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[发明专利]一种氮化硅粉体的合成方法-CN202310049031.5有效
发明人：王斌;葛荘;丁颖颖;崔梦德;余祖森 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01B21/068 文献下载
摘要：本发明涉及氮化硅粉体技术领域，具体为一种氮化硅粉体的合成方法；本发明所提供的氮化硅合成工艺首先使用了球磨处理，降低原料的粒径，去除表面氧化层，加速氮气的渗入速率，加速氮化反应，之后使用金属催化剂与熔融盐，在高温下吸附在硅粉表面，加速氮气的吸附，进一步地提高氮化速率，且本发明所使用的金属催化剂与熔融盐，均可溶于浓度为20‑30wt％的硝酸溶液，进一步地去除了杂质元素；之后本申请进一步地在其表面接枝氨基活性基团，生成活性自由基，从而接枝甲基丙烯酸甲酯，增加氮化硅的分散性能。
一种氮化硅粉体合成方法

[发明专利]一种用于银烧结的复合焊片结构及其制备方法-CN202211735959.0有效
发明人：王斌;欧阳鹏;朱凯;张进;葛荘 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-12-31 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L23/492 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于银烧结的复合焊片结构及制备方法，涉及半导体制备技术领域，旨在解决目前纳米银浆制备成本高，可靠性低的问题，其技术方案要点是：一种用于银烧结的复合焊片结构，包括自上而下依次设置的银盐复合膜层、银箔层、银盐复合膜层。本发明的一种用于银烧结的复合焊片结构及制备方法，制备成本低，能够提高Ag连接的可靠性。
一种用于烧结复合结构及其制备方法

[发明专利]一种砂磨机与球磨机联用制备陶瓷浆料的方法-CN202210807940.6有效
发明人：王斌;贺贤汉;葛荘;崔梦德;王榕;张进 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-11 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明公开一种砂磨机与球磨机联用制备陶瓷浆料的方法。将干燥的陶瓷粉体和烧结助剂与单一有机溶剂混合加入砂磨机研磨；研磨的同时进行胶体预溶，节省了时间；研磨结束后，将陶瓷浆料脱泡到所需固含量；再根据固含量将所需的陶瓷浆料送入球磨罐中，加入预溶的胶体、塑化剂和溶剂放入球磨机中球磨。这样联用砂磨机和球磨机一起制备陶瓷浆料，不再受限于浆料粘度，适用范围广；能够将制备时间缩短30％以上，得到的陶瓷浆料窄的粒度范围、D50可达到200nm左右，大大提高了效率，同时制得的陶瓷浆料更加均匀；通过在特定的真空环境下脱泡来代替干燥后破碎，能有效避免杂质的引入。
一种砂磨球磨机联用制备陶瓷浆料方法

[发明专利]一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法-CN202310103071.3有效
发明人：欧阳鹏;王斌;丁慕禹;韩正尧;葛荘 -专利权人：江苏富乐华半导体科技股份有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C23F1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法，涉及陶瓷基板制备领域，旨在解决基板图形容易绝缘失效的问题，其技术方案是：步骤一，图形制备：制备蚀刻图形，取氮化铝覆铝母板基板显影得到需要蚀刻的图形边缘间隙；步骤二，超声空化蚀刻：置于超声振动条件下的酸性蚀刻液中进行浸泡式蚀刻，蚀刻后形成图形边缘间隙；步骤三，图形油墨包边印刷：图形印刷，将感光油墨按照图形网框图形对位印刷到基板上；步骤四，水平蚀刻：取步骤三基板，置于水平蚀刻线下进行酸性刻蚀液蚀刻至陶瓷基底，完成图形精密蚀刻。本发明的一种高精度氮化铝覆铝基板的蚀刻方法能够获得高蚀刻因子，平滑的蚀刻图形轮廓。
一种高精度氮化铝覆铝基板蚀刻方法

