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[发明专利]一种异质结构薄膜衬底的制备方法-CN202011334127.9有效
发明人：黄凯;欧欣;赵晓蒙 -专利权人：上海新硅聚合半导体有限公司
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N30/072 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料制备领域，本发明公开了一种异质结构薄膜衬底的制备方法。该制备方法的具体步骤如下：提供临时键合连接的第一压电衬底和第二压电衬底，该第一压电衬底设于该第二压电衬底上；向该第一压电衬底进行离子注入，经过离子注入后的第一压电衬底与支撑衬底键合，得到异质结构衬底；对该异质结构衬底进行解键合、退火、剥离转移和后处理，得到异质结构薄膜衬底。本发明提供的异质结构薄膜衬底的制备方法具有降低离子注入后的压电衬底的形变和异质键合结构退火热应力的特点。
一种结构薄膜衬底制备方法

[发明专利]半导体器件与其制作方法-CN201811339671.5在审
发明人：王英辉;尚海平;王玮冰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2018-11-12 - 公布日： 2020-05-19 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：该制作方法包括：提供第一待键合结构，第一待键合结构包括具有凹槽的第一衬底，第一衬底的材料包括碳化硅；提供第二待键合结构，第二待键合结构包括依次叠置设置的第二衬底、感应层和形变层，感应层的材料包括基体材料和N型或P型的掺杂杂质；将第一待键合结构和第二待键合结构键合，使得形变层的远离感应层的表面与凹槽两侧的第一衬底的表面接触，且形变层和凹槽形成感应空腔；去除第二衬底。
半导体器件与其制作方法

[发明专利]半导体芯片的热压缩键合-CN201310115912.9有效
发明人：张耀明;卢灿然;李明;麦易康;林嘉燊 -专利权人：先进科技新加坡有限公司
申请日： 2013-04-03 - 公布日： 2013-10-30 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种热压缩键合，准备晶粒进行热压缩键合，首先将晶粒上的电气触点和衬底上的键合盘对齐定位，该晶粒将被安装至该衬底上；在对齐定位晶粒之后，使用键合工具将晶粒上的电气触点抵靠于衬底上的键合盘固定；通过提供热量至晶粒的局部以将晶粒的局部处的温度提升至电气触点所包含的焊料的熔点之上以致于熔融设置在晶粒所述局部的电气触点的至少部分焊料的方式，将晶粒部分键合至衬底上；其后将整个晶粒热压缩，和加热至电气触点的焊料的熔点之上，以便于位于晶粒所述局部之外的电气触点的焊料也被熔融而将晶粒键合至衬底上。
半导体芯片压缩

[发明专利]一种柔性InP HBT器件及其制备方法-CN201911053381.9有效
发明人：吴立枢;戴家赟;程伟;王元;孔月婵 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性InP HBT器件及其制备方法，器件包括柔性衬底以及形成于所述柔性衬底上键合有键合层，所述键合层上结合有停止层，所述停止层上设置有InP HBT器件。制备方法为首先在InP衬底上正向生长带有停止层的InP HBT外延结构，然后在该InP HBT外延片上完成器件及电路制备，再在临时载片正面旋涂可逆临时键合材料，将完成电路工艺的InP HBT外延片与临时载片正面相对进行临时键合，对InP衬底背面进行选择性去除直至停止层，在InP HBT外延层背面制作键合材料，将InP HBT外延层背面与柔性衬底进行键合，最后将InP HBT外延层与临时载片分离，得到柔性InP HBT器件。
一种柔性 inp hbt 器件及其制备方法

[实用新型]衬底键合用对准定位夹具-CN202020430103.2有效
发明人：王云翔;冒薇;段仲伟;马冬月;祝翠梅;姚园;许爱玲 -专利权人：苏州美图半导体技术有限公司
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： B25B11/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种对准定位夹具，尤其是一种衬底键合用对准定位夹具，属于晶圆键合定位的技术领域。在下压头上设置衬底切边弹性销以及衬底外缘弹性销，在底座上设置弹性阻尼旋转机构，利用弹性切边弹性销、衬底外缘弹性销以及弹性阻尼旋转机构的衬底挡片与衬底的相应接触配合，能实现将衬底锁定在下压头上，实现两块衬底的对准定位，为后续衬底的键合提供保障，提高键合效率以及键合良率，使用方便，安全可靠。
衬底合用对准定位夹具

