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[发明专利]半导体发光元件及其发光装置-CN202211728098.3在审
发明人：熊伟平;高迪;吴志伟;郭桓卲;彭钰仁;邱树添 -专利权人：天津三安光电有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体发光元件及其发光装置，其中半导体发光元件，包括：透明衬底、透明键合层、半导体叠层；透明键合层介于透明衬底和半导体叠层之间；半导体叠层包括第一半导体叠层、发光层和第二半导体叠层；所述的透明衬底具有朝向半导体叠层的第一表面，所述的透明衬底的第一表面具有不平整结构；所述的半导体叠层具有朝向透明衬底的第一表面；所述的透明键合层包括第一键合层，所述第一键合层接触所述透明衬底的第一表面，并且所述的第一键合层的折射率低于透明衬底的折射率利用透明键合层和透明衬底的优化设计，确保键合质量的同时提高半导体发光元件的光提取效率。
半导体发光元件及其装置

[发明专利]具有平的结构的模块和用于装配的方法-CN200780026988.7无效
发明人： C·布洛克;S·布鲁纳;C·霍夫曼 -专利权人：埃普科斯股份有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：提出一种用于电的器件的模块，其中在多层的衬底上设有集成的线路，且在所述衬底上设有可键合的连接面，在上方将器件芯片粘贴到所述衬底上，所述器件芯片的向上的表面具有键合垫，所述器件芯片通过键合引线与所述衬底接触在此这些键合引线如下布线，即它们分别通过焊球键合到连接面上，且通过楔形部直接键合到键合垫上。
具有结构模块用于装配方法

[实用新型]半导体装置和半导体键合结构-CN202121272490.2有效
发明人：曾志翔;黄穗麒 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-06-08 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本申请是关于半导体装置和半导体键合结构。在本申请的一些实施例中，本申请提供了一种半导体装置，其包括：衬底；电介质层；第一键合焊盘；及第二键合焊盘。衬底具有第一表面。电介质层邻近于衬底的第一表面设置。第一键合焊盘设置在电介质层中。第二键合焊盘设置在电介质层中，其中第一键合焊盘在衬底的第一表面上的投影面积大于第二键合焊盘在衬底的第一表面上的投影面积。本申请提供的半导体装置和半导体键合结构具有便于实现键合焊盘的对准和更好的键合强度的优点。
半导体装置结构

[发明专利]采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法-CN200910199624.X有效
发明人：王曦;魏星;王湘;李显元;张苗;林成鲁 -专利权人：上海新傲科技股份有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2009-11-27 - 公布日： 2010-05-12 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种采用腐蚀工艺形成带有绝缘埋层的衬底的方法，包括如下步骤：提供一支撑衬底以及一键合衬底，所述支撑衬底表面具有绝缘层，所述键合衬底表面具有自停止层，所述自停止层表面具有薄膜半导体层；以薄膜半导体层和绝缘层的暴露表面为键合面将支撑衬底与键合衬底键合；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀键合衬底的第一腐蚀液，将键合衬底腐蚀除去；采用旋转腐蚀工艺和选择腐蚀自停止层的第二腐蚀液，将自停止层腐蚀除去。本发明的优点在于，采用旋转腐蚀工艺腐蚀支撑衬底和自停止层，可以避免腐蚀液浸入到自停止层和薄膜半导体层而对薄膜半导体层和绝缘层进行腐蚀，因此能够保证最终产品结构的完整性。
采用腐蚀工艺形成带有绝缘衬底方法

[发明专利]键合片的分离装置及其分离方法-CN202311062453.2有效
发明人：张向鹏;王晓宇;郭超;母凤文 -专利权人：青禾晶元（晋城）半导体材料有限公司
申请日： 2023-08-23 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10N30/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种键合片的分离装置及其分离方法，涉及半导体芯片制造技术领域。键合片包括支撑衬底和压电材料衬底，压电材料衬底包括余料衬底和薄膜层，薄膜层位于支撑衬底和余料衬底之间，键合片的分离装置用于将余料衬底与薄膜层分离，键合片的分离装置包括分离器、支撑台和压杆，分离器内设有分离腔支撑台设于分离腔内，支撑台内设置有加热器，支撑台用于支撑键合片，并对键合片加热。压杆可移动的设置于分离器上，压杆包括压头，压头与支撑台相对设置，且压头具有冷却功能，压杆能移动至压头与余料衬底抵接，压头用于对余料衬底施加压力和冷却。使用该键合片的分离装置实现了压电材料衬底的重复利用，降低了成本。
键合片分离装置及其方法

