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[发明专利]一种低剖面双频二维宽角扫描共口径相控阵天线-CN201910317276.5有效
发明人：程钰间;柏春旭;张锦帆;樊勇;宋开军;张波;林先其;张永鸿 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2019-04-19 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01Q21/06 文献下载
摘要：本发明包括从下至上依次层叠的背馈结构、中层介质层、第二中层金属敷铜层、上层介质层与上层金属敷铜层，以及第一金属化过孔与第二金属化过孔；第一金属化过孔贯穿第二中层金属敷铜层、中层介质层及背馈结构，共同构成低频天线；第二金属化过孔与第一金属化过孔一一对应，第二金属化过孔穿过第一金属化过孔、并贯穿上层介质层与上层金属敷铜层连接，共同构成高频天线。本发明共口径天线能够满足双频布阵间距均满足二维大角度，同时还采用了结构复用技术简化了结构，使得天线整体剖面极低。
一种剖面双频二维扫描口径相控阵天线

[发明专利]金属互连结构中的掺杂工艺-CN202080091717.5在审
发明人：安鲁达哈·乔伊;德赖斯·狄克特斯;耶兹迪·多尔迪 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-11-20 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：金属互连结构使用自上而下的掺杂工艺掺杂有锌、铟或镓，以改善扩散阻挡特性，且对线路电阻有最小影响。在金属化之前或金属化之后引入掺杂物。可通过在金属化之前于高温下在衬里层上进行化学气相沉积、通过在金属化之后于高温下在金属特征上进行化学气相沉积、或通过在金属化之后在铜特征上进行无电沉积来引入掺杂物。施加高温导致金属互连结构被掺杂并形成自形成阻挡层或强化现有扩散阻挡层。
金属互连结构中的掺杂工艺

[发明专利]太阳能电池的多层金属化结构的实现方法-CN201410787673.6在审
发明人：盛赟;盛健;袁声召;王伟;蔡文浩;张淳 -专利权人：常州天合光能有限公司
申请日： 2014-12-17 - 公布日： 2015-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的多层金属化结构的实现方法，该方法的步骤如下：（a）制备太阳能电池结构至介质膜的完成；（b）制备金属化结构，具体步骤如下：（b1）首先在介质膜上制备接触金属层；（b2）再在接触金属层上制备导电金属层，完成金属化结构的制备。本发明能够实现更高的转换效率，并且降低了金属化工艺和物料成本。
太阳能电池多层金属化结构实现方法

[实用新型]一种馈电结构及天线-CN201920732300.7有效
发明人：时文文;冯志成 -专利权人：深圳市海能达通信有限公司
申请日： 2019-05-21 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种馈电结构及天线，本实用新型的一种馈电结构包括具有相对的第一表面和第二表面的基板；基板包括：在第一表面和第二表面之间层叠设置的多个介质层，贯穿多个介质层以及第一表面和第二表面的金属化通孔；在多个介质层之间、围绕金属化通孔并与金属化通孔保持预设距离的多个导电层；以及贯穿部分介质层与导电层电性连接的多个金属化埋孔；其中多个金属化埋孔围绕金属化通孔呈圆周排列。实施本实用新型结构简单，易于共形，成本低，应用场景广泛。
一种馈电结构天线

[发明专利]用于半导体器件的钝化结构化和镀覆-CN202110960441.6在审
发明人： R·K·约希;A·贝伦特;R·盖斯贝格尔;A·扎茨;J·施拉明格;J·施米德;M·施塔诺夫尼克;J·施泰因布伦纳 -专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：公开了用于半导体器件的钝化结构化和镀覆。在此描述了一种方法和通过该方法生产的功率半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成结构化的金属化层；在结构化的金属化层上形成保护层；在结构化的金属化层上形成第一钝化，其中保护层被插入在第一钝化和结构化的金属化层之间；对第一钝化进行结构化以暴露保护层的一个或多个区；移除保护层的一个或多个被暴露的区以暴露结构化的金属化层的一个或多个部分；以及在结构化第一钝化并且移除保护层的一个或多个被暴露的区之后，在第一钝化上形成第二钝化并且对结构化的金属化层的一个或多个被暴露的部分进行无电镀覆
用于半导体器件钝化结构镀覆

