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[发明专利]浮置栅极隔离件及其制造方法-CN201610956796.7在审
发明人：许世禄;谢炳邦;吕思贤;林玉珠 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本发明的实施例涉及一种半导体器件，包括衬底、隧穿氧化物层、浮置栅极、隔离层和控制栅极。隧穿氧化物层设置在衬底上。浮置栅极设置在隧穿氧化物层上。隔离层覆盖浮置栅极的顶部并且在周边包围隧穿氧化物层和浮置栅极。控制栅极设置在隔离层的顶部上方。本发明的实施例还涉及浮置栅极隔离件及其制造方法。
栅极隔离及其制造方法

[发明专利]晶体管及其制造方法、半导体单元及其制造方法、显示器-CN201310055821.0有效
发明人：诸沢成浩;豊田基博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2013-09-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造晶体管的方法包括：在基板上形成氧化物半导体膜和栅电极，所述氧化物半导体膜具有沟道区，且所述栅电极面向所述沟道区；以及形成覆盖所述栅电极和所述氧化物半导体膜的绝缘膜。通过所述基板抑制水分从所述绝缘膜渗透进入所述氧化物半导体膜。
晶体管及其制造方法半导体单元显示器

[发明专利]电解电容器的电极-CN200710004357.7有效
发明人：黄震宇;蔡丽端 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2007-01-24 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：一种电解电容器的电极，包含基材以及形成于基材表面的金属氧化物，其中，该金属氧化物由前体与基材表面的功能基团进行化学反应，通过化学键结形成于该基材表面。该电极基材表面覆盖有金属氧化物，可以有效提高电极电容量，且该金属氧化物通过化学键结形成于该基材表面，具有不易剥离的优点，特别适合用作为电解电容器的电极。
电解电容器电极

[发明专利]用于提高耐腐蚀性的封堵阳极氧化物-CN201910459794.0有效
发明人： J·A·柯伦;H·李;N·A·狄克逊 -专利权人：苹果公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H05K5/00 文献下载
摘要：本公开涉及用于提高耐腐蚀性的封堵阳极氧化物。本申请涉及用于便携式电子设备的外壳。外壳包括金属衬底和覆盖金属衬底的脱水阳极化层。脱水阳极化层包括孔和金属氧化物材料，孔具有从脱水阳极化层的外表面朝向金属衬底延伸的开口，金属氧化物材料封堵孔的开口，其中金属氧化物材料的浓度介于约3wt％至约10wt％之间。
用于提高腐蚀性封堵阳极氧化物

[发明专利]锌负极蓄电池-CN97108517.X无效
发明人：刘建政 -专利权人：刘建政
申请日： 1997-06-02 - 公布日： 1997-12-24 - 主分类号： H01M4/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种锌负极蓄电池，其特征在于负极活性材料的表面覆盖着一层镁的氧化物或氢氧化物，还可以采用钙的氧化物或氢氧化物。本发明彻底的阻止了锌晶枝的生长能力，克服了电池内短路问题。
负极蓄电池

[发明专利]栅极控制变容管结构及其生产方法-CN200810018719.2无效
发明人：丁国华;周烨;贺洁;胡斌 -专利权人：无锡硅动力微电子股份有限公司
申请日： 2008-01-22 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L29/93 文献下载
摘要：按照本发明提供的技术方案，在埋层的上面有外延；在外延内的上部有P型阱区；在P型阱区的上部有P+离子注入，并且从P+离子注入需要引出的地方有合金引出，该合金引出作为基准电位的输入端；在P型阱区的表面生长出栅氧化物和场氧化物，并且在栅氧化物和场氧化物的上面生长覆盖物栅多晶；在对应于场氧化物正上方的栅多晶处形成合金引出，作为变容管电容的控制端；在对应于埋层边缘处的外延内有深磷，并且深磷的下端与埋层相连；从深磷的上端需要引出的地方有合金引出，作为电源端；在栅多晶和合金引出以外的外延的上表面覆盖有场氧化物。
栅极控制变容管结构及其生产方法

