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[发明专利]搜寻方法及搜寻系统-CN201811417033.0在审
发明人：陈振兴;林俊鸿;尹燕越 -专利权人：英业达科技有限公司;英业达股份有限公司
申请日： 2018-11-26 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G06F16/248 文献下载
摘要：本发明公开一种搜寻方法，其包含下列操作：接收搜寻关键字，根据搜寻关键字产生复数个第一图形化节点；根据选取的第一图形化节点中的至少一个以推荐复数个第二图形化节点；以及根据选取第一图形化节点中的至少一个及选取的第二图形化节点中的至少一个，以推荐目标图形化节点。
搜寻方法系统

[发明专利]一种太阳能电池电极及其制备方法-CN202010778552.0在审
发明人：单伶宝 -专利权人：晶电科技（苏州）有限公司;单伶宝
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池电极及其制备方法，第一，在基底的正面和反面，均制备导电薄膜层；第二，在两个导电薄膜层上的部分区域均制备图形化掩膜；第三，对第二步骤中的组合体上覆盖一层不导电的保护层；第四，去除图形化掩膜及覆盖于图形化掩膜上的保护层，并在图形化掩膜的位置制备金属导电层；以及利用此方法进行太阳能电池电极的制备。
一种太阳能电池电极及其制备方法

[实用新型]一种太阳能电池电极-CN202021609426.4有效
发明人：单伶宝 -专利权人：晶电科技（苏州）有限公司;单伶宝
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能电池电极，第一，在基底的正面和反面，均制备导电薄膜层；第二，在两个导电薄膜层上的部分区域均制备图形化掩膜；第三，对第二步骤中的组合体上覆盖一层不导电的保护层；第四，去除图形化掩膜及覆盖于图形化掩膜上的保护层，并在图形化掩膜的位置制备金属导电层；以及利用此方法进行太阳能电池电极的制备。
一种太阳能电池电极

[发明专利]一种光刻掩膜版及其制备方法-CN201811567935.2在审
发明人：王峰 -专利权人：苏州瑞而美光电科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻掩膜版，包括透明基板，所述透明基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面形成有掩膜接触面图形化结构，所述掩膜接触面图形化结构包括多个凹沟道，所述凹沟道内形成有金属掩膜层。通过在基板面的表面根据掩膜的需求制作图形化凹沟道，在凹沟道内填充金属掩膜层，填充厚度与凹沟道深度一致，从而使基板面和金属掩膜层面处于同一平面，再用电化学抛光的方式去除剥离留下来的毛刺，大大提高了掩膜版接触面的表面平整度
凹沟道掩膜光刻掩膜版接触面图形第一表面透明基板毛刺表面平整度金属掩膜层第二表面金属掩膜填充金属用电化学抛光基板面图形化掩膜版掩膜层基板去除制备填充剥离制作

[发明专利]宽带高透过非对称超材料偏振调控器及其制造方法-CN202010971399.3有效
发明人：杜庆国;田宇;陈志伟;李政颖;任芳芳 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种宽带高透过非对称超材料偏振调控器，所述偏振调控器包括采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构底层、在图形化的金属微纳结构底层顶面采用电子束蒸发沉积制备的绝缘介质层、在绝缘介质层顶面采用电子束蒸发沉积及电子束刻蚀工艺制备的图形化的金属微纳结构顶层
宽带透过对称材料偏振调控及其制造方法

[实用新型]一种光刻掩膜版-CN201822152257.5有效
发明人：王峰 -专利权人：苏州瑞而美光电科技有限公司
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2019-06-28 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光刻掩膜版，包括透明基板，所述透明基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面形成有掩膜接触面图形化结构，所述掩膜接触面图形化结构包括多个凹沟道，所述凹沟道内形成有金属掩膜层。通过在基板面的表面根据掩膜的需求制作图形化凹沟道，在凹沟道内填充金属掩膜层，填充厚度与凹沟道深度一致，从而使基板面和金属掩膜层面处于同一平面，再用电化学抛光的方式去除剥离留下来的毛刺，大大提高了掩膜版接触面的表面平整度
凹沟道掩膜接触面图形第一表面透明基板毛刺表面平整度光刻掩膜版金属掩膜层第二表面光刻掩膜金属掩膜填充金属用电化学抛光基板面图形化掩膜版掩膜层基板去除填充剥离制作

