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[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜的制备方法-CN201610846012.5有效
发明人：朱延军 -专利权人：江苏丰远新材料科技有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L31/0392 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法，在沉积钼背电极的衬底上磁控溅射形成铜铟镓硒第一预制层；在铜铟镓硒第一预制层上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的铜铟镓硒第二预制层；硒化热处理前两步形成的预制层薄膜，得到铜铟镓硒薄膜。本发明铜铟镓硒薄膜制备方法简单易控，制备的铜铟镓硒薄膜作为光吸收层性能良好，提高了使用该铜铟镓硒薄膜的太阳能电池的光电转换效率，增加了太阳能电池的开路电压。
铜铟镓硒薄膜预制层制备铜铟镓硒太阳能电池磁控溅射材料技术领域光电转换效率系列化合物热处理光伏薄膜光吸收层开路电压背电极步形成硒化物沉积衬底硒化薄膜

[发明专利]一种生长高密度铟镓氮量子点的方法-CN202011393691.8有效
发明人：汪莱;王磊;余鹿鸣;郝智彪;罗毅 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明属于半导体材料与器件技术领域，尤其涉及一种生长高密度铟镓氮量子点的方法。本方法采用半导体外延生长方法，在衬底上生长GaN薄膜，将产品置于反应腔室中，通入由金属铟和金属镓组成的反应源，再通入五族氮源，重复多次后在GaN薄膜表面形成致密的InGaN量子点，得到下层量子点形貌层，再通入金属源和氮源，在下层量子点形貌层上形成高密度铟镓氮量子点。
一种生长高密度铟镓氮量子方法

[发明专利]一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法-CN201610821769.9在审
发明人：夏国栋;张倩;王素梅 -专利权人：齐鲁工业大学
申请日： 2016-09-14 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明属于半导体及微电子器件领域，特别涉及一种高迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管的低温液相制备方法。包括如下步骤：称取可溶性的锌盐、锡盐，量取溶剂，配置浓度为0.01‑0.5摩尔/升的铟镓锌氧前驱体溶液，经过0.1‑3小时的磁力搅拌和超声分散形成澄清透明的铟镓锌氧前驱体溶液；制备铟镓锌氧薄膜：将铟镓锌氧前驱体溶液涂覆到预先涂有介电层/栅极薄膜的衬底上形成铟镓锌氧前驱体薄膜，进行50‑150 ℃的预热处理，然后经过一定功率、时间和温度的光波退火，根据铟镓锌氧薄膜的厚度要求可多次涂覆前驱体铟镓锌氧溶液并退火处理，即得到铟镓锌氧透明半导体薄膜在铟镓锌氧透明半导体薄膜上沉积源漏电极，即得到铟镓锌氧薄膜晶体管。本发明所得铟镓锌氧薄膜晶体管性能高，在信息电子领域有重要应用前景。
一种迁移率铟镓锌氧薄膜晶体管低温制备方法

[发明专利]一种增强型GaN基高电子迁移率晶体管材料结构-CN201911032654.1在审
发明人：王晓亮;李百泉;肖红领;冯春;姜丽娟;殷海波;李天运;邱爱芹;介芳 -专利权人：北京华进创威电子有限公司;中国科学院半导体研究所
申请日： 2019-10-28 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强型GaN基高电子迁移率晶体管材料结构，所述晶体管材料结构从下至上依次包括：衬底、成核层、缓冲层、氮化镓沟道层、氮化铝插入层、铝镓氮势垒层和铟镓氮盖帽层。
界面处高电子迁移率晶体管晶体管材料结构氮化铝插入层铝镓氮势垒层增强型器件材料结构极化电荷极化作用外延材料成核层氮化镓底位置盖帽层沟道层缓冲层异质结增强型铟镓氮衬底导带帽层抬高

[发明专利]铜铟镓硒的处理方法-CN201810804867.0在审
发明人：潘勇进;葛鹏 -专利权人：汉能新材料科技有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种铜铟镓硒的处理方法，包括以下步骤：铜铟镓硒中加入碳酸钠进行烧结，得到二氧化碳和烧结料，所述烧结料为亚硒酸钠和铜铟镓氧化物的混合物；烧结料中加入硫酸浸出，过滤得到含有硫酸铜、硫酸镓、硫酸铟和亚硒酸钠的混合溶液；将所述含有硫酸铜、硫酸镓、硫酸铟和亚硒酸钠的混合溶液通过阴离子交换树脂进行离子交换，得到铜铟镓溶液；阴离子交换树脂通过解吸后得到亚硒酸盐溶液；将亚硒酸盐溶液结晶后得到亚硒酸盐或将亚硒酸盐溶液加工后得到高纯硒；对铜铟镓溶液处理得到铜、铟、镓。本发明利用铜铟镓硒废料主要为硒化物的特点，使用碳酸钠烧结将铜铟镓硒转化为易溶于酸的氧化物，减少了酸和强氧化剂的消耗。
铜铟镓硒亚硒酸盐亚硒酸钠烧结料铜铟镓阴离子交换树脂混合溶液烧结硫酸铜硫酸铟硫酸镓碳酸钠氧化物离子交换强氧化剂溶液处理溶液加工溶液结晶混合物高纯硒硒化物二氧化碳解吸浸出易溶硫酸过滤消耗申请转化

