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[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法-CN201710597182.9有效
发明人：何佳新 -专利权人：昆山龙腾光电股份有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法，其中金属氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括在衬底上形成图形化的栅极；在该衬底上依次连续形成栅极绝缘层、金属氧化物半导体材料层和蚀刻阻挡材料层，该金属氧化物半导体材料层是膜厚为1～10nm，通过溶液涂布的方式成膜；对该蚀刻阻挡材料层进行蚀刻图形化以形成蚀刻阻挡层；在该金属氧化物半导体材料层和蚀刻阻挡层上形成一层源漏金属材料层；以光阻层图案作为蚀刻掩模对源漏金属材料层进行第一次蚀刻以形成源极和漏极；再以该光阻层图案和蚀刻阻挡层作为蚀刻掩模对金属氧化物半导体材料层进行第二次蚀刻以形成金属氧化物有源层，其中该第二次蚀刻为干蚀刻；去除该光阻层图案。
金属氧化物薄膜晶体管阵列及其制作方法

[实用新型]一种半蚀刻网罩-CN201220379901.2有效
发明人：何公明 -专利权人：宁波东盛集成电路元件有限公司
申请日： 2012-08-02 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： H04R1/02 文献下载
摘要：一种半蚀刻网罩，包括一金属材料板，其特征在于：所述金属材料板上具有半蚀刻部分，所述半蚀刻部分内设有全蚀刻部分，所述半蚀刻部分保留一定厚度的金属材料，所述全蚀刻部分由多个间隔的通孔组成，多个通孔之间的间隙为半蚀刻半蚀刻网罩，不但具有全蚀刻部分还具有半蚀刻部分，能够为音响提供更好的效果，而且加工方便、生产效率高，可以批量生产。
一种蚀刻网罩

[发明专利]用于制造半导体器件的方法-CN201911306956.3在审
发明人：冯玠宁;洪志昌;陈炳宏;林益安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种方法包括：形成栅极电介质层；在栅极电介质层的底部部分上方形成金属栅极条带；以及对金属栅极条带执行第一蚀刻工艺以移除金属栅极条带的一部分。第一蚀刻工艺是各向异性地执行的。在第一蚀刻工艺之后，对金属栅极条带执行第二蚀刻工艺以移除金属栅极条带的残留部分。第二蚀刻工艺包括各向同性蚀刻工艺。将电介质材料填充到由金属栅极条带的经蚀刻的部分和经蚀刻的残留部分留下的凹槽中。
用于制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202110136219.4在审
发明人：连建洲;林群能;叶明熙;陈玠玮;江子昂 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包括：自半导体鳍状物上移除虚置栅极；沉积粘着层与填充金属层于半导体鳍状物上；以及以湿蚀刻溶液同时蚀刻粘着层与填充金属层，且湿蚀刻溶液蚀刻粘着层的速率大于蚀刻填充金属层的速率，并再成形填充金属
半导体装置形成方法

[实用新型]蚀刻设备-CN202122027476.2有效
发明人：林刘恭 -专利权人：光群雷射科技股份有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C23F1/08 文献下载
摘要：本实用新型公开一种蚀刻设备，用来对包覆有一光阻层的一金属滚轮进行蚀刻，蚀刻设备包括用来固定金属滚轮的一滚轮固定装置、间隔地设置于滚轮固定装置的一浸润槽以及一升降装置。金属滚轮的长度介于1.6米～1.8米之间。浸润槽能用来容纳一蚀刻液。金属滚轮能被用来浸润于浸润槽中的蚀刻液，使未包覆有光阻层的金属滚轮的部分被蚀刻，并对应形成一蚀刻图案。升降装置用来使滚轮固定装置与浸润槽相对地移动，并且升降装置能用来使浸润槽的内侧面与金属滚轮的外表面之间的距离，介于0.1毫米～0.5毫米之间。借此，蚀刻设备能在使用少量的蚀刻液的情况下，即能完成对金属滚轮的蚀刻。
蚀刻设备