[实用新型]一种有机发光显示基板及显示装置-CN201921567849.1有效
发明人：徐海龙 -专利权人：合肥视涯显示科技有限公司
申请日： 2019-09-20 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种有机发光显示基板及显示装置，包括：衬底基板，所述衬底基板包括功能侧面；设置在所述衬底基板功能侧面一侧的反射电极；设置在所述反射电极相对所述衬底基板一侧的图形化结构层；设置在所述图形化结构层相对所述反射电极一侧的发光功能层本实用新型提供的有机发光显示面板及显示装置，采用白色有机发光层配合色阻层实现硅基OLED的彩色化，通过在阳极结构中制作图形化结构，使得光线在此结构上多次散射改变全反射出射角，改变全反射光的出射角，增加光线取出率，并且通过增加图形化结构增加发光区与反射金属间的距离，减少发光偶极子被金属层淬灭引起的能量损耗，有效提高器件亮度和效率。
一种有机发光显示显示装置

[发明专利]通孔刻蚀方法以及金属互连结构的制作方法-CN202211147073.4有效
发明人：庄琼阳;曾凡维;陈献龙 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种通孔刻蚀方法和金属互连结构的制作方法，通孔刻蚀方法包括：提供一晶圆，晶圆包括衬底和位于衬底上的金属间介质层；通过物理气相沉积工艺沉积硬掩膜层，包括：通入气体组合物，于金属间介质层之上形成硬掩膜层；形成图形化的硬掩膜层，图形化的硬掩膜层中界定出通孔图形；基于图形化的硬掩膜层选择性刻蚀金属间介质层以形成贯穿金属间介质层的通孔，其中调节反应气体与工作气体的气体流量比来改变硬掩膜材料的刻蚀选择比。本发明通过调节反应气体与工作气体的流量比优化硬掩膜层的组成分布和致密均匀性，改善了硬掩膜层各处的刻蚀选择比差异；基于刻蚀剖面改善的通孔形成金属互连结构，降低短接风险。
刻蚀方法以及金属互连结构制作方法

[发明专利]晶圆控片及其形成方法-CN201110379655.0有效
发明人：陈蕾;鲍晔;胡林;周孟兴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2011-11-24 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种晶圆控片及其形成方法，晶圆控片的形成方法，包括：提供晶圆；图形化所述晶圆，在所述晶圆形成图形，所述图形底部暴露出晶圆；形成透明保护层，覆盖图形化后的晶圆。透明保护层可以起到保护下层的图形化晶圆的作用，防止图形化晶圆的图形发生变化，而且由于是透明保护层，不会造成图形化晶圆的图形不清楚。
晶圆控片及其形成方法

[发明专利]一种薄膜支撑梁的制作方法-CN201410007410.9有效
发明人：荆二荣 -专利权人：无锡华润上华半导体有限公司
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜支撑梁的制作方法，首先完成牺牲层的制作并图形化，之后在牺牲层表面淀积制备介质膜层和金属膜层，图形化金属膜层，在介质膜层和金属膜层上光刻并刻蚀出支撑梁图形，然后仅需要去除牺牲层即可得到薄膜支撑梁结构
一种薄膜支撑制作方法

