓冲层设置在多个AlN晶种上并填满各个AlN晶种之间的空间，各个AlN晶种上的AlN缓冲层的晶体取向相同；GaN沟道层和AlGaN势垒层依次层叠在AlN缓冲层的第二表面上，第二表面为平面；源极、漏极和栅极分别设置在AlGaN势垒层上，源极和漏极均与AlGaN势垒层形成欧姆接触，栅极与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明可以提高GaN沟道层的晶体质量。
电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]发光二极管外延片制备方法-CN202110282376.6有效
发明人： 洪威威;王倩;董彬忠;梅劲 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本公开提供了一种发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管技术领域。生长多量子阱层中的各个阱层，在n型GaN层依次生长第一InGaN子层、InN子层、第二InGaN子层与第三InGaN子，在每两个子层之间，均通入一段时间的氨气。氨气提高阱层中的N和In的比，减小In在界面存在的析出的可能性，以提高阱层的内部质量。氨气导致的富N环境可以减少In元素的析出，有效减少In富集或者团簇的概率，提高In元素分布的均匀度以提高发光二极管的发光均匀度。同时氨气与杂质碳反映转化为气体排出反应腔，减小阱层中会残留的杂质碳以提高阱层的晶体质量，阱层的晶体质量的提高进一步会带来发光二极管发光效率的提高。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]高电子迁移率晶体管的制备方法-CN202011042953.6有效
发明人： 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2020-09-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本公开提供了一种高电子迁移率晶体管的制备方法，属于半导体技术领域。所述制备方法包括：在Si衬底上生长漏电屏蔽层，所述漏电屏蔽层包括至少一个周期结构，每个所述周期结构采用如下三步形成：第一步，横向生长AlGaN，形成二维结构层；第二步，在300torr～500torr的压力下进行退火处理；第三步，纵向生长GaN，形成三维结构层；在所述漏电屏蔽层上依次生长GaN沟道层和AlGaN势垒层。本公开在Si衬底上生长包括至少一个周期结构的漏电屏蔽层，可以将外延缺陷密度降低为106/cm2以下，有效抑制漏电通道的形成，降低加HEMT发生隧道击穿的概率，提高HEMT的抗静电能力，保证HEMT的可靠性满足需要。
电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]发光二极管外延片的制备方法-CN202110338965.1有效
发明人： 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-03-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在AlN层上生长非掺杂的第一GaN膜层，将第一GaN膜层浸泡在碱性溶液或酸性溶液中，第一GaN膜层中存在的质量差且较不稳定的GaN材料，会被碱性溶液与酸性溶液去除，第一GaN膜层也被减薄一部分。留下的第一GaN膜层的质量较好，内部的缺陷与应力较少，在干燥之后的第一GaN膜层上沉积的非掺杂的第二GaN膜层的质量也会更好。而底层GaN缓冲层的质量的提高，则可以有效保证后续得到的n型GaN层与多量子阱层的质量较好，最终得到的发光二极管的发光效率也会得到提高。
发光二极管外延制备方法

[发明专利]一种密封圈上油装置-CN202210405565.2在审
发明人：肖勇;董敏;朱晓怡;洪威威;甘显豪 -专利权人：广东金龙东创智能装备有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： F16N7/28 文献下载
摘要：本发明涉及机械设备组装领域，公开了一种密封圈上油装置，包括浸油杆、吹油装置和驱动装置，密封圈能套设固定于浸油杆上；所述吹油装置包括安装板和安装在所述安装板上的若干个吹气嘴，所述安装板上设置有可供所述浸油杆插入的通孔，且若干个所述吹气嘴环绕所述通孔圆周阵列，且所述吹气嘴的出气方向朝向所述浸油杆；所述驱动装置用于带动所述浸油杆穿过所述通孔，以使所述浸油杆上密封圈插入至若干个所述吹气嘴之间。若干个喷气嘴吹出的气体使密封圈上过多的润滑油被吹落，且喷气嘴吹出的气体会使润滑油在密封圈的表面进行流动，使润滑油满布密封圈的表面，从而能很好地满足高精度设备的装配需求。
一种密封圈上油装置