[发明专利]一种基于DPC工艺的电子烟加热片及其制备方法-CN202211030344.8有效
发明人：王斌;贺贤汉;余祖森;葛荘;孙泉 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-08-26 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： A24F40/46 文献下载
摘要：本发明提供一种基于DPC工艺的电子烟加热片及其制备方法，通过引入DPC工艺中的磁控溅射、采用激光调阻法及自制保护膜，有效解决现有的电子烟加热片中加热膜层厚度不均、印刷线路不够精细等问题，从而解决了加热片发热不均匀的问题；在自制保护膜的制备中，苯甲酰甲酸甲酯为引发剂，二缩三丙二醇二丙烯酸酯为稀释剂，酚醛环氧树脂与脂肪族聚氨酯丙烯酸酯为预聚物，光伏晶硅废料为填料，制备一种耐高温易剥离的保护膜，大幅提升保护膜与铜面的结合力，同时兼具易剥离效果，得到高精度的电镀尺寸；在预聚物中加入酸酐修饰的壳聚糖；用光伏晶硅废料为原料，变废为宝，添加高导热氮化硼，通过冰模板法、高温烧结的方法构建三维的网络骨架，得到填料。
一种基于 dpc 工艺电子加热及其制备方法

[发明专利]一种氮化硅生坯的干燥方法-CN202310589263.X在审
发明人：王斌;葛荘;丁闯;丁颖颖;何竟宇 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： F26B3/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅生坯的干燥方法，涉及氮化硅制备领域，旨在解决干燥质量不高的问题，其技术方案要点：测量初始高度H1，升温速率V1升温，固定时间t，测量生坯高度，数据为H2、H3、H4、…、Hn，生坯高度变化率K1＝(H2‑H1)/t；K2＝(H3‑H2)/t；K3＝(H4‑H3)/t；Kn‑1＝(Hn‑Hn‑1)/t；当Kn‑1＞Kn时，用时T＝nt；升温速率V2升温，记录生坯变化值，生坯在固定时间t内不发生变化，维持温度保温，半小时取出，多次实验，取均值后获得干燥曲线，同批次的生坯采用干燥曲线干燥。本发明的干燥方法能够准确获得干燥温度曲线，干燥效果好，效率高。
一种氮化生坯干燥方法

[发明专利]双面覆接金属的陶瓷基板及其制备方法-CN202210052397.3在审
发明人：周轶靓;贺贤汉;吴承侃;陈天华;葛荘 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种双面覆接金属的陶瓷基板及其制备方法，该陶瓷基板包括陶瓷片以及分别设置在该陶瓷片正面及背面的正面金属层和背面金属层。正面金属层蚀刻有蚀刻槽和正面图形区；背面金属层蚀刻有半蚀刻槽以及背面图形区，半蚀刻槽形状为蜂窝状或网格状，所述半蚀刻槽面积占整个金属面的比例为5％‑40％，深度为金属面的40％‑70％，蚀刻槽的宽度为0.4mm‑5mm。制备方法包括陶瓷片覆接金属，表面除油剂微蚀刻处理，贴膜、曝光、显影，以及金属层及焊料层蚀刻。贴膜、曝光、显影中，将有机干膜双面贴在覆铜板上，使用精细化斑点图形设计的菲林进行对位曝光从而在正面曝光出产品图形，在背面曝光出功能性半蚀刻槽，曝光后显影实现半蚀刻槽一次制备。
双面金属陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种电子陶瓷浆料流延用PET膜带清洗方法-CN202210882281.2有效
发明人：葛荘;贺贤汉;王斌;崔梦德;何竟宇;张进 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B08B5/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种电子陶瓷浆料流延用PET膜带清洗方法，包括以下步骤：步骤一：设置清洗单元；步骤二：吸尘区；步骤三：超声清洗区；步骤四：海绵辊吸附区；步骤五：干燥区；步骤六：吹气处理区。本发明采用改性清洗液对膜带清洗时，膜带改性剂对膜带有轻微的清洗作用，并可与膜带的改性层键合降低膜带剥离力，乙醇可增加清洗液的清洗作用，二甲基硅油可增加改性剂的涂覆均匀性，六偏磷酸钠和硅烷偶联剂对膜带的清洗效果更好，本发明不仅可以实现对PET膜带进行清洗，也可对PET膜带表面进行改性，可降低PET膜带的表面张力，提高原PET膜带的质量；本发明简单易行，将间接显著提高坯体质量并降低电子陶瓷生产加工过程中的材料成本。
一种电子陶瓷浆料流延用 pet 清洗方法

