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[实用新型]具有氧氮化物荧光粉发光层的白光LED平面光源-CN201120509470.2有效
发明人：李会利;王晓君;孙卓;张哲娟 -专利权人：苏州晶能科技有限公司;华东师范大学
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本实用新型属于LED技术领域，具体地说是一种具有氧氮化物荧光粉发光层的白光LED平面光源，其特征在于：在金属基板的凹槽两端设挡胶条，在挡胶条内的金属基板凹槽的上表面覆设图形化的电路层，在图形化的电路层的镂空处设有高反射率绝缘层，在高反射率绝缘层的表面按电路布局设有若干发光芯片，图形化的电路层和发光芯片之间采用金线电极联接，在金属基板的凹槽内设氧氮化物荧光粉发光层包覆住图形化的电路层和发光芯片。
有氧氮化物荧光粉发光白光 led 平面光源

[发明专利]增大硅片单位面积金属－电介质－金属电容容量的方法-CN200410015767.8无效
发明人：肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2004-01-13 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种增大硅片单位面积金属－电介质－金属电容容量的方法，利用本方法可增大硅片单位面积的电容容量。其技术方案是：完成层间膜平坦化，通孔或接触孔光刻/刻蚀/接触用金属淀积/金属CMP或反刻，然后通过光刻，刻蚀在制作电容的区域上的层间膜上开出沟槽，之后淀积下部电极，淀积介质膜，淀积上部电极，最后完成上部电极的图形化(光刻/刻蚀)和下部电极的图形化(光刻/刻蚀)。
增大硅片单位面积金属电介质电容容量方法

[发明专利]一种游戏开发展示方法、装置、设备及存储介质-CN201911412045.9在审
发明人：刘继祖;王轶丹;崔宁;熊友军 -专利权人：深圳市优必选科技股份有限公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： A63F13/60 文献下载
摘要：本申请适用于游戏开发技术领域，提供了游戏开发展示方法，包括：获取通过Unity制作的游戏工程，所述游戏工程至少包括一个以上可操控对象；通过图形化编程工具为各个所述可操控对象创建各自对应的图形编程模块，并在图形化编程操作区内对所述图形编程模块进行编程，得到并导出图形化编程工程；将所述游戏工程和所述图形化编程工程按照预设的API接口标准进行API对接，得到整合工程；在前端显示界面展示所述整合工程。通过将图形化编程工具与Unity进行结合，利用图形化编程工具进行编程，通过API对接实现对Unity制作的游戏对象进行控制，不仅保留了图形化编程工具易于编程的特点，而且利用Unity的特性大大丰富和增强了图形化编程工具输出结果的展示效果
一种游戏开发展示方法装置设备存储介质

[发明专利]一种图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法-CN201510257345.X有效
发明人：王志亮;尹海宏;宋长青;史敏 -专利权人：南通大学
申请日： 2015-05-19 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种专门用于原子层化学气相沉积技术的图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，所使用的原料包括三甲基铝、惰性气体、臭氧和片状衬底，所述图形化的氧化铝超薄薄膜的制备方法，利用磁力夹持法将衬底固定于特制的样品托盘上，在衬底上表面覆盖有具有所需图形的金属掩膜版，采用原子层化学气相沉积技术制备得到图形化的氧化铝超薄薄膜。该方法可使氧化铝超薄薄膜免受杂质离子污染，图形边缘清晰，无侧向侵入现象，薄膜不易受损伤，工艺简单。
一种图形氧化铝超薄薄膜制备方法

[发明专利]图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管-CN201810667825.7有效
发明人：高明圆 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-06-26 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种图形化衬底的制作方法、图形化衬底和发光二极管。包括初始阶段：在衬底上形成具有初始形貌的图形化掩膜；形貌形成阶段，通入第一刻蚀气体，在预设的第一刻蚀工艺参数下，形成具有预定形貌的图形化掩膜以及初步图形化衬底；拐角形成抑制阶段：通入第二刻蚀气体，在预设的第二刻蚀工艺参数下，抑制所述具有预定形貌的图形化掩膜拐角的形成，以获得中间图形化衬底；形貌修饰阶段，通入第三刻蚀气体，在预设的第三刻蚀工艺参数下，对中间图形化衬底的侧壁形貌进行修饰，以获得最终图形化衬底。本发明的图案化衬底的制作方法，可以有效缩短工艺制程时间，提高产能。
图形衬底制作方法发光二极管