[发明专利]涂层、净化组件及其制备方法和应用-CN201510734130.2在审
发明人：王钰 -专利权人：广东美的制冷设备有限公司;美的集团股份有限公司
申请日： 2015-10-30 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： B01J20/06 文献下载
摘要：所述涂层含有硅氧化物、铝氧化物、过渡金属氧化物、稀土金属氧化物、碳化物、磷化物和氮化物中的至少一种。该涂层可以有效去除空气中的化学污染物，并且具有显著的杀菌效果，从而可以达到净化空气的目的。所述净化组件包括：受热绝缘件，受热绝缘件的内部具有沟槽；覆盖层，覆盖层形成在受热绝缘件的至少一部分外表面上；加热件，加热件的至少一部分设置在沟槽中，其中，覆盖层的至少一部分为上述所述的涂层。
涂层净化组件及其制备方法应用

[发明专利]非水电解质二次电池-CN202180025260.2在审
发明人：辻田卓司;浅香圭亮;坂田基浩 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2021-03-23 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01M10/0567 文献下载
摘要：非水电解质二次电池具备：正极、负极和非水电解质，正极具备：含有锂和过渡金属的复合氧化物、和覆盖复合氧化物表面的至少一部分的添加剂。添加剂包含：金属氧化物、和磷酸酯化合物，磷酸酯化合物在1分子内具有至少1个烯基。
水电二次电池

[发明专利]芯片键合对准结构与键合芯片结构及其制作方法-CN202011589292.9在审
发明人：杨晋嘉;蔡馥郁;林大钧;蔡滨祥 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片键合对准结构与键合芯片结构及其制作方法，其中该芯片键合对准结构包括:半导体芯片、金属层、蚀刻停止层、至少一个金属凸丘、介电阻障层、硅氧化物层以及碳氮化硅层。蚀刻停止层覆盖于键合表面和该金属层上。金属凸丘由金属层向上延伸穿过蚀刻停止层，介电阻障层覆盖于蚀刻停止层和金属凸丘上。硅氧化物层覆盖于介电阻障层上。碳氮化硅层覆盖于硅氧化物层上。
芯片对准结构及其制作方法

[发明专利]一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置-CN201810419696.X有效
发明人：徐攀;林奕呈;盖翠丽;王玲;李永谦 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2018-05-04 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种有机发光二极管显示基板及其制作方法、显示装置，该制作方法包括：在衬底基板上形成PIN光电二极管、覆盖PIN光电二极管的绝缘保护层和氧化物薄膜晶体管，形成PIN光电二极管的步骤早于形成氧化物薄膜晶体管的有源层的步骤，形成覆盖PIN光电二极管的绝缘保护层的步骤早于形成氧化物薄膜晶体管的源电极和漏电极的步骤。本发明中，在形成氧化物薄膜晶体管的有源层之前形成PIN光电二极管，因而PIN光电二极管的制备工艺不会对氧化物薄膜晶体管的有源层造成影响。在形成氧化物薄膜晶体管的源电极和漏电极之前，形成覆盖PIN光电二极管的绝缘保护层，因而形成源电极和漏电极的湿刻工艺不会对PIN光电二极管造成影响。
氧化物薄膜晶体管绝缘保护层漏电极源电极源层有机发光二极管显示基板显示装置覆盖制作衬底基板制备工艺

[发明专利]热敏头以及热敏打印机-CN201680062831.9有效
发明人：石井义伸 -专利权人：京瓷株式会社
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： B41J2/335 文献下载
摘要：本公开的热敏头(X1)具有：基板(7)；发热部(9)，位于基板(7)上；电极(17)，位于基板(7)上，与发热部(9)连结；保护层(25)，覆盖发热部(9)以及电极(17)，在表面具有凹陷(25b)；金属的粒子(16)，位于凹陷(25b)的内部；和氧化物(18)层，覆盖粒子(16)，包含金属的氧化物。氧化物(18)层的表面向外部露出，并且位于比凹陷(25b)的周围的保护层(25)的表面(25a)更凹陷的位置。
凹陷发热部氧化物基板电极保护层热敏头粒子金属热敏打印机覆盖连结外部

