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[发明专利]一种由光刻工艺制备的印刷对数周期天线-CN201810957320.4在审
发明人：闫文涛;韩波 -专利权人：闫文涛
申请日： 2018-08-22 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： H01Q1/50 文献下载
摘要：本发明公开一种由光刻工艺制备的印刷对数周期天线，所述天线包括位于第一介质基片和第二介质基片上且相互连接的振子天线部分和馈电部分，第一介质基片的上表面设有第一金属化涂层，第二介质基片的下表面设有第二金属化涂层，第一金属化涂层上的馈电部分包括主馈电区域、微带渐变区域和微带区域，第二金属化涂层的馈电部分为一完整的矩形区域，第一介质基片上设有与第一金属化涂层连接的1排金属化通孔；第二介质基片上的馈电部分设有与第二金属化涂层连接的多排相互平行的金属化通孔，最左边1排金属化通孔与第一介质基片上位于馈电部分的金属化通孔对正且相通，本发明通过采用慢波结构，能够进一步减小对数周期天线馈电部分的纵向尺寸。
介质基片金属化涂层馈电金属化通孔对数周期天线光刻工艺微带制备印刷渐变区域矩形区域馈电区域慢波结构振子天线上表面下表面对正多排减小天线平行相通

[发明专利]金属化半孔光电产品电性能的快速检测方法-CN201711013808.3在审
发明人：聂兴培;武守坤;陈春;樊廷慧;吴世亮;卫雄;吴军权 -专利权人：惠州市金百泽电路科技有限公司;深圳市金百泽电子科技股份有限公司;西安金百泽电路科技有限公司
申请日： 2017-10-26 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本发明公开了金属化半孔光电产品电性能的快速检测方法，包括如下步骤，依据金属化半孔的形状，结合通用测试设备针床的结构设计圆柱型金属化半孔专用测试针，使测试针能够满足与通用测试机硬件针盘接触的需求；然后根据金属化半孔测试针，进行金属化半孔测试治具的设计与制作,使测试治具上的钻孔与测试针相配合，将已钻好孔的各层纤维板按普通治具制作流程进行插针、组装；然后进行包括金属化半孔测试治具钻孔文件、输出测试文件和Fail板修理文件的金属化半孔测试文件的设计与制作；最后采用上述测试文件及测试治具和测试针进行金属化半孔产品的测试。本发明金属化半孔光电产品电性能的快速检测方法有效解决了批量金属化半孔光电产品不能一次采用通用机侦测其电性能的缺陷，大幅度提升了生产效率。
金属化光电产品性能快速检测方法

[实用新型]磁控管用金属化陶瓷绝缘环-CN201320040639.3有效
发明人：朱广汇 -专利权人：无锡康伟工程陶瓷有限公司
申请日： 2013-01-24 - 公布日： 2013-07-10 - 主分类号： H01J23/12 文献下载
摘要：本实用新型涉及磁控管用金属化陶瓷绝缘环，包括中心设有通孔的白瓷体，所述白瓷体的上下端上分别紧密结合有金属化层，其特征在于：所述金属化层包括金属化钼层和金属化镍层，所述金属化钼层与白瓷体直接结合，所述金属化镍层与金属化钼层结合本实用新型采用金属化粉料颗粒与陶瓷晶相颗粒合理匹配技术，在不提高烧结温度前提下，使金属化钼层在烧结时能与陶瓷体形成紧密结合，然后再在金属化钼层上制作金属化镍层，提高了陶瓷金属化层的表面质量和抗拉强度；金属化陶瓷壁增厚至2mm，减少了由于磁控管内磁场产生电流过大致使陶瓷壁被击穿或产生裂痕的现象发生；金属化陶瓷内径增至12mm，在相同电流作用下，能够增加磁控管发射微波的功率。
管用金属化陶瓷绝缘

[发明专利]半导体器件的金属化-CN201510645378.1有效
发明人：保罗·赫伊斯坎普;霍德弗里德·亨克里斯·约瑟夫斯·诺特曼斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2015-10-08 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明涉及包括金属化堆叠的半导体器件。金属化堆叠可包括第一金属化层与第二金属化层。第一金属化层可以通过两个或多个堆叠的金属间通孔而电连接到第二金属化层。
半导体器件金属化

[发明专利]半侧金属化半侧非金属化盲槽的加工方法和印刷电路板-CN202210581994.5在审
发明人：周德良;刘国汉;郑伟生;徐梦云 -专利权人：珠海杰赛科技有限公司;广州杰赛电子科技有限公司;广州杰赛科技股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种半侧金属化半侧非金属化盲槽的加工方法和印刷电路板，并公开了采用上述加工方法所得的印刷电路板，加工方法包括以下步骤：半固化片开设用于容纳阻胶材料的窗口；通过半固化片将下层基板和上层基板压合在一起，形成多层板；上层基板和半固化片开设金属化半槽；在多层板的外表面镀上外层铜皮，以完成金属化半槽的金属化；上层基板和半固化片开设非金属化半槽，去除阻胶材料，得到具有半侧金属化半侧非金属化的盲槽。采用先加工金属化半槽，然后金属化半槽进行金属化，再加工非金属化半槽的方式加工出具有半侧金属化半侧非金属化的盲槽。加工步骤少，操作简单，从而能较快地得到所需的盲槽。
金属化半侧非加工方法印刷电路板

