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[发明专利]内嵌对位量子点填充mini-LED芯片及其制作方法-CN202311098893.3在审
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;郑万乐 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-30 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L33/50 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种内嵌对位量子点填充mini‑LED芯片及其制作方法，所述mini‑LED芯片自下而上依次是蓝宝石衬底、量子点、密封胶、P型窗口层、P电极、P型过渡层、P型限制层、MQW发光层、N型限制层、N型电流扩展层、N型电极保护层、N型欧姆接触层、N电极、复合膜钝化层、焊接电极；量子点对位内嵌在所述蓝宝石衬底上。本发明通过直接在蓝宝石衬底上形成内嵌对位量子点结构，并采用密封胶进行密封，不仅制作简单，不影响芯片制作整体过程，而且保证了量子点材料的稳定性。
对位量子填充 mini led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法-CN202310896576.X有效
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;熊露;熊珊 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-07-21 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01S5/042 文献下载
摘要：本发明涉及垂直腔面发射激光器技术领域，具体是涉及一种AuSn电极背面出光VCSEL芯片及其制备方法，该VCSEL芯片自下而上依次是背面SiN层、GaAs衬底、GaAs缓冲层、N‑DBR、氧化层、N‑限制层、多量子阱有源层、P‑限制层、P‑DBR、GaAs CaP层、P电极、SiN层、N电极、聚酰亚胺、双电极P极和双电极N极，双电极P极和双电极N极位于所述VCSEL芯片同侧，且材料均为Ti/Pt/Au/AuSn金属材料。本发明通过对芯片材料结构进行优化，同时通过优化封装材料及形式，以贴片方式封装，可有效解决VCSEL芯片的散热问题，有利于大规模生产。
一种 ausn 电极背面 vcsel 芯片及其制备方法

