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- [发明专利]阵列基板及显示面板-CN202011072853.8在审
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彭浩
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武汉华星光电半导体显示技术有限公司
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2020-10-09
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2021-01-22
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H01L29/786
- 一种阵列基板及显示面板，阵列基板包括衬底、多个低温多晶硅薄膜晶体管、多个氧化物薄膜晶体管、以及有机平坦层，所述氧化物薄膜晶体管包括金属氧化物半导体层，所述有机平坦层设置于所述低温多晶硅薄膜晶体管和所述氧化物薄膜晶体管上，其中，所述有机平坦层与所述金属氧化物半导体层之间设置有阻挡层，所述阻挡层覆盖所述金属氧化物半导体层。通过在金属氧化物半导体层的上方设置阻挡层，来阻挡邻近有机层离子的渗透和外部的光照，从而提高金属氧化物器件的稳定性；另外，该阻挡层可利用制备金属氧化物薄膜晶体管的源漏极的金属层来形成，不必增加新的工艺制程
- 阵列显示面板
- [发明专利]半导体结构的制造方法-CN200910195218.6有效
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朱瑜杰;陈宏璘;孙强;阎海滨
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中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
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2009-09-04
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2011-04-13
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H01L21/28
- 本发明提供了一种半导体结构的制造方法包括步骤：提供半导体基底，所述半导体基底中具有STI；在具有STI的半导体基底上形成第一多晶硅栅极；在STI和第一多晶硅栅极上依次形成氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构；在所述氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构上形成多晶硅层；对所述多晶硅层刻蚀，去除所述第一多晶硅栅极对应位置以外的多晶硅层，即在所述第一多晶硅栅极对应位置上形成第二多晶硅栅极；对所述氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构进行刻蚀，去除未被第二多晶硅栅极覆盖的氧化物-氮化物-氧化物的叠层结构，该刻蚀对氮化物与氧化物的刻蚀选择比大于1；清洗去除所述叠层结构的残余物。本发明可以减少半导体结构表面的氮化物残余。
- 半导体结构制造方法
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