[发明专利]内串式金属化膜直流高压电容器-CN201310448269.1无效
发明人：曹骏骅;谢兴明 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明公开了一种内串式金属化膜直流高压电容器，包括配对金属化膜，所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜，上膜镀设有金属化膜一和金属化膜二，下膜镀设有金属化膜三，所述金属化膜一和所述金属化膜二之间、以及多个所述金属化膜二之间均设置有间隙一，两个或多个所述金属化膜二之间均设置有间隙二，所述间隙一与所述间隙二等宽，所述金属化膜二和所述金属化膜三等宽，且所述间隙一的中线与所述金属化膜三的中线对齐。本发明所述的内串式金属化膜直流高压电容器，具有体积小、耐超高压、低自感、低损耗、低等效串联电阻、可靠性高、长寿命的特点。
内串式金属化直流高压电容器

[实用新型]内串式金属化膜直流高压电容器-CN201320600943.9有效
发明人：曹骏骅;谢兴明 -专利权人：安徽赛福电子有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种内串式金属化膜直流高压电容器，包括配对金属化膜，所述配对金属化膜包括层叠设置的上膜和下膜，上膜镀设有金属化膜一和金属化膜二，下膜镀设有金属化膜三，所述金属化膜一和所述金属化膜二之间、以及多个所述金属化膜二之间均设置有间隙一，两个或多个所述金属化膜二之间均设置有间隙二，所述间隙一与所述间隙二等宽，所述金属化膜二和所述金属化膜三等宽，且所述间隙一的中线与所述金属化膜三的中线对齐。本实用新型所述的内串式金属化膜直流高压电容器，具有体积小、耐超高压、低自感、低损耗、低等效串联电阻、可靠性高、长寿命的特点。
内串式金属化直流高压电容器

[发明专利]封装体-CN201910923170.X在审
发明人：吴俊毅;余振华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种封装体包括：第一层模制材料；第一金属化层，位于第一层模制材料上；第二层模制材料，位于第一金属化层及第一层模制材料上；第二金属化层，位于第二层模制材料上；穿孔，位于第二层模制材料内，穿孔从第一金属化层延伸到第二金属化层；集成无源器件，位于第二层模制材料内；重布线结构，以电性方式位于第二金属化层及第二层模制材料上，重布线结构连接到穿孔及集成无源器件；以及至少一个半导体器件，位于重布线结构上，所述至少一个半导体器件连接到重布线结构
封装

[发明专利]前侧串联太阳能模块-CN200880007540.5无效
发明人：鲁地戈尔·劳克恩夫 -专利权人：弗劳恩霍弗应用技术研究院
申请日： 2008-03-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L31/05 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池元件，其包括：具有恰好一个第一掺杂的半导体衬底层(2)；层结构(1)，其被部署在所述衬底层(2)的前侧并与所述衬底层相邻，并且具有与所述第一掺杂互补的至少一个掺杂；后侧金属化部(3)，其被部署在所述衬底层(2)的前侧，与所述衬底层相邻，所述后侧从层结构(1)横跨；以及第一前侧金属化部(4)和第二前侧金属化部(6)。所述第一前侧金属化部(4)与所述层结构(1)电接触，所述第二前侧金属化部(6)被部署在所述衬底层的前侧，与所述衬底层相邻，并且与第一前侧金属化部以及所述层结构(1)电绝缘。
串联太阳能模块

[发明专利]用于激光雷达应用的改进的电子设备-CN202210356417.6在审
发明人： A·F·M·皮扎迪;S·A·斯梅兹;F·尤克拉诺;R·莱托 -专利权人：意法半导体股份有限公司;意法半导体(鲁塞)公司
申请日： 2022-03-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：电子设备能够被耦合到多个激光二极管并且包括控制开关，控制开关具有被耦合到漏极金属化结构的漏极并且具有被耦合到第一源极金属化结构的源极，第一源极金属化结构能够被电耦合到激光二极管的阴极。多个第一开关中的每个具有被耦合到漏极金属化结构的漏极和被耦合到相应第二源极金属化结构的源极，第二源极金属化结构能够被耦合到激光二极管的阳极。第二源极金属化结构在对准方向上彼此对准，在与对准方向正交的方向上覆盖第一开关的相应源极，并且能够在与对准方向正交的方向上对准相应激光二极管。
用于激光雷达应用改进电子设备

