“金属蚀刻”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果1410086个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种金属蚀刻工艺检测方法-CN202211008028.0在审
发明人：周瑞平;张东升 -专利权人：江苏佰元鸿金属科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01N33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属蚀刻工艺检测方法，涉及金属蚀刻技术领域。本发明的金属蚀刻工艺检测方法，蚀刻过程包括：在金属基体的表面旋涂光刻胶并进行烘胶、曝光、显影形成所需图案；将含有光刻图案的金属基体的表面浸没在蚀刻液中进行蚀刻，当经过一段蚀刻时间后，取出得到蚀刻后的金属基体；在丙酮中对蚀刻后的金属基体进行脱胶处理后称重计算，得到蚀刻量；测量蚀刻后的蚀刻液pH；对脱胶处理后的金属基体进行质检是否合格。检测记录的参数为：图案面积、蚀刻时间、蚀刻量、蚀刻液体积为、初始蚀刻液pH、蚀刻后的蚀刻液。本发明可根据检测记录的参数进行拟合得到相关关系，从而对金属蚀刻工艺过程进行调控，具有良好的实用效果。
一种金属蚀刻工艺检测方法

[发明专利]金属蚀刻方法、金属蚀刻控制方法及其装置-CN201080063879.4有效
发明人：王静文;贺成明 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2010-12-14 - 公布日： 2012-12-05 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种金属蚀刻方法，包含下述步骤：对金属膜进行蚀刻并获取该金属膜的蚀刻终点时间；将所述蚀刻终点时间乘以一固定比例而得到所述金属膜的过蚀刻时间；对所述金属膜继续蚀刻所述过蚀刻时间，完成对所述金属膜进行的蚀刻还公开了一种金属蚀刻控制方法及其装置。
金属蚀刻方法控制及其装置

[发明专利]测量金属完全蚀刻时间的方法及系统、存储介质-CN201911372267.2在审
发明人：黎美楠 -专利权人： TCL华星光电技术有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种测量金属完全蚀刻时间的方法及系统、存储介质，所述测量金属完全蚀刻时间的方法包括数据库建立步骤、采集步骤、第一计算步骤以及第二计算步骤，采用不同的蚀刻时间进行湿蚀刻，并记录相应的蚀刻厚度，计算多次蚀刻的蚀刻速度，并取平均值得到平均蚀刻速度，最后根据公式：金属完全蚀刻时间＝金属层的厚度/平均蚀刻速度，计算金属完全蚀刻时间。本发明测量金属完全蚀刻时间的方法能够更精准的计算金属完全蚀刻时间，避免人为误差。
测量金属完全蚀刻时间方法系统存储介质

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910315670.5有效
发明人：童思频;林裕凯;王仁宏;潘兴强 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包含导电部件、位于下层结构之上的第一金属基蚀刻停止层、位于第一金属基蚀刻停止层之上的无金属蚀刻停止层、位于无金属蚀刻停止层之上的第二金属基蚀刻停止层、位于第二金属基蚀刻停止层之上的层间介电层、以及互连结构，互连结构延伸穿过第一金属基蚀刻停止层、无金属蚀刻停止层、及第二金属基蚀刻停止层，其中互连结构的底部分直接接触导电部件。第一金属基蚀刻停止层可包含第一金属成分，具有铝、钽、钛、或铪的其中一者，且第二金属基蚀刻停止层可包含与第一金属成分相同或不同的第二金属成分。第一金属基蚀刻停止层与第二金属基蚀刻停止层可均不包含硅。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种金属钨和铜的选择性蚀刻液-CN202011394817.3在审
发明人：王书萍;钟昌东;冯凯;贺兆波;张庭;尹印;万杨阳;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种对金属铜和金属钨具有选择性蚀刻的蚀刻液，该蚀刻液包括氧化剂、有机酸、螯合剂、pH调节剂和铜蚀刻抑制剂。本发明所述金属铜和钨的选择性蚀刻液能够在高效蚀刻金属钨的同时保证金属铜的低蚀刻速率，最大程度地避免对金属铜的蚀刻。在蚀刻过程中，咪唑等pH调节剂稳定蚀刻液pH，避免蚀刻液pH的大幅波动，从而对金属铜和钨的蚀刻速率及蚀刻稳定性造成较大的波动；螯合剂快速与蚀刻液中生成的铜离子形成配位键进行螯合，避免蚀刻液中铜离子的累计造成氧化剂双氧水的分解，硬性蚀刻液的稳定性；氨基四唑等铜离子蚀刻抑制剂在蚀刻过程中，抑制铜离子的蚀刻保证金属钨相对铜的高选择性蚀刻。
一种金属选择性蚀刻