[发明专利]电阻结构及其形成方法-CN201410084279.6有效
发明人：黎坡 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种电阻结构及其形成方法，所述电阻结构的形成方法包括：提供基底，包括金属互连结构和包围所述金属互连结构的介质层；在所述第一金属插塞、第二金属插塞和介质层表面形成第一金属层和位于所述第一金属层表面的绝缘材料层；对所述绝缘材料层进行图形化，形成第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一绝缘层和第二绝缘层之间断开；在所述第一金属层、第一绝缘层和第二绝缘层上形成第二金属层；在所述第二金属层上形成图形化掩膜层；以所述图形化掩膜层为掩膜，刻蚀第二金属层、第一金属层，在第一区域形成电容，同时在第二区域形成金属电阻。上述方法可以减少形成金属电阻的工艺步骤，减低工艺成本。
电阻结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法-CN202010062288.0有效
发明人：特洛伊·乔纳森·贝克;王颖慧;罗晓菊;武泽成 -专利权人：镓特半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2020-01-19 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体结构、自支撑氮化镓层及其制备方法；包括如下步骤：提供衬底；于衬底上形成多层图形化掩膜层；多层图形化掩膜层包括上下叠置的第一图形化掩膜层及第二图形化掩膜层，第一图形化掩膜层与第二图形化掩膜层具有不同的热膨胀系数上述实施例中的半导体结构的制备方法通过制备包括不同热膨胀系数的图形化掩膜层的多层图形化掩膜层，利用各层图形化掩膜层热膨胀系数的不同，可以逐渐缓解整个多层图形化掩膜层与在其上外延的氮化镓层的热膨胀系数差异
半导体结构支撑氮化及其制备方法

[发明专利]一种二阶阶梯槽底部图形化印制板及其加工方法-CN201110314227.X有效
发明人：杨泽华;任代学;关志峰 -专利权人：广州杰赛科技股份有限公司
申请日： 2011-10-17 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明涉及印制电路板技术领域，尤涉及一种二阶阶梯槽底部图形化印制板的加工方法包括以下步骤：预处理预留有插件孔的第一子板、设有线路图形的第二子板、设有线路图形的第三子板；压合所述第一子板、第二子板，得到第一母板；将所述第一母板经过去应力、钻孔、沉铜、内层图形转移、镀抗蚀刻金属保护层处理，得到第二母板；压合所述第三子板、第二母板，得到第三母板；将所述第三母板经过去应力、钻孔、沉铜、外层图形转移，得到成品二阶阶梯槽底部图形化印制板该二阶阶梯槽底部图形化印制板加工方法加工的二阶阶梯槽底部图形化印制板的每个阶梯都可以布线与安装插件，扩展了板件的使用范围。本发明还涉及一种二阶阶梯槽底部图形化印制板。
一种阶梯底部图形印制板及其加工方法

[发明专利]一种基于选择性静电掺杂石墨烯的可动态调控太赫兹环偶极子超材料器件及其制备方法-CN201910833248.9有效
发明人：贺训军;姚远;田玲;杨玉强;杨文龙;姜久兴 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2019-09-04 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N60/00 文献下载
摘要：器件：包括带有二氧化硅层的低掺杂高阻硅衬底，周期性排列的单元结构，以及与周期性排列的单元结构并列且总厚度相同的第一金属栅电极和第二金属栅电极。方法：硅片预处理；制备图形化石墨烯；制备图形化金属；制备电极；制备聚酰亚胺层；制备图形化石墨烯和图形化金属。本发明器件结构及工艺简单，应用条件简便、所需能量低，易于控制，工作模式可自由切换。
一种基于选择性静电掺杂石墨动态调控赫兹偶极子材料器件及其制备方法

[发明专利]一种后段金属线的图形化方法-CN202111208174.3在审
发明人：刘洋;耿金鹏;杨渝书 -专利权人：上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2021-10-18 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：一种后段金属线的图形化方法，图形化硬掩膜薄膜堆叠结构，所述第一道图形CA，在第一道图形CA沟道下的第二薄膜层上形成第一道图形的阻断BA；沉积和刻蚀第四薄膜层，在第一道图形CA的侧壁和阻断沟道中形成隔绝；以第四薄膜层和第三薄膜层作为硬掩模刻蚀第二薄膜层，并停在第一薄膜层上；图形化第二道图形的阻断BB，打开第三薄膜层，并在第三薄膜层注入硼离子；洗去未注入硼离子区域的A‑Si材料；利用第一道图形CA的侧壁和注入硼离子的第三薄膜层作为硬掩模，图形化第二道图形CB，刻开第二薄膜层，停在第一薄膜层上；将第二薄膜层上形成的图形转移到第一薄膜层上作为第一道图形CA和第二道图形CB的沟道刻蚀的硬掩模。
一种后段金属线图形方法