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[发明专利]一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池的制备方法-CN201811313882.1有效
发明人： 袁声召;崔艳峰;万义茂;黄强;林海峰 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是一种低成本P型全背电极晶硅太阳电池的制备方法；包括以下步骤：以P型单晶硅片作为硅衬底，首先进行抛光或者制绒处理，在电池两面生长隧穿氧化硅薄膜和本征的多晶硅薄膜，磷扩散在电池背面沉积SiNx薄膜，采用激光烧蚀电池背面背表面场区域的氮化硅；制绒处理，去除背面结区的掩膜氮化硅及磷硅玻璃，双面沉积氧化铝薄膜，分别在电池正、背面沉积氮化硅薄膜，激光烧蚀背面背场区域部分氧化铝/氮化硅薄膜形成局域铝背场，背场区域采用背银+铝浆结构；本发明的全背电极太阳电池的制备方法效率高，银浆用量少，且无硼扩散等昂贵工艺，电池生产成本低。
一种低成本型全背电极太阳电池制备方法

[发明专利]Topcon电池的光注入钝化方法-CN202110080784.3有效
发明人：杨斌;万义茂;袁声召 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种Topcon电池的光注入钝化方法，属于Topcon太阳能电池技术领域。Topcon电池的光注入钝化方法包括：对金属化后的Topcon电池进行光注入并辅以加热以实现钝化，光注入的辐射强度为2～10suns，光注入的时间为100～300s。加热过程包括加热阶段、降温阶段和保温阶段，加热阶段包括将Topcon电池加热至表面温度为第一温度，降温阶段包括将Topcon电池的表面温度从第一温度降至第二温度，保温阶段为Topcon电池在第二温度进行保温，第一温度为300～650℃，第二温度为200～250℃。该方法能够有效地提升Topcon电池的转换效率。
topcon 电池注入钝化方法

[发明专利]一种N型晶硅电池的电注入方法及制备方法-CN202110186608.8有效
发明人：邱杨海粟;万义茂;袁声召;于元元;柯益萍 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2021-02-09 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种N型晶硅电池的电注入方法及制备方法，涉及太阳能电池领域。N型晶硅电池的电注入方法主要是将电池片依次经过三个阶段的电注入处理：第一阶段：电注入电流为10～12A，电注入时间为300～450s；第二阶段：电注入电流为16～18A，电注入温度为260～285℃，电注入时间为1500～2250s；第三阶段：电注入电流为14～16A，电注入温度为240～275℃，电注入时间为600～900s。本申请实施例的N型晶硅电池的电注入方法及制备方法用以实现N型晶硅电池的提效，且提效效果好。
一种型晶硅电池注入方法制备

[发明专利]无损伤快速判断金属浆料烧穿深度的方法-CN201910856592.X有效
发明人：崔艳峰;袁声召;万义茂 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池测试技术领域，尤其涉及一种无损伤快速判断金属浆料烧穿深度的方法。本发明，依次包括以下步骤：利用PL测试仪对实验样品的金属浆料区域和非金属浆料区域的PL强度数值分别进行采集；计算得到一个有效PL强度数值。本发明利用光致发光光谱技术，通过对金属浆料区域和非金属浆料区域的PL数值采集，再通过一定的计算方法计算得到能够直接表征金属浆料烧穿深度的有效PL强度数值，从而判断金属浆料的烧穿深度，检测方法简单方便，适合产业化生产中的问题查找，并且，本发明在判断金属浆料烧穿深度的过程中不会对电池本身造成损伤，即可无损伤地判断出金属浆料的烧穿深度。
损伤快速判断金属浆料深度方法

[发明专利]一种掺镓背场的P型掺镓PERC电池及其制备方法-CN202010860288.5有效
发明人：万义茂;胡玉婷;袁声召;于元元;杨斌;庄宇峰;张文超 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其是一种掺镓背场的P型掺镓PERC电池及其制备方法；包括P型掺镓硅片衬底，设置在衬底背面的氧化镓层，设置在氧化镓层上的氮化硅层，所述氧化镓层、氮化硅层与衬底之间设置有局部钝化场，即掺镓背场，设置在氮化硅层上的背电极，所述背电极通过掺镓背场与硅片形成欧姆接触；本发明中通过在P型PERC中导入低衰减的掺镓硅片，利用氧化镓对其硅表面形成钝化效果，同时使用激光掺杂技术，形成较强的背场效果，进一步减少少数载流子复合，从而克服现有的P型PERC电池，背面背场只能用铝浆形成，不能有效掺入硼加强背场效果的不足。
一种掺镓背场型掺镓 perc 电池及其制备方法