[发明专利]用于集成电路的蚀刻剂组合物-CN201910275879.3有效
发明人：杨金顺;魏凤珍;王珏 -专利权人：上海舸海科技有限公司
申请日： 2019-04-08 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C09K13/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于集成电路的蚀刻剂组合物，属于蚀刻技术领域，包括，以蚀刻剂组合物的总重量计，3‑10wt％的硝酸；9‑16wt％的盐酸；0.01‑1wt％的仙草胶；和余量的水。利用上述蚀刻剂组合物蚀刻方法包括如下步骤：在基板上形成金属氧化物层；选择性地在金属氧化物层上留下光反应型材料，以使金属氧化物层的一部分暴露；和使用蚀刻剂组合物蚀刻被暴露的金属氧化物层。本发明蚀刻剂组合物具有可控的蚀刻速率、蚀刻效果好、精确的厚度蚀刻和无蚀刻残留物的优点，蚀刻的均匀性和稳定性较佳，可以提供极好的蚀刻轮廓，表现出极好的蚀刻性能，金属电极结构不易受到破坏，且不易留下造成电性短路的残留物
用于集成电路蚀刻组合

[发明专利]一种钼/铝复合金属层的蚀刻液及蚀刻方法-CN201811128422.1在审
发明人：童少平;吴国庆;刘志彪;李振弘 -专利权人：浙江工业大学
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种钼/铝复合金属层的蚀刻液，包括以下重量百分比的原料：磷酸50～70％；硝酸0.1～5％；乙酸5～20％；高氯酸1～10％；余量为水。本发明还公开了利用所述钼/铝复合金属层的蚀刻液对钼/铝复合金属层进行蚀刻的方法。本发明的钼/铝复合金属层的蚀刻液，通过加入高氯酸来平衡钼和铝的蚀刻速率，使得钼/铝复合金属层的蚀刻角度和蚀刻量得到有效的控制。
金属层铝复合蚀刻蚀刻液高氯酸乙酸重量百分比蚀刻量硝酸磷酸平衡

[发明专利]半导体器件中形成金属图案和形成栅极电极的方法-CN200710135745.9无效
发明人：吴相录;刘载善 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2007-08-10 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种在半导体器件中形成金属图案的方法，包括：在包括金属层的半成品衬底上形成蚀刻停止层；在该蚀刻停止层上形成硬掩模；蚀刻该硬掩模以形成暴露该蚀刻停止层的硬掩模图案；以及使用该硬掩模图案蚀刻该蚀刻停止层与金属层
半导体器件形成金属图案栅极电极方法

[发明专利]一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法-CN202211669848.4在审
发明人：彭浩;尹印;万杨阳;贺兆波;张庭;余迪;王亮;叶瑞 -专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
申请日： 2022-12-25 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明属于集成电路电子化学品领域，具体涉及一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法。所述的蚀刻液主要用于相对于叠层金属（由光阻、AlCu合金层、W层、TiN层和Ti层自上而下构成）选择性蚀刻AlCu合金层，其组成包括氧化剂、腐蚀剂、添加剂、络合剂、均蚀剂和超纯水。本发明提供了一种相对于叠层金属选择性蚀刻AlCu层的蚀刻液及其制备方法，按照方法使用该蚀刻液不仅能有效控制叠层金属中AlCu层被蚀刻且其他金属层未被蚀刻，蚀刻精度高和蚀刻形貌好，而且对基板的电化学性能无损伤
一种相对于金属选择性蚀刻 alcu 及其制备方法

[发明专利]一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板-CN202110622008.1在审
发明人：谭芳 -专利权人：苏州华星光电技术有限公司
申请日： 2021-06-04 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板，通过将阵列基板中的第一栅极金属层氧化，得到第二栅极金属层；第二栅极金属层包括靠近基板一侧的金属层和背离基板一侧的氧化金属层。使得对栅极金属层进行酸性蚀刻时，相同蚀刻时间内，氧化金属层的蚀刻速率大于金属层的蚀刻速率，使得氧化金属层的横向蚀刻量增加且大于金属层的横向蚀刻量，降低栅极金属层与基板之间形成的倾角的角度，进而改善栅极绝缘层和源漏极金属层在栅极金属层形成的爬坡结构处断线的问题
一种阵列制备方法显示面板

