专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]板材及其制造方法-CN202211607038.6在审
  • 福山昌男;月东秀夫;加藤胜 - 株式会社帕姆霍尔兹
  • 2022-12-14 - 2023-06-30 - B27D1/00
  • 通过将从椰子树干的相同切出部分区分出的维管束和薄壁组织根据其特性对两者一起有效利用,不发生原料的浪费而得到具有充分的强度和良好的外观的板材。使用以被从椰子树干的相同切出部区分出的维管束为主体的第1区分部、以及以被从椰子树干区分出的薄壁组织为主体的第2区分部;由第1区分部构成规定厚度的基板部(11),并且由第2区分部构成覆盖基板部(11)的至少一个面的表层部(12);基板部(11)和表层部(12)被热压接。
  • 板材及其制造方法
  • [发明专利]照明装置及灯具-CN201510631825.8有效
  • 渡边和宪;加藤胜 - 日亚化学工业株式会社
  • 2015-09-29 - 2020-06-30 - F21K9/20
  • 本发明的课题在于提供一种将重叠的光的不均降低的照明装置及灯具。为了解决上述课题,本发明的照明装置(1)具有:第一光照射机构(10),其具有第一凹面反射镜(3)、在所述第一凹面反射镜内设置的第一光源部(2);第二光照射机构(20),其具有比所述第一凹面反射镜小的第二凹面反射镜(13)、在所述第二凹面反射镜内设置的第二光源部(12),所述第二光照射机构比所述第一光源部更靠光照射方向侧配置,并且以使各自的所述光照射机构的凹面反射镜的光轴相同的方式配置。
  • 照明装置灯具
  • [发明专利]钻头-CN201380003276.9有效
  • 泽边辉雄;齐藤耕治;加藤胜 - 株式会社宫城田野井;秋田县
  • 2013-11-07 - 2018-01-12 - B23B51/08
  • 提供可高质量水平地有效进行CFRP等难切削加工材料的钻孔加工的钻头。钻头包括以后部侧为柄部(2)并以前部侧为切削部(3)的钻头主体(4);形成于切削部(3)的第1刃背(A)~第4刃背(D);形成于该刃背之间的第1切削部沟槽(5a)~第4切削部沟槽(5d);设置在切削部(3)前端的导刃(6);与该导刃(6)连接而形成扩径螺旋顶(AK1~DK4)的顶群构成的扩径螺旋顶部(9);与该扩径螺旋顶部(9)连接而形成的顶高度相同的精加工螺旋顶(AF1~DF5)(参照图2)的顶群所构成的精加工螺旋顶部(12);扩径螺旋顶(AK1~DK4)扩径刃的刃群构成的扩径螺旋刃部(18);精加工螺旋顶(AF1~DF5)精加工刃的刃群构成的精加工螺旋刃部(19),切削进刀量是使所述被加工件上切削形成的切削孔的壁面上不形成螺旋凸部位的平壁面精加工的进刀量。
  • 钻头穿孔形成方法
  • [发明专利]照明装置-CN200980130441.0有效
  • 加藤胜;渡边和宪 - 日亚化学工业株式会社;小糸工业株式会社
  • 2009-07-27 - 2011-06-29 - F21S8/08
  • 照明装置(1)具备:长条形的平面基板(2);该平面基板上的沿着长边方向排列有多个的半导体光源(3);以及配置在与半导体光源对置的位置的透镜板(4),所述透镜板具备透镜光出射面和面对半导体光源的透镜光入射面,在透镜光入射面和透镜光出射面中的一方形成有用于沿着长边方向对来自半导体光源的光进行配光的第一透镜部(5),在透镜光入射面和透镜光出射面中的另一方形成有用于沿着短边方向对来自半导体光源的光进行配光的第二透镜部(9),所述第一透镜部在面对区域的内侧具备曲率面单元(8),所述面对区域面对与半导体光源在长边方向的宽度对应的区域,所述曲率面单元沿长边方向相邻地形成有曲率半径不同的2个以上的凸部曲率面。
  • 照明装置
  • [发明专利]含铜层积膜用蚀刻液-CN201010171113.X无效
  • 加藤胜;河野良 - 关东化学株式会社
  • 2010-05-13 - 2010-11-17 - C23F1/18
  • 本发明目的在于提供一次蚀刻Cu金属层和Cu合金氧化物层用的、能够控制溶解性高的铜合金氧化物层的溶解、进而在成为一次蚀刻的对象的积层实现包括Cu合金氧化物层的所有层的溶解以适宜的平衡进行的条件的蚀刻液及蚀刻方法。本发明的蚀刻液为对包括与基板接触的铜氧化物层或铜合金氧化物层的基板上的含铜层积膜进行蚀刻用的蚀刻液,包含过氧化物和有机酸。本发明的蚀刻方法为对包括与基板接触的铜氧化物层或铜合金氧化物层的基板上的含铜层积膜进行蚀刻的方法,包括使用包含过氧化物和有机酸的蚀刻液进行蚀刻的工序。
  • 层积蚀刻
  • [发明专利]金属选择性蚀刻液-CN200610075444.7有效
  • 高桥秀树;黑岩健次;加藤胜 - 关东化学株式会社
  • 2006-04-14 - 2006-10-18 - C23F1/14
  • 本发明目的在于抑制将有贵金属和贱金属共存的半导体材料上的贵金属进行蚀刻时的贱金属发生腐蚀的问题,并提高成品率。本发明提供一种蚀刻液,其与以氰化物和铅化合物为成分的水溶液相比,安全性优异且对环境的影响少。本发明的蚀刻液为从有贵金属和贱金属共存的半导体材料中蚀刻贵金属的碘系蚀刻液,该蚀刻液的贵金属与贱金属的蚀刻速率之比(贵金属的蚀刻速率/贱金属的蚀刻速率)为0.03或以上。
  • 金属选择性蚀刻

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