[发明专利]显示面板及显示装置-CN202310956460.0在审
发明人：冯一恒;单庆山;黄寅虎;杨盛际;白枭;和永红;张大成 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;云南创视界光电科技有限公司
申请日： 2023-07-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：其中，显示面板包括：衬底，包括显示区和围绕显示区的周边区，周边区包括绑定区。至少一个子像素，位于衬底的一侧且位于显示区，且包括显示驱动电路和发光元件，显示驱动电路被配置为驱动发光元件发光。键合衬垫，位于绑定区，且与外接驱动电路板绑定。键合衬垫与多条走线都位于衬底内。至少一个子像素通过位于衬底内的多条走线与键合衬垫电连接。多个键合孔，位于衬底内，且延伸至衬底靠近驱动电路板一侧的表面。多个键合互联线，位于键合衬垫的一侧，键合衬垫与多个键合互联线通过多个键合孔电连接。根据本申请实施例，可以避免键合衬垫与驱动电路板电连接后出现键合不良的问题并降低电连接后的阻抗。
显示面板显示装置

[发明专利]多层器件及其制作方法-CN200410030085.4无效
发明人：赫里克·贾克布森 -专利权人：森松诺尔公司
申请日： 2004-03-18 - 公布日： 2004-09-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：该方法首先提供衬底，衬底包含用于支持电元件的支持区，然后在衬底的表面上形成导电键合层。键合层环绕用于支持元件的区域。该方法中的下一步骤是提供与键合层接触的封闭层，以使元件封闭在衬底和封闭层之间。最后一步包括将封闭层键合到键合层上以形成密封元件的密封腔。此外，提供了多层器件。器件包含衬底、至少一个位于衬底上的电元件、导电键合层以及封闭层。键合层形成在衬底上，环绕电元件，封闭层键合到键合层上以形成封闭其中元件的密封腔。
多层器件及其制作方法

[发明专利]一种带阻滤波器及其制作方法-CN202110246236.3在审
发明人：邱文才;赵纶;田学红;林满院 -专利权人：广东大普通信技术有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：该带阻滤波器包括第一基板和第二基板；第一基板包括第一衬底基板、位于第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于第一金属层背离第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；第一金属层背离第一衬底基板一侧形成超材料结构；第二基板包括第二衬底基板、位于第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚，以及连接第三键合引脚和第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；第一键合引脚与第三键合引脚键合，第二键合引脚和第四键合引脚键合，以键合第一基板和第二基板。
一种带阻滤波器及其制作方法

[实用新型]一种带阻滤波器-CN202120484066.8有效
发明人：邱文才;赵纶;田学红;林满院 -专利权人：广东大普通信技术有限公司
申请日： 2021-03-05 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01P1/20 文献下载
摘要：该带阻滤波器包括第一基板和第二基板；第一基板包括第一衬底基板、位于第一衬底基板一侧的第一金属层以及设置于第一金属层背离第一衬底基板一侧的第一键合引脚和第二键合引脚；第一金属层背离第一衬底基板一侧形成超材料结构；第二基板包括第二衬底基板、位于第二衬底基板一侧的第三键合引脚和第四键合引脚，以及连接第三键合引脚和第四键合引脚的第二金属层和第三金属层；第一键合引脚与第三键合引脚键合，第二键合引脚和第四键合引脚键合，以键合第一基板和第二基板。
一种带阻滤波器

[发明专利]异质薄膜结构的制备方法-CN201811035898.0有效
发明人：欧欣;鄢有泉;黄凯;李忠旭;游天桂;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-09-06 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本发明提供一种异质薄膜结构的制备方法，包括步骤：提供第一衬底，具有相对的第一表面及第二表面；自第一表面进行第一离子注入，形成第一缺陷层，自第二表面进行第二离子注入，形成第二缺陷层；提供具有第一键合面的第二衬底及具有第二键合面的第三衬底，将第一键合面与第一表面键合，第二键合面与第二表面键合；剥离第一衬底，在第二衬底上形成第一剥离层，在第三衬底上形成第二剥离层，获得第一异质薄膜结构以及第二异质薄膜结构，本发明采用双面进行离子注入和进行双面键合的方式，解决了异质衬底制备中，由于热失配导致的键合晶圆解键合甚至碎裂的问题，提高了衬底的产量以及效率，本发明的方案为高效声表面波滤波器的制备提供衬底支持。
薄膜结构制备方法

