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[实用新型]一种蚀刻液回收再生系统-CN202021757555.8有效
发明人：温质康;林佳龙;乔小平 -专利权人：福建华佳彩有限公司
申请日： 2020-08-21 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本实用新型公开一种蚀刻液回收再生系统，包括蚀刻液再生釜、蚀刻槽和蚀刻液过滤釜；所述蚀刻液再生釜通过第一泵连接所述蚀刻槽，所述蚀刻槽用于作为蚀刻工件进行蚀刻的场所；所述蚀刻液过滤釜包括金属离子反渗透膜，所述金属离子反渗透膜把所述蚀刻液过滤釜分成第一腔室和第二腔室，所述蚀刻槽通过第二泵连接所述蚀刻液过滤釜的第一腔室；所述第二腔室连接到所述蚀刻液再生釜。上述技术方案金属离子反渗透膜将金属离子阻挡，在补酸釜中加入流失的氢氟酸、抑制剂和螯合剂，即可形成全新的蚀刻液体。蚀刻液的回收再生系统在蚀刻工件在蚀刻过程中进行，不会影响到蚀刻工艺的进行。
一种蚀刻回收再生系统

[发明专利]微机电的结构及制造方法-CN200910166465.3有效
发明人：邱奕翔;叶力垦;刘政谚;陈晓翔 -专利权人：微智半导体股份有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种微机电结构，在基板上具有微结构与蚀刻道。微结构为金属层及导电层相连形成，且以氧化硅包覆在微结构周围，并在氧化硅顶端具有阻挡层。蚀刻道为金属层与氧化层交互堆叠而成，且氧化层两边具有通道。其中，微结构的阻挡层与蚀刻道最上层的金属层非同一平面；借此在利用蚀刻移除蚀刻道的金属层时，不会同时将微结构的金属层移除。本发明还提供一种微机电制造方法，以湿式蚀刻法移除前述蚀刻道中的金属层，再以震荡或蚀刻将蚀刻道中残余的氧化层移除，并利用深反应离子蚀刻及背蚀刻悬浮微结构，以形成蚀刻道壁面平整、无残留的悬浮微机电结构。
微机结构制造方法

[发明专利]一种高精度掩模板的制作方法-CN201310523698.0在审
发明人：魏志凌;高小平;魏志浩;莫松亭 -专利权人：昆山允升吉光电科技有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度掩模板的制作方法，包括通过蚀刻工艺蚀刻金属基板的两面制作掩模板的蚀刻步骤，金属基板的两面包括掩模板的开口区域和非开口区域，开口区域包括蚀刻区域和非蚀刻区域，非蚀刻区域在开口区域的中央，蚀刻区域是由非蚀刻区域的外边缘与对应的开口区域的内边缘围成的封闭区域，在蚀刻步骤中，金属基板两面的非开口区域和非蚀刻区域设有保护膜，蚀刻液与蚀刻区域的金属反应，在蚀刻区域形成贯穿金属基板的通孔，所述通孔使非蚀刻区域从对应的开口区域脱离
一种高精度模板制作方法

[实用新型]半蚀刻网罩-CN201220043105.1有效
发明人：陈雪尧;梁泰频;何公明;王满根;史小军 -专利权人：宁波东盛集成电路元件有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： H04R1/02 文献下载
摘要：一种半蚀刻网罩，包括圆形的金属材料板，其特征在于：所述金属材料板上具有与该金属材料板同心设置的圆形的全蚀刻部分，以及围绕该全蚀刻部分设置的环形半蚀刻部分，所述半蚀刻部分保留一定厚度的金属材料。该半蚀刻网罩，不但具有全蚀刻部分还具有半蚀刻部分，能够为音响提供更好的效果，而且加工方便、生产效率高，可以批量生产。
蚀刻网罩

[发明专利]含有用于选择器元件的双蚀刻停止层的存储器设备及其制造方法-CN202080080014.2在审
发明人： J·里尔;K·帕特尔 -专利权人：桑迪士克科技有限责任公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：可以在电极层和选择器材料层上方按顺序形成含难熔金属的蚀刻停止层、钌蚀刻停止层和导电材料层。可以采用一系列各向异性蚀刻工艺以：相对于钌蚀刻停止层具有选择性地蚀刻导电材料层，相对于含难熔金属的蚀刻停止层具有选择性地蚀刻钌蚀刻停止层，并在最小过度蚀刻范围内将含难熔金属的蚀刻停止层蚀刻到电极层中。随后可以在不暴露于蚀刻剂气体的等离子体的情况下对选择器材料层进行各向异性蚀刻，以蚀刻可能包括会损坏选择器材料的含氟等离子体的含难熔金属的蚀刻停止层和导电材料层。
含有用于选择器元件蚀刻停止存储器设备及其制造方法