[发明专利]一种用激光粒度仪测试有机粉体/浆料的方法-CN202310290188.7有效
发明人：葛荘;王斌;沈嘉伟;余祖森;丁颖颖 -专利权人：四川富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用激光粒度仪测试有机粉体/浆料的方法，涉及有机粉体/浆料测试领域，旨在解决超声过程中容易产生气泡的问题，其技术方案要点是：包括以下步骤：第一步：取用适量的酒精，将其置于真空脱泡机中进行真空脱泡；第二步：向经过脱泡处理的酒精中加入有机消泡剂；第三步：将加入消泡剂的酒精置于超声波均质器中，将超声波均质器功率调至与激光粒度仪一致，开启超声后，观察状态，待没有气泡产生后，关闭超声均质器，取出酒精备用；第四步：将酒精加入到有机粉体或浆料中，设置好激光粒度仪的测试参数，开启其内置超声后进行测试。本发明的用激光粒度仪测试有机粉体/浆料的方法不会产生气泡，也不会有二次团聚现象发生。
一种激光粒度测试有机浆料方法

[发明专利]一种检测陶瓷覆铝基板剥离强度的方法-CN202211727274.1在审
发明人：吴承侃;周轶靓;王斌;欧阳鹏;葛荘 -专利权人：上海富乐华半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G01N19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种检测陶瓷覆铝基板剥离强度的方法，包括如下步骤：S1，制备标准的5～10mm宽度的测试图样；S2，在背面距顶部15～20mm处沿短方向切割，形成长端侧和短端侧；S3，将铝层朝内，短端侧沿切割线弯曲90°，用胶粘剂将剩余的长端侧部分的陶瓷面与硬板粘结；S4，参照标准90°剥离强度测试方法，使用90°剥离试验机，将夹头直接夹住短端侧头端，以一定速度垂直提拉，记录至少100mm剥离长度内剥离力的最大值与最小值，并计算相应的剥离强度值。本发明在原有剥离强度测试方法的基础上加以改进，消除了金属铝瞬时断裂、变形等不良情况并且省去了传统剥离强度测试方法中使用刀刃铣削底部图形的过程，能够准确的测得陶瓷覆铝基板的剥离强度。
一种检测陶瓷覆铝基板剥离强度方法

[发明专利]一种氮化硼印刷浆料的制备方法-CN202310353040.3在审
发明人：王斌;石亮;葛荘;丁颖颖;丁闯 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2023-04-04 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C04B35/645 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硼印刷浆料的制备方法，其技术方案要点是S1）粉体磨细：将氮化硼粉、有机溶剂依次加入真空球磨机中；S2）粉体烘干；S3）有机载体配置：将有机溶剂、粘结剂、塑化剂、分散剂、流平剂按照一定比例加热混合，同时搅拌；S4）制浆预混：将烘干好的氮化硼粉、有机溶剂、有机载体、分散剂、流平剂加入真空球磨罐中；S5）三辊研磨：将球磨预混后的浆料，用三辊研磨机研磨，研磨次数1~3遍；S6）离心脱泡：使用离心脱泡机进行脱泡；S7）生坯印刷：将浆料使用丝网印刷机在生坯上印刷。本发明的一种氮化硼印刷浆料的制备方法用印刷的方式在生坯上进行涂覆能够很好的解决水解氧化及涂覆量的问题。
一种氮化印刷浆料制备方法