[发明专利]一种全背接触高效晶硅电池金属图形化制作方法-CN201510597972.8在审
发明人：汪建强;钱峥毅;郑飞;林佳继;张忠卫;石磊 -专利权人：上海神舟新能源发展有限公司
申请日： 2015-09-18 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种全背接触高效晶硅电池金属图形化制作方法，对全背接触晶体硅电池进行背面高温硼扩散形成发射结、背面磷扩散形成背表面场、正面磷扩散前表面场、正面/背面钝化减反射层沉积处理，然后进行电极图形及金属化处理工艺，完成全背接触高效晶硅电池金属图形化的制作。与现有技术相比，本发明在后续金属化中不需要昂贵的光刻设备、PVD或溅射等大型金属沉积设备，且与常规量产丝网印刷设备兼容，大幅度降低全背接触晶体硅电池制备成本。
一种接触高效电池金属图形制作方法

[发明专利]一种基于磁控溅射技术的PCB板线路图层制作方法-CN201610996066.X在审
发明人：李叶飞;柳超;付建云 -专利权人：广东科翔电子科技有限公司
申请日： 2016-11-12 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H05K3/16 文献下载
摘要：本发明提供一种基于磁控溅射技术的PCB板线路图层制作方法，本发明的工艺简单、成本低、图形精度高、同时能满足机械性能( 附着力) 及电气性能( 导电性好、良好的欧姆接触) 等要求的电子陶瓷基板/ 基材表面图形化金属层制备技术；无需高温活化、多次化学镀、后续镀银、电镀加厚等处理，实现了陶瓷基板表面图形化金属层工艺的简化，便于工业化生产。
一种基于磁控溅射技术 pcb 线路图制作方法

[发明专利]一种制备图形化的柔性或刚性衬底的方法-CN201710191386.2在审
发明人：程鑫;余波 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2017-07-04 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：一种制备图形化的柔性或刚性衬底的方法，包括如下步骤(1)将纳米压印胶涂布到衬底上；(2)使用柔性或者刚性模板利用纳米压印技术对纳米压印胶进行图形化，然后脱模；(3)将图形化后的纳米压印胶溶剂挥发后进行高温烧结本发明利用纳米压印对前驱体成功进行了图形化，烧结之后得到图形化的、结构完整的可弯折的陶瓷薄膜。本发明制备的柔性或者刚性陶瓷薄膜具有图形化的表面。
一种制备图形柔性刚性衬底方法

[发明专利]芯轴图形的形成方法-CN201911204018.2有效
发明人：许鹏凯;乔夫龙;任佳 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯轴图形的形成方法，包括:提供一衬底，在所述衬底上方依次形成芯轴图形层、过渡层以及图形化的旋涂介质层，所述过渡层的硬度大于所述旋涂介质层的硬度；以图形化的旋涂介质层为掩膜，进行过渡层刻蚀，以形成图形化的过渡层；去除所述图形化的旋涂介质层，并以图形化的过渡层为掩膜，进行芯轴图形层刻蚀，以形成芯轴图形。通过在所述芯轴图形层和图形化的旋涂介质层中间增加过渡层，改变了芯轴图形刻蚀工艺中的膜层结构，既可以降低图形化的旋涂介质层中的有机介电质层的厚度，同时解决了芯轴图形层刻蚀过程中的掩模层厚度不够的问题。
图形形成方法

[实用新型]一种金属图形化的剥离结构-CN201921366070.3有效
发明人：甘先锋;杨水长 -专利权人：无锡英菲感知技术有限公司
申请日： 2019-08-21 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本申请公开了一种金属图形化的剥离结构，包括衬底；位于衬底上表面的胶膜结构层，且胶膜结构层具有一级向上的第一台阶；位于胶膜结构层背离衬底的表面的第一光刻胶层，且第一光刻胶层与胶膜结构层形成一级向上的第二台阶本申请中由衬底、胶膜结构层、第一光刻胶层共同形成了具有两级向上的台阶结构的剥离结构，也即该剥离结构具有两层屋檐结构，一方面增加了衬底上表面与第一光刻胶层上表面之间的距离，可用于沉积厚度较厚的图形化金属，另一方面两层屋檐结构的宽度可以按需求进行调节，使得到的图形化金属宽度更窄，且胶膜结构层和第一光刻胶层更加稳固，不易塌陷，从而使得到的图形化金属边缘光滑。
一种金属图形剥离结构