[发明专利]一种光伏电池片的制备方法、光伏电池片及组件-CN202010509782.7有效
发明人：黄强;冯文阳;宋玮;胡玉婷;崔艳峰;袁声召;万义茂 -专利权人：东方日升新能源股份有限公司;东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光伏电池片的制备方法，通过将切片流程提前到电池生产制备方法的印刷流程和烧结流程之间，也即是对印刷后的硅片进行切片形成硅片切片，然后再对硅片切片进行烧结，从而解决了现有技术中电池片切片在电池片制作完成后对电池片进行切片后存在电池片切片的边缘效率未知、漏电性能未知等影响最终的光伏电池组件的发电效率和整体功率等问题。本发明还提供了一种光伏电池片、光伏电池组件的制备方法以及光伏电池组件。
一种电池制备方法组件

[发明专利]一种TOPCon电池的烧结注入方法、烧结光注入装置及TOPCon电池-CN202110806280.5在审
发明人：于元元;袁声召;万义茂 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种TOPCon电池的烧结注入合二为一的方法，该烧结注入方法与传统PERC工艺相比，在第一温度升温至第二温度区间有缓冲平台，升温速率有所降低，让电池中的氢原子得到充分激活，从而优化电池的钝化效果，提升电池的开路电压。本发明的注入方法先高温退火，再在低温进行光注入，提升电池钝化性能。该烧结光注入装置用于制备TOPCon电池，烧结光注入装置将烧结炉和光柱入炉集合一体，可以在同一设备中进行烧结和光注入，无需设置冷却装置，节省了用电成本，缩短了设备长度，减少了设备占地面积。本发明的方法制得的电池与传统工艺制备得到的电池相比，高温光注入，修复了制程中的一些EL不良，如水痕、云雾等，提升电池良率。
一种 topcon 电池烧结注入方法装置

[实用新型]一种配套印刷网版及太阳能电池-CN202120544465.9有效
发明人：于元元;袁声召;万义茂 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2021-03-16 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： B41F15/36 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种配套印刷网版及太阳能电池，涉及太阳能电池制造领域。栅线网版包括若干条相互平行的主栅印刷线和若干条相互平行的细栅印刷线，主栅印刷线和细栅印刷线相交且具有若干个交叉点。配套印刷网版包括相配套的焊点网版和上述的栅线网版，焊点网版具有若干个分散设置的第一焊盘，栅线网版和焊点网版配置成经对位后，每个第一焊盘均能够覆盖至栅线网版中的主栅印刷线。配套印刷网版及太阳能电池是通过主栅印刷线和细栅印刷线布置于同一张网版上的设计，保证印刷得到的主栅和细栅之间的有效搭接，而且省去原有的渐变设计，降低印刷时的浆料耗量。
一种配套印刷太阳能电池

[发明专利]一种自对准式埋栅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法-CN201910805305.2有效
发明人：黄强;万义茂;崔艳峰;袁声召;林海峰 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2019-08-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种自对准式埋栅钝化接触晶硅太阳电池及其制备方法；包括硅衬底、发射极、铝背场以及分别设置于发射极和铝背场上的金属电极，发射极和/或铝背场包括非金属区域以及金属电极的金属区域，发射极和/或铝背场的非金属区域设置钝化层；发射极和/或铝背场上的金属区域下方依次为多晶硅薄膜和氧化硅薄膜；本发明中只在金属电极下方设置对光具有很强吸收特性的多晶硅薄膜，避免了寄生吸收；提出的图形化办法，利用电池制备过程中的金属栅线作为掩膜层，碱溶液作为刻蚀液，不需要额外的掩膜试剂，就可以形成精细的图形；且该金属栅线还可以作为对准点，显著降低二次对准的难度。
一种对准式埋栅钝化接触太阳电池及其制备方法

[发明专利]N型接触钝化太阳电池制造方法及提高良率的方法-CN202010549589.6有效
发明人： 袁声召;崔艳峰;庄宇峰;于元元;胡玉婷;杨斌;张文超;万义茂 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2020-06-16 - 公布日： 2021-09-21 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及光伏电池领域，具体而言，涉及一种N型接触钝化太阳电池制造方法及提高良率的方法。该制造方法包括以下步骤：制绒、硼扩散、刻蚀、隧穿氧化硅及多晶硅薄膜沉积、磷扩散、去绕镀、氧化铝沉积、双面氮化硅沉积以及丝网印刷。在隧穿氧化硅及多晶硅薄膜沉积步骤，将每两片硅片背靠背竖直放置，沉积隧穿氧化层和多晶硅薄膜；在磷扩散步骤，将每两片硅片背靠背水平放置，进行磷扩散。该方法，多晶硅薄膜沉积步骤中两个硅片之间的缝隙较大，使得多晶硅绕镀区域绕较大，磷扩散步骤，两个硅片之间的缝隙较小，使得磷扩散绕镀区较小，从而使得磷扩散绕镀区域局限在多晶硅绕镀区域内部，避免后续去绕镀工序对硼结的破坏，从而提高了电池良率。
接触钝化太阳电池制造方法提高