[发明专利]集成式半导体装置的制备方法和集成式半导体装置-CN202110675282.5在审
发明人：李勇 -专利权人：格芯致显（杭州）科技有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成式半导体装置的制备方法和集成式半导体装置，包括：提供第一衬底，并在第一衬底表面形成第一非金属键合材料层；提供第二衬底，并在第二衬底表面形成器件材料层；在器件材料层表面形成第二非金属键合材料层；将第二非金属键合材料层和第一非金属键合材料层进行键合形成非金属键合层；去除第二衬底；对器件材料层进行图形化刻蚀以获得含有至少一个半导体器件的器件层。本发明通过非金属键合方式，避免了金属键合后图形化刻蚀金属四溢以及清洗金属粒子残留导致的漏电问题，本发明通过非金属键合方式，形成了有效的刻蚀高选择比，增加了工艺窗口并提高了可行性。
集成半导体装置制备方法

[发明专利]半导体装置的制备方法和半导体装置-CN202111519890.3在审
发明人：李勇;陈京华 -专利权人：格芯致显（杭州）科技有限公司
申请日： 2021-12-13 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置的制备方法和半导体装置，包括：提供第一衬底，并在第一衬底表面形成第一非金属键合材料层；提供第二衬底，并在第二衬底表面形成器件材料层；在器件材料层表面形成第二非金属键合材料层；将第二非金属键合材料层和第一非金属键合材料层进行键合形成非金属键合层；去除第二衬底；对器件材料层进行图形化刻蚀以获得含有至少一个半导体器件的器件层。本发明通过非金属键合方式，避免了金属键合后图形化刻蚀金属四溢以及清洗金属粒子残留导致的漏电问题，本发明通过非金属键合方式，形成了有效的刻蚀高选择比，增加了工艺窗口并提高了可行性。
半导体装置制备方法

[发明专利]相变存储器的形成方法-CN202210847952.1在审
发明人：宋倩倩;洪齐元;彭国发;朱梦丽;沈茜;饶钦龙 -专利权人：芯盟科技有限公司
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种相变存储器的形成方法，包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括第一面，所述第二衬底包括相对的第二面和第三面；在所述第一面上形成第一键合层，所述第一键合层内包括逻辑器件；在所述第二面上形成第二键合层，所述第二键合层内包括第一金属互连层以及与所述第一金属互连层电连接的相变存储结构；将所述第一键合层和所述第二键合层相键合，使所述相变存储结构与逻辑器件电连接；在所述键合工艺之后，自所述第三面对所述第二衬底进行减薄处理，直到暴露出所述第一金属互连层表面，通过键合进行组装获得相变存储器，可缩短整个工艺流程时间，且有利于提升产品的整体良率，降低生产成本。
相变存储器形成方法

[发明专利]半导体应变弛豫材料的制作方法-CN200610089447.6无效
发明人：成步文;姚飞;薛春来;张建国;左玉华;王启明 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-06-28 - 公布日： 2008-01-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种半导体应变弛豫材料的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)在硅衬底上生长应变的锗硅薄膜；(2)在衬底上制作柔性键合介质；(3)将步骤(1)的锗硅薄膜/硅衬底与步骤(2)的衬底/柔性键合介质柔性键合，锗硅薄膜与柔性键合介质相对；(4)将硅衬底去除；(5)对去除硅衬底后的材料进行热处理，使锗硅薄膜的应变发生弛豫，形成锗硅半导体应变弛豫材料。
半导体应变材料制作方法

[发明专利]使用加热键合头的直接晶粒装配-CN200910180727.1有效
发明人：李明;丁颖;屠平亮;罗敬铭;钟国基 -专利权人：先进自动器材有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合包含有焊料层的晶粒的方法，焊料层具有熔点Tm，该方法包含有以下步骤：将键合头加热到键合头设定温度T1，T1高于Tm；将衬底加热到衬底设定温度T2，T2低于Tm；使用键合头拾取晶粒，并朝向温度T1加热晶粒，以便于熔化焊料层；将晶粒的焊料层按压在衬底上，以便于键合晶粒到衬底上；其后将键合头与晶粒分开，以便于焊料层朝向温度T2冷却并固化。
使用热键直接晶粒装配