[发明专利]一种反极性LED芯片及其制作方法-CN202311054379.X在审
发明人：陈宝;熊露;戴文;林擎宇;王克来;李俊承;郑万乐;熊珊 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-22 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及LED芯片技术领域，具体涉及一种反极性LED芯片及其制作方法。本申请的反极性LED芯片从上至下包括：N面电极、N型半导体层、MQW发光层、P型半导体层、P型窗口层、介质膜缓冲层、镜面金属层、第一键合金属层、第二键合金属层、Si衬底和背面电极；其中，P型窗口层包括GaP基层和图案化表层，GaP基层紧邻P型半导体层设置，介质膜缓冲层包括从上至下依次交替设置的二氧化硅层和二氧化钛层；利用此发明制作的LED芯片，可保证性能稳定，提升LED发光效率。
一种极性 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法-CN202311013167.7在审
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-14 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种镜面包覆结构反极性红光LED芯片及其制作方法，所述LED芯片自下而上依次是背电极、Si基片、第二键合金属层、第一键合金属层、镜面金属层、介质膜层、P型窗口层、P型过渡层、P型限制层、P面波导层、多量子阱、N面波导层、N型限制层、N型电流扩展层、N型粗化层、N型欧姆接触层、钝化保护膜、焊线电极；相邻芯片的镜面金属层不直接连接，并在隔离道对应区域被第一键合金属层填充，形成键合金属层包覆镜面的结构。本发明通过优化金属反射镜的加工过程，形成键合金属层包覆镜面结构，避开隔离道制作和激光切割区域，使镜面金属层在后续加工过程中不受影响，保证LED芯片的性能及可靠性。
一种面包结构极性红光 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种红光micro LED芯片及其制作方法-CN202311027524.5在审
发明人：李俊承;王克来;郑万乐;陈宝 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-08-16 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种红光micro LED芯片及其制作方法，包括在第一GaAs基板上生长外延结构；将其与第二GaAs基板键合在一起；在第二GaAs基板表面沉积保护层，去除第一GaAs基板；进行LED芯片前段工艺；使用临时键合胶覆盖wafer表面，将wafer与临时基板粘结在一起；去除保护层，去除第二GaAs基板和键合层；剥离芯粒，完成制作。本发明通过在红光micro LED芯片制作过程中引入GaAs基板作为制程中间基板，方便去除，同时将临时键合胶键合在透明临时基板上，适合LLO工艺或者热滑移等解键合工艺，解决了红光micro LED芯片外延层转移的难点，良率高，成本低，对巨量转移工艺友好。
一种红光 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法-CN202310579390.1有效
发明人：陈宝;戴文;王克来;李俊承;林擎宇;熊露;熊珊 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2023-05-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体是涉及一种具有氧化层结构反极性圆孔发光LED芯片及其制作方法，包括：在GaAs衬底上，生长出具有氧化层结构的外延片；依次蒸镀镜面层和第一键合层；在Si衬底上蒸镀第二键合层；将外延片和Si衬底键合在一起，并去掉GaAs衬底；在外延片表面制作N标记电极以及环形电极，在环形电极外侧蚀刻出隔离槽，得到圆形台柱；制作氧化孔；以及N焊线电极、P电极；完成后续工序，得到LED芯片。本发明通过对常规LED芯片的结构进行改进，可有效解决现有技术中无法调节光强弱、常规工艺的大出光角度以及封装焊线难的问题，适用性得到大大提高。
具有氧化结构极性圆孔发光 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种纵列全彩显示Micro-LED芯片及其制作方法-CN202310825777.0在审
发明人： 王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种纵列全彩显示Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片从下至上依次包括红光芯片层、滤光层、绿光芯片层、蓝宝石衬底、蓝光芯片层；红光芯片层、绿光芯片层、蓝光芯片层自下而上纵向堆叠组装。本发明通过将红、绿、蓝光三种外延结构纵向堆叠组装，在红光外延层和绿光外延层之间设置有滤光层，滤光层可以反射蓝绿光，红光可以透射过去，使得三种外延结构可以独立发光，形成了纵向排列的全彩显示Micro‑LED；该制作方法简单，在降低了LED器件的制作和转移过程中的工艺难度的同时提高了LED器件的光电性能和稳定性。
一种纵列全彩显示 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种Micro-LED芯片及其制作方法-CN202310408825.6有效
发明人： 王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-18 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片包括P电极、N电极、钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、GaAs衬底；第一半导体层由GaP窗口层和P‑AlGaInP限制层组成；第二半导体层由N‑AlGaInP限制层、GaAs接触层、N‑AlGaInP电流扩展层和GaAs牺牲层组成；GaAs牺牲层被去除后，第二半导体层与GaAs衬底之间呈镂空状态，并在靠近P电极一侧通过钝化层连接。本发明设计多个AlGaInP和GaAs层叠循环结构，通过对外延层进行湿法刻蚀，无需进行衬底转移，能有效避免衬底转移过程中的良率损失，提高工作效率和成品率，工艺简单，可满足规模化应用。
一种 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种具有本体反接二极管AlGaInP LED及其制备方法-CN202211464825.X在审
发明人：李俊承;王克来;管关城;郑万乐;熊珊;陈宝;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯迅光电股份有限公司
申请日： 2022-11-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体为一种具有本体反接二极管AlGaInP LED及其制备方法，该LED包括本体LED和微型二极管，本体LED包括蓝宝石基板、GaP层、LED发光台面、LED P电极、LED N电极、钝化层、P焊盘电极和N焊盘电极；微型二极管包括二极管台面、二极管P电极、二极管N电极；微型二极管在本体LED一侧，并与LED发光台面相独立；钝化层在焊盘电极制作前覆盖整个器件表面；二极管P电极通过N焊盘电极与LED N电极相连接；二极管N电极通过P焊盘电极与LED P电极相连接。本发明通过改变芯片版图设计，在LED器件旁边制作微型二极管结构，并与LED本体反向连接，在LED遭受反向电压或电流冲击的时候，实现对LED本体的保护，提高抗反向静电击穿能力和可靠性。
一种具有本体反接二极管 algainp led 及其制备方法

[发明专利]一种红光Micro-LED芯片及其制作方法-CN202211330515.9有效
发明人： 王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及Micro‑LED技术领域，具体涉及一种红光Micro‑LED芯片及其制作方法，该芯片包括第一钝化层、第一半导体层、发光层、第二半导体层、第二钝化层、第一电极和第二电极；第一钝化层和第二钝化层将整个外延层芯片包裹；第一钝化层由Fe2O3@SiO2复合材料溅射而成。本发明通过引入牺牲层和蓝宝石临时衬底，可以得到外延层被第一钝化层和第二钝化层包裹的无衬底红光Micro‑LED芯片，该制备方法工艺简单，工作效率及成品率高，得到的红光Micro‑LED芯片产品质量稳定、可靠，可满足大规模商业化应用。
一种红光 micro led 芯片及其制作方法