[发明专利]对称六角星形图形化蓝宝石的制备方法-CN201510990151.0在审
发明人：申健;张丹;甘阳 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2015-12-24 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C30B33/10 文献下载
摘要：对称六角星形图形化蓝宝石的制备方法，它涉及一种蓝宝石的制备方法。本发明是为了解决干法刻蚀在蓝宝石表面难以制作具备多种晶面的图形化蓝宝石衬底的问题。本方法如下：将预处理后的圆锥形图形化蓝宝石片置于石英花篮中，将石英烧杯中混合溶液A高温湿法刻蚀，然后用去离子水冲洗圆锥形图形化蓝宝石片，再氮气吹干，即得对称六角星形图形化蓝宝石。本发明的对称六角星形图形化蓝宝石的制备方法能有效地将圆锥形图形化蓝宝石转化为对称六角星形图形化蓝宝石，且生成的对称六角星形图形化蓝宝石规则有序，重复性好。
对称六角星形图形蓝宝石制备方法

[发明专利]一种基于QT的继电保护装置逻辑图形化配置方法-CN201710086001.6在审
发明人：薛钟;董贝;张云 -专利权人：南京国电南自电网自动化有限公司
申请日： 2017-02-17 - 公布日： 2017-06-23 - 主分类号： G06F9/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于QT的继电保护装置逻辑图形化配置方法步骤1、将继电保护装置的继电保护逻辑按照功能和用途进行划分，划分为不同的基础逻辑模型；步骤2、将所有的基础逻辑模型进行图形化建模生成图形化逻辑图元，且根据实际情况为每一个图形化逻辑图元生成对应数量的输入和输出；步骤3、通过图形化配置工具为每一个图形化逻辑图元关联具体的代码实现；步骤4、通过图形化配置工具建立不同的图形化逻辑图元之间的连接关系；步骤5、通过图形化配置工具对整套继电保护逻辑进行编译、检查和仿真，并且生成XML格式的继电保护逻辑配置文件。
一种基于 qt 保护装置逻辑图形配置方法

[发明专利]一种利用图形化的芯片标识验证芯片合法性的方法和系统-CN201010247348.2有效
发明人：陈诗平 -专利权人：国民技术股份有限公司
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： G06F21/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用图形化的芯片标识验证芯片合法性的系统与方法。该系统包括标识生成模块、图形化标识识别模块和标识验证模块。该系统验证芯片合法性的方法包括3个基本工作流程：图形化标识的生成流程、图形化标识的识别流程、图形化标识的验证流。用户在验证芯片合法性时，使用图形化标识识别模块识别芯片上的图形化标识，并将图形化标识还原为校验标识，校验标识传输给标识验证模块，标识验证模块将校验标识与存储在芯片中的内部标识作比对，如果校验标识与内部标识不相符，证明芯片的图形化标识被篡改，用户可以判断芯片为伪造或非法，并可进一步的禁止用户下载应用程序；如果校验标识与内部标识相符，证明芯片是合法，允许进一步操作权限。
一种利用图形芯片标识验证合法性方法系统

[发明专利]一种图形化编程多线程同步方法-CN201710405733.7有效
发明人：黄翰;王琥;杨忠明;郝志峰 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-06-01 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： G06F9/52 文献下载
摘要：本发明提供了一种图形化编程多线程同步方法，用户进行图形化编程，采用图形化编程多线程同步方法对图形化编程中的多线程进行管理与同步，解决了现有图形化编程系统不支持多线程同步的问题。本发明在进行多线程处理时，对由图形化编程组件组成有向无环图，其中的单个连通分量进行深度优先搜索，逐个编程组件进行处理。当该编程组件是一个分支节点时，加入新的分支线程启动标志，并结束当前线程；当该编程组件是一个分支合并点时，合并点的第一个父亲编程组件节点负责启动线程，并添加线程等待标志，等待图形化编程线程的同步。本发明能使图形化多线程编程具有线程同步的功能，使编程人员能编写具有更丰富功能的图形化程序。
一种图形编程多线程同步方法

[发明专利]半导体结构的制备方法-CN202010884286.X有效
发明人：张俊学;李东;吴智勇 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2023-02-10 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的制备方法，包括：提供一衬底，所述衬底中形成浅沟槽隔离结构，并在所述衬底上依次形成多晶硅层、硬质掩模层、抗反射层和图形化的光阻层；对所述图形化的光阻层的表面进行硬化处理；在所述图形化的光阻层的表面形成氧化层并进行硬化处理，并重复若干次；以所述图形化的光阻层作为掩模刻蚀所述抗反射层，以形成图形化的抗反射层；以所述图形化的光阻层作为掩模刻蚀所述硬质掩模层，以形成图形化的硬质掩模层，并去除所述图形化的光阻层；以所述图形化的硬质掩模层作为掩模
半导体结构制备方法