[发明专利]一种碳化硼陶瓷金属化制备方法-CN202010008271.7有效
发明人：曹培福;曹建平;曹建辉 -专利权人：湖南新华源科技有限公司
申请日： 2020-01-06 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C04B41/88 文献下载
摘要：一种碳化硼陶瓷金属化制备方法，包括将重量比份为10‑40wt%的Mo、10‑40wt%的W、10‑40wt%的Ni三种金属粉末球磨混合，再加入乙基纤维素溶液及金属盐溶液混合球磨，金属盐溶液为钼酸铵、钨酸铵或仲钨酸铵溶液的一种或多种，获得金属化膏剂；金属化膏剂印刷在碳化硼陶瓷件需要金属化部位，烘干；烘干后的碳化硼陶瓷件放入金属化烧结炉中，通入氢气，1650℃‑1680℃保温30‑35分钟，露点0‑10℃，随炉降温。形成的Mo、W、Ni配比金属化层合金材料与碳化硼的热膨胀系统接近，其粘接强度高，金属化应力小。由于具有亚微米级的金属网络结构，在钎焊后不容易脱落。
一种碳化陶瓷金属化制备方法

[实用新型]一种电动汽车电容器聚丙烯金属化膜-CN201721198987.8有效
发明人：章阳华 -专利权人：章阳华
申请日： 2017-09-19 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本实用新型公开一种电动汽车电容器聚丙烯金属化膜，包括聚丙烯金属化膜本体，所述的聚丙烯金属化膜本体为双层双向排布的聚丙烯金属化膜组成，所述聚丙烯金属化膜包括高温聚丙烯膜及其单面镀有多种厚度渐变的金属铝镀层，所述金属铝镀层包括加厚镀层区、第一渐变镀层区、第二渐变镀层区，所述加厚镀层区、第一渐变镀层区、第二渐变镀层区依次平滑过渡相连。本实用新型金属铝镀层采用多种厚度渐变的波浪曲线结构，保证电容器承载大电流能力，使电容器的发热降低；聚丙烯金属化膜设有增大金属镀层厚度的加厚镀层区，降低聚丙烯金属化膜与后期制造施工的喷金面的接触电阻。
一种电动汽车电容器聚丙烯金属化

[发明专利]具有应力减少夹层的多层金属化-CN201210263057.1有效
发明人： J.费尔斯特;M.施内甘斯 -专利权人：英飞凌科技股份有限公司
申请日： 2012-07-27 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明涉及具有应力减少夹层的多层金属化。一种用于半导体器件的布线结构包括：多层金属化，具有至少5μm的总厚度；以及夹层，设置于多层金属化中，其中夹层的第一侧邻接多层金属化的一层并且夹层的第二相反侧邻接多层金属化的不同层。夹层包括W、WTi、Ta、TaN、TiW和TiN或者其它适当化合物金属或者金属硅化物（比如WSi、MoSi、TiSi和TaSi）中的至少一种。
具有应力减少夹层多层金属化

[发明专利]通过盖结构和相关切割装置利用切割工具暴露金属化焊盘以形成集成电路装置的方法-CN202180009291.9在审
发明人：罗伯特·C·德瑞;布鲁克·霍斯 -专利权人：阿库斯蒂斯有限公司
申请日： 2021-02-04 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法，可包括提供电联接到半导体晶圆上的金属化焊盘的集成电路，该集成电路和该金属化焊盘由盖结构覆盖。可使用具有尖端表面和斜切侧表面的切割工具在盖结构的覆盖金属化焊盘的一部分中切割通道，以暴露在第一方向上延伸的通道中的金属化焊盘的上表面；可在通道中沉积导电材料以与通道中的金属化焊盘的上表面欧姆接触。
通过结构相关切割装置利用工具暴露金属化形成集成电路方法

[发明专利]一种可金属化的组合物、涂覆层及非金属表面选择性金属化的方法-CN201610211127.7有效
发明人：宫清;林宏业;孙丰振;胡文 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2018-03-13 - 主分类号： C09D175/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种可金属化的组合物、涂覆层及非金属表面选择性金属化的方法。该可金属化组合物包括主体树脂和溶剂，其中，主体树脂包含式Ⅰ所示结构的聚合物，其中，R1、R2独立选自羟基、异氰酸酯基、烷氧基或烷烃基中的一种或几种；R3为C1～C4的烷烃基；n1为20～300之间的整数本发明的组合物在成型后可金属化，且与金属化层的结合力强，同时本发明的组合物可以通过喷涂、印刷、浸涂、刷涂等简单工艺选择性涂覆于非电镀级非金属表面，固化后能在非金属表面形成与非金属结合力强的一体结构层，再化学镀，在既定的位置金属化，无溢镀和漏镀现象，可容易实现非金属表面的选择性金属化，方法简单易实现。
一种金属化组合覆层非金属表面选择性方法

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