[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜制备方法及铜铟镓硒薄膜-CN201610841978.X有效
发明人：王文庆 -专利权人：东莞市联洲知识产权运营管理有限公司
申请日： 2016-09-22 - 公布日： 2018-03-16 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及光伏薄膜材料技术领域，特别涉及一种铜铟镓硒薄膜的制备方法及铜铟镓硒薄膜。本发明的制备方法包括以下步骤在沉积背电极的衬底上磁控溅射形成包含硒化物系列化合物的第一层掺钠铜铟镓硒预制层；硒化热处理掺钠铜铟镓硒预制层，得到第一层铜铟镓硒薄膜层；周期循环重复步骤(1)、(2)，每个周期中Ga/(In+Ga)不同，从第一层铜铟镓硒薄膜层到最后一层铜铟镓硒薄膜层中，Ga/(In+Ga)先减小后增多。一种铜铟镓硒薄膜，由n层不同带隙的掺钠铜铟镓硒薄膜层组成，各层掺钠铜铟镓硒薄膜层带隙延薄膜沉积生长方向先减小后增多，n大于等于3。本发明可有效提高光电转换效率，同时增加了太阳能电池的开路电压。
一种铜铟镓硒薄膜制备方法

[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备-CN200910006531.0无效
发明人：夏莹菲;赵夔;陆贞冀 -专利权人：北京华仁合创太阳能科技有限责任公司
申请日： 2009-02-17 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层薄膜的制备方法，第一步先沉积铜、铟、镓三元金属薄膜，再蒸镀上一层硒薄膜形成纳米量级的铜铟镓硒薄膜结构，Se蒸镀源的温度为260～300℃，重复上述步骤10～50次；第二步再将叠加起来的铜铟镓硒吸收层薄膜做快速退火处理，即得到微米量级的多晶铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是：各种元素比例可以得到精确控制；相比其他制备铜铟镓硒薄膜的方法，各元素在薄膜整个厚度范围中分布均匀，变化梯度小；整个工艺过程简单方便，适合大规模连续生产。另外，本发明也公开了上述方法所得到的铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜、包含此铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜的太阳能电池以及上述方法所使用的制造设备。
铜铟镓硒太阳能电池吸收薄膜制备方法设备

[发明专利]高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法-CN201811395202.5在审
发明人：廖蕾;何佳威 -专利权人：武汉大学
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供高性能铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管及其制备方法，能够有效减少双层薄膜中的缺陷，并显著提高迁移率和开关电流比。本发明所涉及的薄膜晶体管，从下往上依次包括：P型重掺杂硅片、二氧化硅绝缘层、铟镓锌氧薄膜层、氧化铟薄膜层以及源漏电极。方法包括：以生长有二氧化硅绝缘层的重掺杂P型硅片为基底，对铟镓锌氧复合靶材进行射频磁控溅射，同时通过掩膜工艺在基底上沉积形成铟镓锌氧薄膜；在铟镓锌氧薄膜层上对氧化铟靶材进行射频磁控溅射，通过掩膜工艺沉积形成氧化铟薄膜层，进而形成铟镓锌氧/氧化铟双沟道层；在铟镓锌氧/氧化铟双沟道层上采用热蒸发工艺，同时通过掩膜工艺制备源漏电极，即得铟镓锌氧基双层结构薄膜晶体管。
铟镓锌氧薄膜晶体管铟镓锌氧薄膜双层结构掩膜工艺制备二氧化硅绝缘层射频磁控溅射氧化铟薄膜源漏电极双沟道氧化铟沉积基底开关电流比复合靶材双层薄膜氧化铟靶有效减少迁移率热蒸发重掺杂硅片生长

[发明专利]一种铜铟镓硒物料的回收方法-CN201610039561.1有效
发明人：高永涛;刘军飞;王冠;吴国发 -专利权人：汉能联创移动能源投资有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C22B7/00 文献下载
摘要：本发明公开一种铜铟镓硒物料的回收方法，其主要包括硫酸+双氧水浸出、二氧化硫还原硒、水解分铜、碱分铟镓、置换铟、水解镓等步骤。本发明的铜铟镓硒物料的回收方法采用硫酸配合双氧水浸出，浸出率大大提高，且减少酸气污染；利用金属离子水解PH差分铜，成本低；另外，本发明采用碱性分镓，只需要调节溶液PH值，即可实现铟镓分离，分离效果好，所得到的铟、镓产品纯度较高。
一种铜铟镓硒物料回收方法