[发明专利]具有嵌入式镜面的工程衬底-CN201780009220.2有效
发明人：埃里克·圭奥特;A·图辛;T·辛格纳马切克斯;E·拉古特 -专利权人：索泰克公司;法国原子能和替代能源委员会
申请日： 2017-01-27 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01L31/0725 文献下载
摘要：工程衬底包括：由用于太阳能电池生长的第一半导体材料制成的种子层；在种子层上的第一键合层；由第二半导体材料制成的支持衬底；在支持衬底的第一侧上的第二键合层；第一和第二键合层之间的键合界面；第一和第二键合层各自由金属材料制成；其中，选择工程衬底的掺杂浓度和厚度，特别是种子层、支持衬底以及第一和第二键合层的掺杂浓度和厚度，使得种子层的吸收小于20％，优选小于10％，并且工程衬底的总面积归一化串联电阻小于10mOhm·cm
具有嵌入式工程衬底

[发明专利]带有空腔的衬底的制备方法-CN201310175322.5无效
发明人：叶斐;马乾志;王中党;陈国兴;陈猛 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有空腔的衬底的制备方法，包括如下步骤：提供支撑衬底和器件衬底，所述支撑衬底用于键合的表面内具有凹槽；在真空环境下将支撑衬底和器件衬底键合在一起；减薄器件衬底至预定厚度。本发明的优点在于，键合是在真空中进行的，即使器件衬底变薄，外界对空腔的压力也是由外向内的，这个压力只会对支撑衬底和器件衬底之间的键合结合面起到加固的作用，而不会导致碎片。
带有空腔衬底制备方法

[发明专利]一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法-CN201710018987.3有效
发明人：汪青;刘丹丹;张国义;梁文林 -专利权人：东莞市中镓半导体科技有限公司
申请日： 2017-01-11 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：一种用于GaN生长的具有隔离保护层的复合衬底制备方法，包括以下步骤：在蓝宝石衬底上外延生长GaN外延层得到蓝宝石基GaN复合衬底；在蓝宝石基GaN复合衬底上的GaN外延层表面制备隔离保护层，使用粘接剂将隔离保护层连接到临时转移衬底上，去除原蓝宝石衬底；在GaN外延层和导热导电转移衬底上分别制备键合介质层，然后通过该键合介质层将GaN外延层和导热导电转移衬底进行键合，实现GaN外延层表面与导热导电转移衬底的键合；键合过程中临时转移衬底脱落，保留或者去除隔离保护层，从而得到相应的GaN基复合衬底。
一种用于 gan 生长具有隔离保护层复合衬底制备方法

[发明专利]复合元件、衬底叠层及分离方法、层转移及衬底制造方法-CN00101844.2无效
发明人：柳田一隆;近江和明;坂口清文;栗栖裕和 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2000-02-02 - 公布日： 2000-08-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：键合第一与第二衬底而形成的键合衬底叠层被恰当地分离。具有内部多孔层以及多孔层上的单晶硅层和绝缘层的第一衬底(10)与第二衬底,在偏离中心位置的情况下紧密接触,以便制备具有突出部分的键合衬底叠层(30),第一衬底(10)的外边沿在突出部分处突出到第二衬底(首先,将流体喷射到突出部分以形成分离开始部分(40),然后,在旋转键合衬底叠层(30)时,从分离开始部分(40)开始分离。
复合元件衬底分离方法转移制造

[实用新型]一种无荧光粉的白光LED芯片及复合基板-CN202220906036.6有效
发明人：王峰;汪欢;赵海琴;陈素;慈欣欣 -专利权人：苏州瑞而美光电科技有限公司
申请日： 2022-04-19 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种无荧光粉的白光LED芯片，包括衬底，所述衬底具有第一表面和第二表面，所述第一表面设置有图形化结构，所述第二表面为抛光面，在所述衬底的第一表面设置有LED外延结构层，所述衬底的第二表面键合有第一键合基板，第一键合基板的另一表面键合有第二键合基板，得到复合基板，第一键合基板为掺镍离子的黄色氧化铝单晶衬底，第二键合基板为掺铬离子的红色氧化铝单晶衬底。用外延结构层量子阱中发出的蓝光来激发黄色氧化铝单晶衬底中的黄光和红色氧化铝单晶衬底中的红光，使得蓝光、黄光、红光混色形成低色温高显色指数白光。
一种荧光粉白光 led 芯片复合