[实用新型]一种应用于DC‑Link的金属化薄膜-CN201720932854.2有效
发明人：汪祥久 -专利权人：昆山泓电隆泰电子材料有限公司
申请日： 2017-07-29 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01G4/015 文献下载
摘要：本实用新型提供一种应用于DC‑Link的金属化薄膜，包括依次排列的第一双面金属化膜、第一介质膜、第二双面金属化膜和第二介质膜；第一介质膜与第二介质膜左右两端对齐；第一双面金属化膜与第二双面金属化膜错落设置；第一双面金属化膜与第二双面金属化膜分别露出第一介质膜和第二介质膜的左/右端或右/左端；第一双面金属化膜和第二双面金属化膜的上下表面分别设有绝缘分隔带。本实用新型采用双面金属化薄膜，具有体积小、导电面积和容量面积大等优点，在金属化薄膜上设置绝缘分隔带，可构成内串式结构，提升了耐压性能，因此能够很好地应用于DC‑Link中，替代电解电容。
一种应用于 dc link 金属化薄膜

[发明专利]用于封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳及其制备方法-CN201910521980.2在审
发明人：刘贵庆;杨旭东;许为新;张振兴;相裕兵;伊新兵 -专利权人：济南市半导体元件实验所
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本申请提供了一种用于封装双MOS管且原位替换SOP8塑封器件的陶瓷外壳，包括陶瓷基座，金属环框，金属盖板，下埋层金属化层，上埋层金属化层，表面金属化层，8个引脚，8个内通孔金属化柱，8个外凹槽金属化层；本申请还提供一种上述陶瓷外壳的制备方法；通过多层陶瓷与多层金属化及通孔金属化共烧、陶瓷金属化面与不同材料金属的同步焊接、多种材料的匹配组装以及银铜焊料在不同材料表面的润湿分布，实现了结构优化、材料优化以及加工工艺的优化与强强联合
陶瓷外壳金属化层塑封器件封装替换双MOS管金属化埋层制备润湿表面金属化层耐高温性能陶瓷金属化材料金属材料优化多层金属多层陶瓷结构优化金属盖板陶瓷基座同步焊接银铜焊料金属环内通孔双通道外凹槽电阻共烧可用通孔引脚申请匹配组装优化

[发明专利]一种金属化陶瓷-CN202111546431.4在审
发明人：惠宇;武英斌;姜伟伟;孙文萍;郭佳星;刘旭东;那兆霖;王兴安 -专利权人：大连大学
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C04B41/90 文献下载
摘要：本发明属于陶瓷技术领域，公开了一种金属化陶瓷。本发明公开的金属化氮化硅陶瓷结构，包括氮化硅陶瓷基体和多个金属层，该基体为本体的结构；这些金属层以光纤激光器将金属箔片烧蚀在基体上。本发明能够避免应力导致的金属化层与陶瓷基体开裂、分离，提高金属化强度，可以广泛应用于各种金属陶瓷封接。
一种金属化陶瓷

[实用新型]一种功率模块塑壳及其功率模块-CN202220239304.3有效
发明人：徐斌 -专利权人：浙江谷蓝电子科技有限公司
申请日： 2022-01-28 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种功率模块塑壳及其功率模块，包括：金属化陶瓷衬底塑壳呈盖装，金属化陶瓷衬底塑壳上设有点胶面和储胶槽，储胶槽设于点胶面的下方，点胶面和储胶槽之间具有第一距离，点胶面和储胶槽的形状与金属化陶瓷衬底塑壳的外缘的形状相同，金属化陶瓷衬底塑壳上开设有灌胶孔；若干电镀信号针均安装在金属化陶瓷塑壳上，若干电镀信号针呈矩形阵列设置；顶柱结构安装于金属化陶瓷衬底塑壳上，顶柱结构设于金属化陶瓷衬底塑壳的中部；功率芯片安装在金属化陶瓷衬底塑壳上
一种功率模块及其

[发明专利]接触结构-CN201910112883.8在审
发明人：朴灿鲁;蔡东辰 -专利权人：格芯公司
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明涉及接触结构。本公开涉及半导体结构，并且更特别地，涉及接触结构以及制造方法。所述方法包括：使位于邻近栅极结构之间并且位于源极/漏极金属化的金属化覆盖层下方的隔离区凹陷；将所述金属化覆盖层平面化至所述邻近栅极结构的水平；以及形成在所述邻近栅极结构的侧面上并且在所述邻近栅极结构上方延伸的到所述源极/漏极金属化的源极/漏极接触。
栅极结构金属化源极/漏极接触结构邻近覆盖层半导体结构隔离区平面化凹陷侧面延伸制造