[发明专利]局域接触钝化太阳电池的制备方法-CN201910913495.X有效
发明人： 袁声召;崔艳峰;庄宇峰;万义茂;黄强;林海峰 -专利权人：东方日升(安徽)新能源有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种局域接触钝化太阳电池的制备方法。本发明，依次包括制绒、隧穿氧化硅沉积、掺磷非晶硅栅线印刷、烘干、清洗、磷扩散、刻蚀、钝化层生长、激光开模和丝网印刷及烧结等步骤。本发明采用印刷非晶硅浆料、烘干实现微晶硅的图形化，从而形成局域接触钝化，减少寄生吸收，同时相比于离子注入法具有更低的生产成本，适合大规模产业化应用，并且，本发明制得的太阳能电池板形成有微晶硅/氧化硅叠层结构，以此结构的选择性载流子输运特性来实现接触钝化，保证金属电极的欧姆接触的同时，完全消除金属区复合。
局域接触钝化太阳电池制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制作工艺-CN201810424254.4有效
发明人：崔艳峰;袁声召;张淳 -专利权人：张家港协鑫集成科技有限公司;徐州鑫宇光伏科技有限公司
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池及其制作工艺。所述太阳能电池的硅片为N型单晶硅片或P型单晶硅片，所述硅片表面具有金字塔结构绒面，所述硅片的正面和反面均具有电极和发射结，所述发射结由位于硅片表面的p+区和n+区所形成。同时本发明还公开了上述太阳能电池的制作工艺。上述太阳能电池，由于其正面和反面都具有PN结，因此产生的光生载流子在内建电场的作用下，迅速被收集起来，不需要穿过整个硅片衬底，这样可以有效提高光电转换效率，同时避免了P型单多晶PERC电池、以及Al‑BSF电池所存在的热衰减现象。并且，由于具有双面发射结的特点，在实际发电过程中，一天中会有两次峰值输出，具有更高的发电量，显著降低了发电成本。
太阳能电池及其制作工艺

[发明专利]可降低成本提高转换效率的叠层太阳电池的制备方法-CN201911070853.1有效
发明人：崔艳峰;袁声召;庄宇峰;万义茂;黄强;林海峰 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2019-11-05 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于太阳能电池制备技术领域，尤其涉及一种低成本的高效叠层太阳电池的制备方法。本发明，依次包括以下步骤：制绒、pn结形成、隧穿氧化硅沉积、磷元素掺杂、退火、钝化层生长、图形化开孔、导电层沉积、电子传输层形成、钙钛矿薄膜形成、空穴传输层形成、减反射层形成和电极制备。本发明制得的太阳能电池具有叠层电池的结构，极大的提高了电池的转换效率，并且，本发明顶电池采用成本极低的钙钛矿电池，底电池采用高效率的钝化接触电池，整个电池的关键的昂贵的制备过程全部采用超低成本的印刷或者旋涂或者喷墨各种化学浆料的方法实现，从而在极大的提高电池的转化效率的同时，大幅的降低制造成本，有利于大规模产业化应用，实现平价上网。
降低成本提高转换效率太阳电池制备方法

[发明专利]一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法-CN201811428076.9有效
发明人：万义茂;崔艳峰;袁声召;黄强;林海峰 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，尤其是一种高效P型钝化接触晶硅太阳电池的制备方法；所述制备方法包括以下步骤：以P型单晶硅片作为硅衬底，首先进行抛光（或者制绒处理），硅片采用PECVD设备，在背面生长隧穿氧化硅薄膜和掺杂的p型非晶硅薄膜，采用PECVD设备，在背面沉积硼硅玻璃BSG薄膜，在KOH溶液中进行制绒处理，在电池正面形成金字塔结构，扩散炉，钝化层生长；丝网印刷、烧结，本发明中通过将非晶硅的高温晶化过程与标准磷扩散工艺在扩散管中一步完成，优化了工艺流程，减少了工艺步骤，从而极大的提高了产能，降低了污染的风险，有利于成本的降低和高转换效率的实现，为规模化应用奠定基础。
一种高效钝化接触太阳电池制备方法

[实用新型]一种去除微晶硅薄膜的量产设备-CN202020911385.8有效
发明人：崔艳峰;袁声召;庄宇峰;万义茂;杨斌;于元元;胡玉婷 -专利权人：东方日升（常州）新能源有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种去除微晶硅薄膜的量产设备，包括依序设置的进料端、第一槽、第一清洗单元、第二槽、第二清洗单元、第三槽、第三清洗单元、第四槽、第四清洗单元、第五槽、烘干处理单元、出料端；第一槽、第二槽设置一种输送结构，该输送结构用于运输硅片经过槽体，且硅片的下表面位于槽体内的处理溶液中，而硅片的上表面高于处理溶液液面，有利于太阳能电池生产良率的进一步提高，同时这样的结构要求的处理溶液较少，相应的处理槽的体积也减小，因此能耗也减小。
一种去除微晶硅薄膜量产设备

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