[发明专利]金属膜蚀刻液组合物-CN202111407506.0在审
发明人：朴相承;金益儁;金载烨;丁锡一;郑民敬;李宝研;李龙儁;金世训 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23F1/14 文献下载
摘要：本发明涉及对用作TFT‑LCD显示器的电极的铜系金属膜选择性地进行蚀刻的蚀刻液组合物，根据本发明，可以提供用于蚀刻铜系金属膜的蚀刻液组合物，该蚀刻液组合物能够实现对铜系金属膜的选择性的蚀刻，通过容易的蚀刻速度的控制，可以提供具有目标图案的直线性和锥角的金属配线，实现稳定的蚀刻轮廓，从而不仅可实现高处理张数，而且对大面积处理有效。
金属膜蚀刻组合

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN202011457562.0在审
发明人：沈香谷;黄健铭;陈翰仪;吕忠侑;蔡翔宇;吕志弘;陈文栋 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一实施例的方法包括接收基板，其含有下侧接点结构；沉积第一介电层于基板上；形成金属‑绝缘层‑金属结构于第一介电层上；沉积第二介电层于金属‑绝缘层‑金属结构上；进行第一蚀刻工艺，形成开口延伸穿过第二介电层以露出金属‑绝缘层‑金属结构；进行第二蚀刻工艺，延伸开口穿过金属‑绝缘层‑金属结构，以露出第一介电层；以及进行第三蚀刻工艺，进一步延伸开口穿过第一介电层，以露出下侧接点结构。第一蚀刻工艺与第三蚀刻工艺的蚀刻剂包括氟，而第二蚀刻工艺的蚀刻剂不含氟。
半导体装置形成方法

[发明专利]图案化的基底的连续湿法蚀刻方法-CN201280048262.4有效
发明人：杰弗里·H·托奇;约瑟夫·W·V·伍德利;托马斯·M·林奇;丹尼尔·M·伦茨;罗伯特·S·戴维森;克里斯汀·E·莫兰;祖丽君 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2012-09-19 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：该方法包括通过使金属化基底与氧化剂和金属络合剂接触以从未图案化的区域除去金属来在反应容器内湿法蚀刻金属化基底。该方法还包括通过将氧化剂和金属络合剂中的每一种的补料递送到蚀刻剂浴来保持蚀刻剂浴中的氧化剂和金属络合剂的浓度。该方法还包括通过从所述反应容器排出一定量的所述蚀刻剂浴来保持蚀刻剂浴中的金属的浓度。第一补料速率和第二补料速率以及蚀刻剂浴除去速率至少部分地基于从基底蚀刻的金属进入蚀刻剂浴的速率来确定。
图案基底连续湿法蚀刻方法

[发明专利]金属蚀刻液及金属蚀刻方法-CN202011209219.4在审
发明人：许靖惟 -专利权人：宣城亨旺新材料有限公司
申请日： 2020-11-03 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属蚀刻液，包括：5至30wt％的氧化剂；2.5至15wt％的氨基酸；2.5至15wt％的磷酸盐；2至15wt％的非氨基酸类羧酸；以及余量的水。在本发明中，通过选用过氧化氢及过硫酸盐作为氧化剂，并将两者之间的使用重量比控制在1：1.5至1：5之间，使得金属蚀刻液可具有良好的蚀刻效率、使用寿命及安全性。
金属蚀刻方法

[发明专利]用于蚀刻铜双层金属配线结构的蚀刻液组合物及制备方法、应用和制造薄膜阵列基板的方法-CN202111453553.9有效
发明人：张念椿;梅园;伍红星;王岳浩;王婕 -专利权人：达高工业技术研究院（广州）有限公司
申请日： 2021-12-01 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于蚀刻铜双层金属配线结构的蚀刻液组合物及制备方法、应用和制造薄膜阵列基板的方法，涉及金属配线蚀刻术领域。该用于蚀刻铜双层金属配线结构的蚀刻液组合物主要由特定用量的双氧水、螯合剂、碳杂环化合物、双氧水稳定剂、有机酸、无机酸、碱、锥度维持剂和水等原料制成，通过上述各原料之间的协同配合作用，使得所制得的蚀刻液组合物能够用于蚀刻铜双层金属配线结构，制程覆盖面广，改善了现有的蚀刻液往往仅能满足某一种金属配线结构的蚀刻，很难满足不同金属配线结构的技术问题，且该蚀刻液组合物的安全性好，成本优异，可有效地应用于铜制程配线的蚀刻。本发明还提供了上述蚀刻液组合物的制备方法和应用。
用于蚀刻双层金属结构组合制备方法应用制造薄膜阵列