[发明专利]一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法-CN202011509085.8有效
发明人：胡煜霖;刘宽菲;任宇航 -专利权人：尚越光电科技股份有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决铜铟镓硒太阳能电池光衰问题的缺陷钝化方法，包括以下步骤：（1）在衬底上沉积Mo背电极；（2）在Mo背电极上沉积铜铟镓硒光吸收层；（3）在铜铟镓硒光吸收层上沉积CdS缓冲层；（4）在CdS缓冲层上沉积高阻i‑ZnO层和ZnO:Al窗口层，形成铜铟镓硒太阳能电池；（5）对铜铟镓硒太阳能电池进行缺陷钝化处理。本发明能够有效减少铜铟镓硒太阳能电池的缺陷密度，延长铜铟镓硒薄膜太阳能电池的最佳使用寿命，提高户外铜铟镓硒薄膜太阳能电池的实际使用功率。
一种解决铜铟镓硒太阳能电池问题缺陷钝化方法

[发明专利]磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法-CN200410057151.7无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;李成明;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中In、Ga及In、Al的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷或铟铝砷的N型掺杂台阶，得到生长磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料时各外延层所需的掺杂浓度对应的Si源炉温度；最后在磷化铟衬底上依次生长晶格匹配的下波导层、有源区、上波导层、上包层、接触层以及欧姆接触层，得到磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料。
磷化量子级联半导体激光器材料结构生长方法

[发明专利]一种氮化镓基LED外延片的生长方法-CN201310248982.1在审
发明人：聂虎臣;叶明发;涂逵 -专利权人：晶能光电(江西)有限公司
申请日： 2013-06-21 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓基LED外延片的生长方法，该方法包括：在蓝宝石衬底上生长掺Al的GaN缓冲层，其中Al组分摩尔比小于3%；在所述掺Al的GaN缓冲层上生长铟镓铝氮多层结构，其中所述的铟镓铝氮多层结构包括
一种氮化 led 外延生长方法

[发明专利]有分级基极层的双极晶体管-CN03807597.0有效
发明人：罗杰·E·威尔士;保罗·M·笛流卡;查尔斯·R·卢兹;凯文·S·史蒂文斯 -专利权人：科比恩公司
申请日： 2003-03-31 - 公布日： 2005-07-27 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：碳搀杂物浓度高的半导体材料包括镓、铟、砷和氮。本文揭示的半导体材料因为获得的碳搀杂物浓度高所以有低的表面电阻率。该材料能作为基于砷化镓的异质结双极晶体管的基极层，而且能通过控制基极层中铟和氮的浓度与砷化镓发射极层和/或集电极层晶格匹配。
分级基极双极晶体管

[发明专利]一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层及其制造方法-CN200910223955.2无效
发明人：庄泉龙 -专利权人：正峰新能源股份有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种铜铟镓硒太阳能电池的吸光层及其制造方法，利用溅镀法形成硫化亚铜层，并利用铜铟镓硒溶胶凝胶溶液，以浸泡、旋转、印刷或喷涂方式配合预干烘烤处理，形成多个铜铟镓硒堆栈层，接着利用快速升温热处理，将硫化亚铜层与铜铟镓硒堆栈层融合而形成铜铟镓硫硒吸光层，藉以构成具高光电转换效率以及高吸光率的铜铟镓硒太阳能电池。
一种铜铟镓硒太阳能电池吸光层及其制造方法

[发明专利]一种氧化铟镓锌靶材的制备方法-CN202011121750.6在审
发明人：张来稳;邵学亮;李开杰;朱刘 -专利权人：先导薄膜材料（广东）有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： C04B35/01 文献下载
摘要：本发明揭示了一种氧化铟镓锌靶材的制备方法，包括以下步骤：将氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末加入球磨罐中，再加入分散剂、粘接剂以及纯水混合，进行预分散后得到混合液，将所述混合液进行湿法研磨后得到混合浆料；将混合浆料进行喷雾造粒、混料筛分，得到氧化铟镓锌粉末；将氧化铟镓锌粉末进行液压成型、冷等静压，得到氧化铟镓锌靶坯；将氧化铟镓锌靶坯进行烧结，烧结的过程中，在氧化铟镓锌靶坯底部铺上一层衬底材料，烧结完成后得到氧化铟镓锌靶材本发明烧结过程中在靶坯底部铺上一层衬底材料，让靶坯在衬底材料的挥发氛围中烧结，从而抵消靶坯组分因为分子热运动导致的损失，烧结出组分均匀的氧化铟镓锌靶材。
一种氧化铟镓锌靶材制备方法

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