[发明专利]电容压力传感器及其制备方法-CN202011301093.3在审
发明人：张新伟;蔡清华;杨杰;顾坚俭;薛静静;杨万青 -专利权人：无锡华润上华科技有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-05-20 - 主分类号： G01L1/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单
电容压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种金属突刺混合键合方法-CN201510354759.4有效
发明人：梅绍宁;朱继锋;陈俊 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2015-06-24 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：本发明涉及一种金属突刺混合键合方法。包括以下步骤在待混合键合的上衬底的绝缘层形成与所述绝缘层底端齐平的第一金属导体；在待混合键合的下衬底的绝缘层形成高于所述绝缘层顶端的第二金属突刺；清洗上下衬底，形成亲水性活性表面；将上下衬底对准，施加压力，使下衬底上的第二金属突刺扎入对应上衬底上的第一金属导体中，同时所述上衬底的绝缘层和所述下衬底的绝缘层也键合在一起，形成稳固的预键合结构；将预键合后的晶圆进行退火。本发明采用混合键合方法，在形成金属化合物键合的同时，绝缘层间也形成了键合，增加了键合的结合强度和可靠性，可以实现晶圆内数千个芯片的内部金属互连，可以极大改善芯片性能并节约成本。
一种金属混合方法

[发明专利]芯片的转移方法-CN202011514635.5有效
发明人：王涛;张雪梅;耿锋 -专利权人：重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请日： 2020-12-18 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：该转移方法包括以下步骤：提供第一衬底，其第一侧包括具有芯片的功能区域和非功能区域，在非功能区域形成第一金属层，并在功能区域上形成覆盖芯片的第一绝缘介质层；提供第二衬底，第二衬底的第一侧具有与非功能区域对应的第一键合区域以及与功能区域对应的第二键合区域，在第一键合区域上形成第二金属层，并在第二键合区域上形成第二绝缘介质层；将第一金属层与第二金属层键合形成第一键合结构，并将第一绝缘介质层与第二绝缘介质层键合形成第二键合结构；将第一衬底从第二衬底的第一侧剥离，并去除第一键合结构，以使芯片转移至第二衬底。通过将金属键合和绝缘介质材料键合相结合，提高了键合后的芯片良率。
芯片转移方法

[发明专利]从键合故障中恢复键合装置的方法-CN201210567893.9有效
发明人：李卫华;李俊锋;王伟文;陈树锦 -专利权人：先进科技新加坡有限公司
申请日： 2012-12-24 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种在键合故障中恢复键合装置以继续用于半导体芯片构造的正常操作状态的方法，该键合装置包括：i）用于在半导体芯片和衬底之间键合导线的键合工具；以及ii）位置传感器。具体地，该方法包含有以下步骤：a）当键合工具接触表面以将导线键合至衬底时，位置传感器确定键合工具的位置；b）基于键合工具的位置，键合装置检测由半导体芯片自衬底分离所引起的键合故障；以及c）键合装置从导线处分离半导体芯片
故障恢复装置方法

[发明专利]一种外延层刚性-柔性衬底无机键合转移方法-CN201810386947.9有效
发明人：范襄;于振海;沈静曼;付坤;雷刚;王凯;马聚沙;王训春;杨广 -专利权人：上海空间电源研究所
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延层刚性‑柔性衬底无机键合转移方法，该方法包含：分别在外延片和柔性衬底的表面镀制键合金属层，并进行热压键合，得到柔性衬底‑外延片；在刚性支撑衬底和柔性衬底‑外延片的柔性衬底上分别镀制无机键合金属层，并进行热压可逆键合；将外延片制备成太阳电池器件；通过加热进行刚性支撑衬底剥离，完成外延层刚性‑柔性衬底转移。其中，外延片包含：生长衬底，以及在该生长衬底上生长的太阳电池材料；太阳电池器件的刚性支撑衬底的热剥离温度不低于键合金属层材料的熔点。本发明的方法在键合过程无有机污染，实现一步外延‑转移键合，转移的外延层厚度均匀一致，与现有太阳电池器件工艺兼容性好。
一种外延刚性柔性衬底无机转移方法