[发明专利]一种陶瓷/金属钎焊结构及陶瓷金属化方法-CN202010161547.5在审
发明人：孙向明;于凯凯;陈英 -专利权人：摩科斯新材料科技（苏州）有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： C04B37/02 文献下载
摘要：本发明提供一种陶瓷/金属钎焊结构及陶瓷金属化方法，陶瓷/金属钎焊结构包括陶瓷基底，还包括：金属化底层，通过生物相容性金属I沉积在陶瓷基底表面形成；金属化顶层，通过生物相容性金属II沉积在金属化底层表面形成；所述生物相容性金属I的沉积扩散速度大于生物相容性金属II的沉积扩散速度。本发明在陶瓷基底表面通过生物相容性金属I沉积形成金属化底层，生物相容性金属I的沉积扩散速度大，结合力高，能够使金属化底层与陶瓷基底可靠结合；生物相容性金属II的沉积扩散速度小，能够实现钎焊过程中贵金属钎料在金属膜层上的有效铺展润湿
一种陶瓷金属钎焊结构金属化方法

[发明专利]一种抗氧化金属化膜及其制作方法-CN202010877271.0在审
发明人：汤泽波;王余跃 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明提供了一种抗氧化金属化膜，包括第一金属化极板层、第二金属化极板层和有机电介质薄膜层，所述第一金属化极板层底部设有第二金属化极板层，所述第二金属化极板层底部设有有机电介质薄膜层；还包括第一抗氧化油层和第二抗氧化油层，所述第一抗氧化油层设置在第一金属化极板层顶部，所述第二抗氧化油层设置在有机电介质薄膜层底部。相发明优点在于，现有金属化膜结构之上，增加了第一抗氧化油层和第二抗氧化油层，第一抗氧化油层可以隔绝其下的第一金属化极板层和第二金属化极板层与外界空气的接触，起到防止氧化的目的，增加第二抗氧化油层后，发生运动摩擦的是两层抗氧化油层
一种氧化金属化及其制作方法

[实用新型]一种镀铝锌加厚分区结构的电容器-CN201220373554.2有效
发明人：林瑞福 -专利权人：东莞凯励电子有限公司
申请日： 2012-07-31 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型属于电容器技术领域，特别涉及一种镀铝锌加厚分区结构的电容器，包括引线，电容芯子，电容芯子的两端设有喷焊层，引线焊接于喷焊层，电容芯子由两层金属化膜卷绕而成，金属化膜由有机薄膜和附着在有机薄膜的金属镀层构成，金属镀层包括铝镀层和附着在铝镀层上的锌加厚边，两层金属化膜为第一金属化膜和第二金属化膜，第一金属化膜的金属镀层连续地附着在有机薄膜上，第二金属化膜的金属镀层设有分区间隔，第二金属化膜被间隔均匀地分为数个并联的工作区间，第一金属化膜和第二金属化膜形成正对面积，一个正对面积相当于一个电容，即每个工作区间形成一个正对面积，相当于有数个相同容量的电容并联构成，使电容质量稳定，线路损耗降低。
一种镀铝加厚分区结构电容器

[发明专利]一种电容器用双层金属化薄膜-CN201810340382.0在审
发明人：易文锋;杜宝玉;黎嘉良;梁永隆 -专利权人：佛山市顺德区胜业电气有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：一种电容器用双层金属化薄膜，包括相互层叠的上、下金属化膜，上、下金属化膜是在有机薄膜介质上蒸镀上金属镀层构成，金属镀层由网状镀区和普通镀区组成，网状镀区由空隙条分割成若干方形网格镀层，当上、下金属化膜叠合后，上金属化膜的网状镀区与下金属化膜的普通镀区叠合，上金属化膜的普通区与下金属化膜的网状镀区叠合；相比于传统的整个镀层为安全网状膜结构相比，当电容器在工频交变电场下工作时，因方形网格镀层面积相对较少，减少了因网格损坏带来的容量大幅下降的风险
金属化膜网状镀区叠合双层金属化薄膜电容器方形网格镀层电容器用金属镀层有机薄膜介质网格损坏传统的交变电网状膜镀层工频蒸镀分割安全保证

[实用新型]电容器用双层金属化薄膜-CN201820523152.3有效
发明人：易文锋;杜宝玉;黎嘉良;梁永隆 -专利权人：佛山市顺德区胜业电气有限公司
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：一种电容器用双层金属化薄膜，包括相互层叠的上、下金属化膜，上、下金属化膜是在有机薄膜介质上蒸镀上金属镀层构成，金属镀层由网状镀区和普通镀区组成，网状镀区由空隙条分割成若干方形网格镀层，当上、下金属化膜叠合后，上金属化膜的网状镀区与下金属化膜的普通镀区叠合，上金属化膜的普通区与下金属化膜的网状镀区叠合；相比于传统的整个镀层为安全网状膜结构相比，当电容器在工频交变电场下工作时，因方形网格镀层面积相对较少，减少了因网格损坏带来的容量大幅下降的风险
金属化膜网状镀区叠合双层金属化薄膜电容器方形网格镀层电容器用金属镀层有机薄膜介质网格损坏传统的交变电网状膜镀层工频蒸镀分割安全保证