[发明专利]一种氮化硅陶瓷晶粒的量化评估测试方法-CN202211547387.3在审
发明人：葛荘;贺贤汉;张家涵;王斌;丁颖颖;孙泉;孙日升;周建华 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G01B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及量化评估测试领域，具体为一种氮化硅陶瓷晶粒的量化评估测试方法。本发明基于氮化硅陶瓷合成理论，在烧结过程中，助剂会和氮化硅颗粒上的氧化硅以及氮化硅发生共熔反应，从而生成液相；极细的氮化硅颗粒会溶解在液相中，而较大的氮化硅颗粒则会发生重排。重排后，α相晶粒先通过液相传质形成β相晶粒，再经过固相烧结膨胀成六棱柱晶粒。本发明考虑到三维长径比K的计算在二维截面中晶粒取向是随机的，因此从统计学角度出发增加样本数量，使得二维晶粒的截面尺寸和长度方向尺寸统计学上的比值与三维晶粒截面尺寸及长度的比值趋于一致。由于本方法不仅能有效指导氮化硅陶瓷工艺改良，而且测试成本低廉，适用于大范围推广。
一种氮化陶瓷晶粒量化评估测试方法

[实用新型]一种用于陶瓷浆料凝胶成型的流延机-CN202221533962.X有效
发明人：王榕;贺贤汉;葛荘;王斌;沈嘉伟;张进 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： B28B1/29 文献下载
摘要：本实用新型提供一种用于陶瓷浆料凝胶成型的流延机，涉及陶瓷浆料凝胶成型领域。该用于陶瓷浆料凝胶成型的流延机，包括下底板，所述下底板内部设有上盖板，所述下底板与上盖板之间设有调节组件，所述上盖板一端固定连接有料盒，所述料盒一端出口与上盖板和下底板之间的间隙相通，该用于陶瓷浆料凝胶成型的流延机，电机带动收卷辊进行转动，从而使收卷辊将膜带进行收卷，从而带动膜带上的浆料在膜带上部被带动进入下底板和上盖板之间，并且在上盖板靠近料盒一端设置有刮板，通过刮板对浆料进行刮平，通过上盖板和膜带将浆料上下空气进行隔绝，待流延完成后，通过启动加热装置，通过加热丝与外部电源进行连接，对其进行加热成型。
一种用于陶瓷浆料凝胶成型流延机

[发明专利]一种硅片流延浆料及硅片成型方法-CN202211630441.0有效
发明人：葛荘;贺贤汉;王斌;崔梦德;何竟宇;丁颖颖 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： C04B35/591 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅片流延浆料及硅片成型方法，涉及半导体材料制备领域，旨在解决目前的浆料制备不环保的问题，包括溶剂：质量份数为30‑60份；硅片粉体：质量份数为30‑55份；分散剂：质量份数为0.5‑2份；粘结剂：质量份数为3‑10份；塑化剂：质量份数为3‑10份；烧结助剂：由氧化钇、氧化镁、氧化锆、氧化钛混合而成，其中质量份数分别为氧化钇2‑5份、氧化镁1‑3份、氧化锆1‑3份、氧化钛0.1‑0.25份；其中，每份溶剂由质量百分数40%‑48%异丙醇、2%‑5%乳酸乙酯、0.5%‑1%二氧基二甲醚醋酸酯、10%‑20%乙酸乙酯，余量为乙酸丁酯组成。本发明的一种硅片流延浆料及硅片成型方法能够制备高质量的陶瓷胚体且无毒，对环境无危害。
一种硅片浆料成型方法

[实用新型]一种流延生坯排胶前的预压装置-CN202222637829.5有效
发明人：沈嘉伟;贺贤汉;葛荘;何竟宇;崔梦德;丁颖颖 -专利权人：江苏富乐华功率半导体研究院有限公司
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B28B3/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种流延生坯排胶前的预压装置，包括底座，所述底座的中间位置开设有矩形槽且所述矩形槽的内部设置有传输带，所述底座上端面的一侧位置连接固定有预压装配架，所述预压装配架上端的中间位置设置有安装有液压杆，且所述液压杆穿过预压装配架与预压结构相固定，所述预压结构的下端设置有主动辊，所述主动辊经由传动链条与从动辊相连接，且所述主动辊位于传输带的正上方，在预压装配架的上侧设置有液压杆，通过液压杆带动预压结构向下侧移动，而驱动电机转动主动辊进行旋转，进而主动辊带动从动辊进行旋转，进而使得位于传输带上的流延生坯与从动辊以及主动辊接触，进而可以达到压制流延生坯的目的。
一种生坯排胶前预压装置

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