[发明专利]具有P面薄膜导电层的红光mini LED及其制备方法-CN202211118351.3有效
发明人：李俊承;王克来;郑万乐;林擎宇;梁文科;陈宝;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明具体涉及一种具有P面薄膜导电层的红光mini LED及其制备方法，该LED包括蓝宝石基板、SiO2键合层、ZnO/Ag/ZnO薄膜导电层、P型欧姆接触点、P型预留电极接触点、外延层、N电极、钝化层和焊盘电极；ZnO/Ag/ZnO薄膜导电层位于SiO2键合层和外延层之间，并连接P型欧姆接触点；P型欧姆接触点均匀分布在外延层的P型GaP层表面；P型预留电极接触点位于P型GaP层表面的一侧。本发明在P型GaP表面制作均匀分布的P型欧姆接触点，用薄膜导电层连接所有的P型欧姆接触点，形成整面的P电极，使得电流分布非常平均，降低GaP材料厚度的同时，提升电流扩展能力，提高发光效率。
具有薄膜导电红光 mini led 及其制备方法

[发明专利]一种无台阶mini LED芯片及其制作方法-CN202211140048.3在审
发明人： 王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种无台阶mini LED芯片及其制作方法，该芯片包括蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、钝化层、聚酰亚胺层、P电极和N电极；聚酰亚胺层位于P电极与P型半导体层之间，与钝化层表面平齐并填充整个台阶。本发明通过利用聚酰亚胺将台阶处填平，使得芯片表面变得平坦，得到一种无台阶mini LED芯片，可以有效解决芯片在焊接时出现的仰翘问题和推力差异问题，可靠性好。
一种台阶 mini led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种具有周期分布接触点电极的AlGaInP mini LED及其制备方法-CN202210877299.3在审
发明人：李俊承;王克来;郑万乐;林擎宇;梁文科;陈宝;熊珊;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-25 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种具有周期分布接触点电极的AlGaInP mini LED及其制备方法，包括以下具体步骤：在GaAs基板上生长AlGaInP mini LED的外延结构；通过键合翻转，将外延层转移至蓝宝石衬底上；制作台面，制作P电极；制作周期阵列分布的GaAs欧姆接触点，制作N接触点电极；表面蒸镀ITO并进行蚀刻；制作N电极；沉积钝化层，并蚀刻接触孔；制作焊盘电极；进行激光隐形切割、劈裂，完成芯粒制作。本发明在整个芯片的表面，制作出周期性阵列分布的GaAs欧姆接触点，在整体GaAs材料面积与手指型电极相同或更小的情况下，使电流分布更加均匀，提高芯片整体的发光效率。
一种具有周期分布接触电极 algainp mini led 及其制备方法

[发明专利]一种miniLED芯片及其制作方法-CN202210663704.1有效
发明人： 王克来;李俊承;陈宝;戴文;潘彬;王向武 -专利权人：南昌凯捷半导体科技有限公司
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L33/64 文献下载
摘要：本发明涉及LED技术领域，具体涉及一种mini LED芯片及其制作方法，该芯片包括蓝宝石衬底、键合层、P型半导体层、发光层、N型半导体层、P接触电极、N接触电极、石墨导热层、钝化层、P电极和N电极；石墨导热层由氧化钛和石墨组成；钝化层与石墨导热层相对应的表面设计贯穿钝化层的散热孔，散热孔用石墨回填且与石墨导热层相接触。本发明通过在mini LED芯片中加入石墨导热层，同时在钝化层表面设计散热孔并用石墨回填，利用石墨超强的导热能力，可以有效将mini LED芯片工作时产生的热量传导出去，降低芯片自身的温度，提高芯片光电性能的稳定性，进而有效延长芯片的使用寿命。
一种 miniled 芯片及其制作方法

[实用新型]一种用于医用电子直线加速器除湿机的储水自动控制系统-CN202220344168.4有效
发明人：朱银;王克来 -专利权人：上海卓亚医疗科技有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： F24F3/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种用于医用电子直线加速器除湿机的储水自动控制系统，该系统设于医用电子直线加速器所在机房内，包括储水水箱(1)、水位传感器(4)、水泵(3)和控制系统(2)，所述储水水箱(1)的水箱入水口(7)连接除湿机的出水管，多个水位传感器(4)设于所述储水水箱(1)的不同高度，各水位传感器(4)分别连接所述控制系统(2)，所述控制系统(2)连接所述水泵(3)，所述水泵(3)的一端连接储水水箱(1)的水箱出水管(5)，另一端连接水泵排水管(6)。与现有技术相比，本实用新型具有省时省力、控制方便等优点。
一种用于医用电子直线加速器除湿机储水自动控制系统

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