[发明专利]一种基于多层透明导电氧化物的可调控三维光学隐身斗篷-CN201710062095.3在审
发明人：曹暾 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2017-01-31 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： G02F1/29 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于多层透明导电氧化物的可调控三维光学隐身斗篷。该可调控三维光学隐身斗篷通过透明导电氧化物组成的表面覆盖壳层实现。其中，表面覆盖壳层为多个透明导电氧化物环层自下而上叠加构成，通过控制不同环层中透明导电氧化物的自由电子密度，可以使每层对应不同的介电常数和磁导率，获得光学隐身所需的三维介电常数和磁导率分布，让本该通过隐身斗篷区域的光线同时，通过循环控制每个环层中透明导电氧化物的自由电子密度，实现光学隐身斗篷的实时开/关性能，从而克服了光学隐身斗篷不能循环开关的缺点。
一种基于多层透明导电氧化物调控三维光学隐身斗篷

[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法-CN202011484960.1在审
发明人：今井元;大东彻;上田辉幸;原义仁;前田昌纪;川崎达也;平田义晴;菊池哲郎 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：提供具备顶栅型的氧化物半导体TFT并且能抑制由ESD导致的源极‑栅极间的漏电的有源矩阵基板。有源矩阵基板具备多个源极总线、覆盖源极总线的下部绝缘层、形成在下部绝缘层的上方的多个栅极总线、以及与各像素区域对应配置的氧化物半导体TFT，氧化物半导体TFT具有：氧化物半导体层，其配置在下部绝缘层上；以及栅极电极，其配置在氧化物半导体层的上方，形成在与栅极总线不同的层，并且与配置在相邻的像素区域的栅极电极分离配置，栅极电极由层间绝缘层覆盖，栅极总线配置在层间绝缘层上、以及形成于层间绝缘层的栅极接触孔内
有源矩阵及其制造方法

[发明专利]空气隧道浮栅存储单元及其制造方法-CN201010271590.3有效
发明人：吕函庭;赖二琨;谢光宇 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2006-05-12 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：一种空气隧道浮栅存储单元，包括将空气隧道限定在衬底上，将第一多晶硅层(浮栅)限定在空气隧道上，将氧化物层沉积在第一多晶硅层上，使得氧化物层覆盖第一多晶硅层，并且限定空气隧道的侧壁，将第二多晶硅层作为字线限定在氧化物层上本发明也公开了一种制造空气隧道浮栅存储单元的方法，将牺牲层形成在衬底上，将第一多晶硅层形成在牺牲层上，将氧化物层沉积在第一多晶硅层上，使得氧化物层覆盖第一多晶硅层，并且限定牺牲层的侧壁，使用热磷酸(H3PO4
空气隧道存储单元及其制造方法

[发明专利]显示装置-CN200910204759.0有效
发明人：山崎舜平;秋元健吾;小森茂树;鱼地秀贵;二村智哉;笠原崇广 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2009-09-30 - 公布日： 2010-06-02 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的名称为显示装置，为了利用包括氧化物半导体的显示装置的性质，具有适当结构和小占用面积的保护电路等是必要的。保护电路使用非线性元件来形成，非线性元件包括：覆盖栅电极的栅绝缘膜；在栅绝缘膜之上的第一氧化物半导体层；沟道保护层，覆盖与第一氧化物半导体层的沟道形成区重叠的区域；以及第一布线层和第二布线层，它们的每个通过堆叠导电层和第二氧化物半导体层并且在第一氧化物半导体层之上形成
显示装置