[发明专利]金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机-CN201010575610.6有效
发明人：王静文;贺成明 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2010-12-02 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开一种金属蚀刻终点侦测方法及金属蚀刻终点侦测机。金属蚀刻终点侦测方法包含：对金属膜进行扫描，以获取扫描区域中，透光面积占扫描区域的比例；判断透光面积占扫描区域的比例是否达到预定比例；当达到预定比例时，确定当前对金属膜已蚀刻的时间为蚀刻终点时间。金属蚀刻终点侦测机具有获取模块、判断模块及确定模块。获取模块用于对金属膜进行扫描，以获取扫描区域中，透光面积占扫描区域的比例。判断模块用于判断透光面积占扫描区域的比例是否达到预定比例。确定模块用于在判断模块判定透光面积占扫描区域的比例达到预定比例时，确定当前对金属膜已蚀刻的时间为蚀刻终点时间。本发明能精确判定金属膜的蚀刻终点时间。
金属蚀刻终点侦测方法

[发明专利]一种微型发光芯片及其制作方法-CN202210376529.8在审
发明人：王涛;柴圆圆;朱小松;张偲;谷鹏军 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：外延层包括第一半导体层，第二半导体层以及位于第一半导体层和第二半导体层之间的有源层；还包括分别设于第一半导体层和第二半导体上第一欧姆接触层和第二欧姆接触层；分别设于第一欧姆接触层和第二欧姆接触层的第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层，第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层具有抗蚀刻特性；以及分别设于第一金属蚀刻阻挡层和第二金属蚀刻阻挡层之上的第一电极和第二电极。通过金属蚀刻阻挡层的阻挡作用，使得欧姆接触层及金属蚀刻阻挡层不会被蚀刻，金属与半导体层之间的欧姆接触良好，提高了芯片的发光效率。
一种微型发光芯片及其制作方法

[发明专利]TFT基板组及其制作方法-CN201510293572.8有效
发明人：孙晓博;阙祥灯 -专利权人：深圳市华星光电技术有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的TFT基板组包括数个TFT基板及将数个TFT基板间隔开的间隔区域，所述TFT基板上设有金属电极，所述间隔区域内设有与所述金属电极相间隔的金属图案，通过在间隔区域内保留一定比例的金属图案，减少了蚀刻的面积，并改善了金属电极边缘蚀刻不尽的问题，同时降低蚀刻中所产生的铜离子的浓度，进而可以节省蚀刻液的用量，降低生产成本，并提高产品质量。本发明的TFT基板组的制作方法，通过采用一具有图案的遮光带，与光罩结合使用，对金属层进行曝光、显影、蚀刻，在间隔区域内保留与金属电极相间隔的金属图案，可以减少蚀刻制程中对金属层的蚀刻量，从而减少对蚀刻液的消耗，提高蚀刻效率，降低蚀刻不尽的风险。
tft 基板组及其制作方法

[发明专利]用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物及其用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法-CN201410321867.7在审
发明人：罗致远;吴光耀;黄若涵;廖怡颖;卢厚德 -专利权人：达兴材料股份有限公司
申请日： 2014-07-08 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻剂组合物，其包含过氧化氢及一种有机酸组分；该有机酸组分包含丁二酸及乙酸；其中，丁二酸与乙酸的重量比例范围为1：1.2～1：3。该金属蚀刻剂组合物在进行含有铜与钼的多层金属蚀刻时，能得到具有良好配线形状与均匀性的金属层，并有效避免底切现象产生。本发明还提供一种用于蚀刻铜与钼的金属蚀刻方法，其包括将如上所述的金属蚀刻剂组合物与一种多层金属薄膜接触，使该多层金属薄膜产生蚀刻，其中，该多层金属薄膜包括一个钼层及一个堆叠于该钼层上的铜层。
用于蚀刻金属组合及其方法

[发明专利]落在金属层上方的金属氧化物蚀刻停止层上的干法蚀刻工艺以及由此形成的结构-CN201980015406.8在审
发明人： S·梅耶;M·H·恩泽伯格海姆;R·波尔特 -专利权人：德克萨斯仪器股份有限公司
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2020-10-09 - 主分类号： H01L21/46 文献下载
摘要：本申请公开一种微电子器件(300)，其包括在第一介电层(302)上的金属层(304)。蚀刻停止层(306)设置在金属层(304)上方并且在与金属层(304)直接相邻的第一介电层(302)上。蚀刻停止层(306)包括金属氧化物，并且厚度小于10纳米。第二介电层(308)设置在蚀刻停止层(306)上方。从向下延伸至蚀刻停止层(306)的蚀刻区域(310)去除第二介电层(308)。蚀刻区域(310)至少部分地在金属层(304)上方延伸。在微电子器件(300)的一种版本中，蚀刻停止层(306)可以在蚀刻区域(310)中在金属层(304)上方延伸。在另一种版本中，蚀刻停止层(306)可以在蚀刻区域(310)中去除。通过使用等离子体蚀刻工艺蚀刻第二介电层(308)，并停止在蚀刻停止层(306)上，形成微电子器件(300)。
落在金属上方氧化物蚀刻停止工艺以及由此形成结构