[发明专利]具有AlN的发光二极管外延片的制备方法-CN202110529500.4有效
发明人： 洪威威;王倩;梅劲;董彬忠 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本公开提供了一种具有AlN的发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管技术领域。交替在衬底的表面溅射第一AlN膜与第二AlN膜以最终形成AlN缓冲层。并且溅射第一AlN膜时的靶间距为第一靶间距，溅射第二AlN膜时的靶间距为第二靶间距，第一靶间距大于第二靶间距。较大的第一靶间距溅射得到的第一AlN膜的厚度与均匀性会较好。较小的第二靶间距溅射第二AlN膜的速度会较快，提高第二AlN膜的沉积速率。而交替得到的第一AlN膜与第二AlN膜的内部应力得到释放，AlN缓冲层的整体质量得到提高，并且AlN缓冲层的生长速率也得到提高。降低发光二极管外延片的制备周期的同时有效提高发光二极管外延片的晶体质量。
具有 aln 发光二极管外延制备方法

[实用新型]一种密封圈上油装置-CN202220892894.X有效
发明人：肖勇;董敏;朱晓怡;洪威威;甘显豪 -专利权人：广东金龙东创智能装备有限公司
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： F16N7/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及机械设备组装领域，公开了一种密封圈上油装置，包括浸油杆、吹油装置和驱动装置，密封圈能套设固定于浸油杆上；所述吹油装置包括安装板和安装在所述安装板上的若干个吹气嘴，所述安装板上设置有可供所述浸油杆插入的通孔，且若干个所述吹气嘴环绕所述通孔圆周阵列，且所述吹气嘴的出气方向朝向所述浸油杆；所述驱动装置用于带动所述浸油杆穿过所述通孔，以使所述浸油杆上密封圈插入至若干个所述吹气嘴之间。若干个喷气嘴吹出的气体使密封圈上过多的润滑油被吹落，且喷气嘴吹出的气体会使润滑油在密封圈的表面进行流动，使润滑油满布密封圈的表面，从而能很好地满足高精度设备的装配需求。
一种密封圈上油装置

[实用新型]气体涡轮流量计高频磁屏蔽结构-CN202220807271.8有效
发明人：丁忠显;夏华威;秦卫良;陈光酒;王丹丹;李逢春;洪威威 -专利权人：福建哈德仪表有限公司
申请日： 2022-04-09 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： G01F15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种气体涡轮流量计高频磁屏蔽结构，包括气体涡轮流量计的壳体，所述壳体内部的流道上同轴设置有表芯组件，所述表芯组件的外周部同轴套设有磁屏蔽套。该气体涡轮流量计高频磁屏蔽结构的构造简单，通过在表芯组件的外周部同轴套设有磁屏蔽套，用以进行磁屏蔽，增强表芯组件的抗干扰能力，提高检测的流量精度。
气体涡轮流量计高频屏蔽结构

[实用新型]气体流量计整机自动验漏装置-CN202220949605.5有效
发明人：秦卫良;洪威威;陈光酒;孙利伟;王丹丹;丁忠显;李逢春 -专利权人：福建哈德仪表有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01M3/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种气体流量计整机自动验漏装置，包括机架，所述机架上设置有用以顶接气体流量计的上法兰的上密封压块，所述上密封压块的正下方设置有用以顶接气体流量计的下法兰的下密封压块，所述下密封压块的外周旁侧设置有接水盘，所述接水盘的上方同轴设置有用以将气体流量计包围在内的升降罩筒，所述升降罩筒的内部设置有用以朝气体流量计喷洒泡沫水的喷头，所述上密封压块或下密封压块上设置有充气口，当气体流量计进行密封通气测漏时，升降罩筒可下降将气体流量计包围在内，以免喷头喷洒出的泡沫水外溅，同时接水盘用以收集泡沫水，避免流到地上。
气体流量计整机自动装置

[实用新型]低频信号传感器磁屏蔽结构-CN202220807286.4有效
发明人：秦卫良;丁忠显;王丹丹;陈光酒;夏华威;洪威威;李逢春 -专利权人：福建哈德仪表有限公司
申请日： 2022-04-09 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G01F15/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低频信号传感器磁屏蔽结构，包括安装在罗茨流量计顶部的护盖总成，所述护盖总成的内部设置有机械计数器，所述机械计数器的旋转齿轮上啮合有同步转动的发信盘，所述发信盘上设置有用以信号采样传感器进行信号采样感应的发信磁钢，所述护盖总成的内部设置有用以将发信磁钢以及信号采样传感器包围在内的磁屏蔽罩。该低频信号传感器磁屏蔽结构的构造简单，护盖总成的内部设置有用以将发信磁钢以及信号采样传感器包围在内的磁屏蔽罩，能够进一步降低周边发电机、抽油泵等的磁干扰影响，提高发信磁钢与采样传感器之间的信号采样感应精度。
低频信号传感器屏蔽结构

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