[发明专利]蚀刻方法及蚀刻液-CN202210754995.5在审
发明人：宋智辉;王辉;廖辉华;康报虹 -专利权人：惠科股份有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本申请公开了一种蚀刻方法及蚀刻液，用于蚀刻由导电层和过渡金属层堆叠形成的复合金属线，所述蚀刻方法包括步骤：提供一基板，所述基板的表面设置有复合金属层，在所述复合金属层上形成蚀刻阻挡层图案；朝所述复合金属层喷涂主蚀刻液；检测所述主蚀刻液中含导电层金属离子的浓度，当所述主蚀刻液中含导电层金属离子浓度上升后，朝所述主蚀刻液中加入添加剂，将所述复合金属层蚀刻成复合金属线；其中，所述主蚀刻液和添加剂均包括：氧化剂、氟化物离子采用上述蚀刻方法进行蚀刻，能够使得复合金属线在蚀刻后轮廓平滑，无逆向蚀刻截面角度、二段角、蚀刻残留的不良问题。
蚀刻方法

[发明专利]一种产品质量稳定的金属蚀刻加工工艺-CN201510885353.9在审
发明人：王光强;王满根;郭永华;尹国钦;王仲斌;管冬珠;王彩萍 -专利权人：宁波东盛集成电路元件有限公司
申请日： 2015-12-04 - 公布日： 2016-03-30 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种产品质量稳定的金属蚀刻加工工艺，步骤如下：1)在金属膜表面涂覆感光材料，并在感光材料上贴覆菲林；2)进行曝光处理，并在曝光后将菲林去掉，并清洗金属膜表面未固化的感光材料，金属膜表面固化的感光材料形成掩膜层；3)将金属膜置于蚀刻机中进行蚀刻，终点侦测机获取每个正在蚀刻的金属膜的蚀刻终点时间，并发送给蚀刻机，蚀刻机根据蚀刻终点时间通过预置的算法获得每个金属膜的过蚀刻时间，蚀刻机对每一金属膜继续蚀刻过蚀刻时间，以完成对所述金属膜的蚀刻；4)除去蚀刻后的金属膜上的掩膜层，并进行清洗；5)检验入库；该金属蚀刻加工工艺流程简单、操作方便、加工效率高，且保证了产品的质量稳定性。
一种产品质量稳定金属蚀刻加工工艺

[发明专利]金属选择性蚀刻液-CN200610075444.7有效
发明人：高桥秀树;黑岩健次;加藤胜 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2006-04-14 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明目的在于抑制将有贵金属和贱金属共存的半导体材料上的贵金属进行蚀刻时的贱金属发生腐蚀的问题，并提高成品率。本发明提供一种蚀刻液，其与以氰化物和铅化合物为成分的水溶液相比，安全性优异且对环境的影响少。本发明的蚀刻液为从有贵金属和贱金属共存的半导体材料中蚀刻贵金属的碘系蚀刻液，该蚀刻液的贵金属与贱金属的蚀刻速率之比(贵金属的蚀刻速率/贱金属的蚀刻速率)为0.03或以上。
金属选择性蚀刻

[发明专利]蚀刻液及形成图案化多层金属层的方法-CN201210384822.5有效
发明人：林舒瑶;曹智强;吕婉婷 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2012-10-11 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：一种蚀刻液及形成图案化多层金属层的方法，该蚀刻液用以蚀刻形成图案化多层金属层。蚀刻液包括二价铜离子、氨水、磷酸铵溶液与有机铵盐。一种形成图案化多层金属层的方法也被提出。首先，提供前述蚀刻液。接着，形成多层金属层于基板上。之后，以蚀刻液蚀刻多层金属层以形成图案化多层金属层。本发明的蚀刻液具有良好的稳定性且在使用过程中不会产生氧气。另外，使用本发明的蚀刻液来形成图案化的多层金属层时，蚀刻液对于多层金属层之间蚀刻率差异小。
蚀刻形成图案多层金属方法

[发明专利]一种多层金属层的蚀刻方法-CN201710212918.6有效
发明人：武岳;李珊 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2017-04-01 - 公布日： 2019-12-13 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明提供一种多层金属层的蚀刻方法，包括：在上层金属层表面上涂覆光阻层；对光阻层进行曝光显影，以在多层金属层表面上形成蚀刻区域；对多层金属层进行湿蚀刻，将蚀刻至预设位置的时间点作为湿蚀刻终点，该预设位置位于多层金属层的内部；停止湿蚀刻并将衬底基板进行干燥处理后，对预设位置以下的多层金属层部分进行干蚀刻并将其蚀刻完；剥离位于上层金属层上的光阻层，完成蚀刻操作；其中，湿蚀刻至预设位置时，光阻层下表面尚存在可维持其不脱落的上层金属层，光阻层尚覆盖在蚀刻区域外的上层金属层上。本发明可以在蚀刻完多层金属层后，保护好上层金属层，进而保证光阻层不会脱落。
一种多层金属蚀刻方法