[发明专利]修整金属表面的方法-CN202080040375.4在审
发明人：克里斯托夫·J·卡特 -专利权人： 3M创新有限公司
申请日： 2020-05-27 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：一种修整金属表面的方法，该方法包括以下步骤：将掩模层设置在基底的初始金属表面上；用蚀刻剂蚀刻初始金属表面的至少一部分以提供经蚀刻的表面，并且将蚀刻剂与经蚀刻的表面分离。经蚀刻的表面比初始金属表面光滑。基于深度：蚀刻剂以基本上相同的速率蚀刻掩模层的所述至少一部分和初始金属表面的所述至少一部分；以及/或者蚀刻剂渗透掩模层的所述至少一部分并且以基本上相同的速率蚀刻初始金属表面的所述至少一部分。
修整金属表面方法

[发明专利]凹部蚀刻液、凹部蚀刻方法及表面处理过的半导体基板的制造方法-CN202180081678.5在审
发明人：冈部哲;尾家俊行;安谷屋智幸;本望圭纮;陈重伊;王舶纮 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23F1/28 文献下载
摘要：本发明涉及，在半导体基板的制造工艺中，用于对金属布线实施凹部蚀刻的凹部蚀刻液及使用它的凹部蚀刻方法。本发明的凹部蚀刻液用于对含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内，所述凹部蚀刻液包含：(A)有机酸；(B)含氮杂环式化合物及(C)有机溶剂中的任一者或二者；和(D另外，本发明的凹部蚀刻方法包括：凹部蚀刻工序，其使前述凹部蚀刻液与含钴金属层的表面接触，从而对前述含钴金属层的表面实施凹部蚀刻，所述含钴金属层埋入在半导体基板上形成的通孔或沟槽内。
蚀刻方法表面处理半导体制造

[发明专利]一种新型的金属蚀刻方法-CN200810173215.8无效
发明人：曾令旭;余旭浒;李秋德 -专利权人：和舰科技(苏州)有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及一种新型的金属蚀刻方法，该方法包含如下步骤：提供一个基板，并在该基板上沉积一层金属层，再沉积一层硬式掩膜层，在该硬式掩膜层上方再沉积一层光阻物质；先用曝光蚀刻部分光阻物质，得到线宽；对上述硬式掩膜层进行蚀刻，将未蚀刻的部分光阻物质作为阻挡层，仅蚀刻去除已蚀刻部分光阻物质后暴露的硬式掩膜层；将残留光阻和硬式掩膜层作为金属蚀刻的阻挡层，直接对金属层进行蚀刻。采用本发明方法，既可简化制程，又可以很好的控制蚀刻后的线宽和轮廓，而且在蚀刻过程中残留光阻在金属侧壁反映生成聚合物起到保护金属侧壁的作用。
一种新型金属蚀刻方法

[发明专利]一种自对准金属硅化物制造方法-CN201010123589.6无效
发明人：李芳;冉琦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-03-12 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的自对准金属硅化物制造方法中使用硫酸和双氧水混合液作为蚀刻液来代替现有技术中的王水蚀刻液，通过控制硝酸和双氧水的比例及其温度以及控制蚀刻时间，可达到对反应生成的金属硅化物具有很好的选择比，且可完全蚀刻掉未反应的剩余的金属层和其上的阻挡层的蚀刻效果特别是在所述金属层为合金金属层的情况下，对于合金中较难蚀刻掉的金属也能够达到很好的蚀刻效果。
一种对准金属硅制造方法

[发明专利]金属氮化物膜蚀刻组合物及利用其的蚀刻方法-CN202210578744.6在审
发明人：朴贤雨;南硕泫;李明镐;宋明根 -专利权人：易安爱富科技有限公司
申请日： 2022-05-25 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： C09K13/10 文献下载
摘要：本发明提供金属氮化物膜蚀刻组合物及利用其的金属氮化物膜蚀刻方法，更详细而言，本发明提供选择性地蚀刻金属氮化物膜的金属氮化物膜蚀刻组合物、利用其的金属氮化物膜的蚀刻方法、以及包括利用其而进行的工序的微电子器件的制造方法
金属氮化物蚀刻组合利用方法