[发明专利]一种选择性铜蚀刻液-CN202110926379.9有效
发明人：王书萍;钟昌东;冯凯;贺兆波;张庭;尹印;万杨阳;李鑫 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种选择性铜蚀刻液，该蚀刻液包括氧化剂、有机羧酸、螯合剂、pH调节剂和铜蚀刻加速剂。本发明所述选择性铜蚀刻液能够在高效蚀刻金属铜的同时保证金属钨的低蚀刻速率，最大程度地避免对金属钨的蚀刻。在蚀刻过程中，咪唑等pH调节剂稳定蚀刻液pH，避免蚀刻液pH的大幅波动，从而对金属铜和钨的蚀刻速率及蚀刻稳定性造成较大的波动；螯合剂快速与蚀刻液中生成的铜离子形成配位键进行螯合，避免蚀刻液中铜离子的累积造成氧化剂双氧水的分解，影响蚀刻液的稳定性；金、银和铂族金属（钌、铑、钯、锇、铱、铂）等贵金属与有机羧酸的复配物作为铜离子蚀刻加速剂，在蚀刻过程中，加快铜离子的蚀刻保证金属铜相对钨的高选择性蚀刻。
一种选择性蚀刻

[发明专利]一种3D结构陶瓷基板的制备方法-CN202110779311.2在审
发明人：王斌;贺贤汉;周轶靓;葛荘;吴承侃 -专利权人：江苏富乐德半导体科技有限公司
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：步骤一，真空烧结：将金属片覆盖于活性金属焊料或者活性金属焊片上，在真空环境下加热使金属片钎焊于陶瓷基板表面；步骤二，依次进行贴膜、曝光、显影、蚀刻以及退膜，进而在金属片上形成沟槽；步骤三，金属片蚀刻‑第一金属层蚀刻成型；步骤四，金属片蚀刻‑第二金属层蚀刻成型；步骤五，金属片蚀刻‑第三金属层蚀刻成型；步骤六，焊料蚀刻。
一种结构陶瓷制备方法

[发明专利]蚀刻气体、蚀刻方法和半导体元件的制造方法-CN202180069264.0在审
发明人：铃木淳 -专利权人：株式会社力森诺科
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供一种能够与非蚀刻对象物相比选择性地对含有硅的蚀刻对象物进行蚀刻的蚀刻气体及蚀刻方法。一种蚀刻气体，含有氟丁烯，所述氟丁烯由通式C4HxFy表示，并且所述通式中的该蚀刻气体含有或不含有碱金属和碱土金属中的至少一种作为金属杂质，在含有所述金属杂质的情况下碱金属和碱土金属的浓度之和为5000质量ppb以下。一种蚀刻方法，具备蚀刻工序，在所述蚀刻工序中使蚀刻气体与具有蚀刻对象物和非蚀刻对象物的被蚀刻构件(12)接触，与非蚀刻对象物相比选择性地对蚀刻对象物进行蚀刻。蚀刻对象物含有硅。
蚀刻气体方法半导体元件制造

[发明专利]一种FMM金属薄板的竖直式蚀刻装置及其蚀刻方法-CN201910142687.5在审
发明人：简旭宏;黄俊铭;陈彦志 -专利权人：合肥永淇智材科技有限公司
申请日： 2019-02-26 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种FMM金属薄板的竖直式蚀刻装置及其蚀刻方法，蚀刻装置包括装有蚀刻液的蚀刻容器、以及用以传送FMM金属薄板的传送机构；所述蚀刻容器上开设有进料槽与出料槽。本发明将整个FMM金属薄板的蚀刻装置呈竖直式排布，便于蚀刻液的注入与排出，同时，在呈竖直方向布置的FMM金属薄板的两侧设置喷液机构，可减少蚀刻液在FMM金属薄板两面的滞留，进而改善蚀刻液滞留造成的蚀刻不均匀等现象，有利于改善FMM金属薄板两面蚀刻的均匀性。
金属薄板蚀刻蚀刻装置蚀刻液竖直式蚀刻容器滞留传送机构两侧设置喷液机构不均匀出料槽进料槽均匀性排布排出竖直传送

[发明专利]金属件的制作方法、金属件及金属制品-CN202111538545.4在审
发明人：曾宪方;黎延垠;韩家伟;洪辰谕;杨清豪;胡玉梅;夏品 -专利权人：深圳市裕展精密科技有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： B23K26/364 文献下载
摘要：本申请提供一种金属件的制作方法，包括：在金属基材的表面形成压应力区和拉应力区，所述拉应力区位于所述压应力区之间；将形成有压所述应力区和所述拉应力区的金属基材放入蚀刻液以在所述拉应力区形成蚀刻孔。上述金属件的制作方法中，金属基材的表面形成有压应力区和拉应力区，处于拉应力区的金属基材相较于正常状态下的强度降低，容易被蚀刻液蚀刻以形成蚀刻孔，将形成有压应力区和拉应力区的金属基材放入蚀刻液，蚀刻液能够快速对处于拉应力区的金属基材进行蚀刻，形成较为密集的蚀刻孔，另外，压应力区也可形成不易被蚀刻液蚀刻的区域，从而实现金属件的选择性蚀刻。本申请还提供一种金属件以及包括金属件的金属制品。
金属件制作方法金属制品

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条