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[发明专利]芯片的键合方法及系统-CN201910825436.7有效
发明人：陈勇辉;唐世弋 -专利权人：上海微电子装备(集团)股份有限公司
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片的键合方法及系统，首先获取若干晶圆的良率，然后将良率大于第一设定值的若干晶圆进行晶圆级键合，或者将若干所述晶圆进行两两预匹配并得到预匹配晶圆组的良率，挑出良率大于第三设定值的预匹配晶圆组进行晶圆级键合，而在剩余的所述晶圆中，将良率较大的作为衬底晶圆，良率较小的作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，本发明将良率较高的晶圆进行晶圆级键合从而提高了键合的产率，将良率较低的晶圆切成键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上，可以剔除部分不良芯片，从而提高了最终键合芯片的良率，从而降低了产品的制造成本。
晶圆键合良率晶圆级衬底匹配单个芯片芯片划片不良芯片键合芯片制造成本产率成键剔除

[发明专利]半导体器件制造方法及电子装置-CN202011586030.7在审
发明人：赵强;桂珞;韩凤芹;石丹丹;王邦旭 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体器件制造方法及电子装置，包括：提供器件衬底，器件衬底包括分立的第一部件和第二部件以及贯穿第一部件的多个第一释放孔；提供第一载体衬底，在第一载体衬底上形成至少用于与第一部件连接的金属布线层；在第一载体衬底上形成第二载体衬底；去除第一载体衬底；将第二载体衬底键合到器件衬底上；解键合去除第二载体衬底。通过在第一载体衬底上完成金属布线层工艺，最后通过解键合工艺将金属布线层转移到器件衬底上，可以避免直接在器件衬底上实施布线工艺而带来的工艺难度；通过解键合工艺去除第二载体衬底，避免了去除第二载体衬底时对器件衬底的内空腔所造成的影响
半导体器件制造方法电子装置

[发明专利]GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法-CN202110578692.8在审
发明人：刘凯 -专利权人：苏州晶湛半导体有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供了一种GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法，GaN基复合衬底包括：隔离衬底、GaN基衬底，以及位于隔离衬底与GaN基衬底之间的键合层。本发明采用GaN基复合衬底取代GaN基材料衬底，复合衬底通过键合层将GaN基衬底与隔离衬底键合在一起，隔离衬底无沿厚度方向延伸的缺陷，可封堵化学腐蚀液通过GaN基衬底中的孔洞向下渗漏的路径，避免机台以及产线的污染
gan 复合衬底器件及其制作方法

[发明专利]发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列-CN202011450285.0有效
发明人：韦冬;李庆;于波;赵柯 -专利权人：苏州芯聚半导体有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列，剥离方法包括：提供衬底，在所述衬底生长牺牲层，在所述牺牲层的表面生长发光二极管器件；提供辅助基板；涂布键合胶至所述辅助基板的周边或者所述衬底的周边；于氮气腔室中，键合所述衬底和所述辅助基板，使得所述衬底、所述辅助基板以及所述键合胶共同限定出的密闭空间内充满氮气；以及激光照射并穿过所述衬底，使所述牺牲层热解，所述衬底和所述发光二极管器件分离。
发光二极管衬底剥离方法阵列

[发明专利]一种空腔型薄膜体声波谐振器封装结构及其制备方法-CN202010923553.X在审
发明人：董树荣;轩伟鹏;刘刚;张洪;金浩;骆季奎 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2020-09-04 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H03H3/007 文献下载
摘要：本发明公开了一种空腔型薄膜体声波谐振器封装结构及其制备方法，该结构包括：衬底、基板、压电振荡堆和金属键合层，所述压电振荡堆和金属键合层位于衬底与基板之间，且金属键合层绕设于压电振荡堆四周，是由设于衬底和基板上的金属柱交叉键合形成，在压电振荡堆与衬底之间具有第一空腔，是通过直接刻蚀或腐蚀衬底形成，在压电振荡堆与基板之间具有第二空腔，是通过释放牺牲层形成；所述压电振荡堆包括下电极、压电层和上电极。该结构由特定处理后的衬底部分及基板部分通过金属柱直接交叉键合，再释放牺牲层而制得，本发明的方法可以有效解决空气隙型体声波谐振器薄膜应力积累及质量差、器件易坍塌、工艺复杂等问题，可以提高器件性能和成品率。
一种空腔薄膜声波谐振器封装结构及其制备方法

[发明专利]一种显示面板及其制备方法、显示装置-CN202111473555.4在审
发明人：李云泽;钱先锐;李洋;廖小刚;万宝红;袁盼;汪浩 -专利权人：成都辰显光电有限公司
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：显示面板包括：驱动模组包括第一衬底基板；设置在第一衬底基板一侧的驱动电路层；设置在驱动电路层远离第一衬底基板一侧的导电柱；设置在第一开口内的连接层；芯片模组包括第二衬底基板；设置在第二衬底基板一侧的封装芯片层；设置在封装芯片层远离第二衬底基板一侧的键合导电层，包括多个键合电极；设置在键合导电层远离封装芯片层一侧的过渡层；过渡层对应导电柱位置具有凹陷部，过渡层与连接层键合设置，凹陷部用于容置导电柱，每个导电柱分别通过一个键合电极与芯片电连接
一种显示面板及其制备方法显示装置

[发明专利]一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法-CN201010237851.X有效
发明人：陆海;石宏彪;张荣;郑有炓;张之野;朱廷刚 -专利权人：南京大学
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2010-12-08 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：一种金属衬底的氮化镓肖特基整流器及其制备方法，整流器包括金属衬底、金属键合层和氮化镓肖特基整流器晶片，金属衬底作为支撑衬底，氮化镓肖特基整流器晶片包括氮化镓外延层、氮化镓肖特基电极和欧姆电极，氮化镓外延层通过金属键合层与金属衬底键合，氮化镓肖特基电极与欧姆电极相对金属衬底在外延层的另一侧呈横向分布，制备时把欧姆电极与肖特基接触电极先后制备在外延片的正面，之后再在另一面通过激光将蓝宝石衬底剥离，再与金属衬底键合。本发明可解决GaN肖特基整流器的金属化方案与蓝宝石衬底剥离的工艺兼容性问题，以高导热性金属衬底作为支撑载体及热沉，解决了器件的散热问题，可有效提高器件的性能和可靠性。
一种金属衬底氮化镓肖特基整流器及其制备方法

[实用新型]一种大功率模块的封装结构-CN202222938585.4有效
发明人：冯敏捷 -专利权人：嘉兴斯达微电子有限公司
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本实用新型提供一种大功率模块的封装结构，涉及功率半导体器件技术领域，包括：绝缘导热基板上连接有多个金属化陶瓷衬底，各金属化陶瓷衬底为多个第一衬底和多个第二衬底；各第一衬底的导电铜层上焊接有IGBT芯片和二极管芯片，各金属化陶瓷衬底之间、IGBT芯片和二极管芯片与对应的第一衬底之间均采用铜带键合实现电气连接；各IGBT芯片的键合表面、各二极管芯片的键合表面以及各第一衬底之间采用铜带键合；多个功率端子焊接在各第一衬底上；多个信号端子焊接在各第二衬底上；外壳盖设于绝缘导热基板上，外壳底部开设有多个开孔，功率端子和信号端子分别从各开孔露出。
一种大功率模块封装结构

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010433459.6在审
发明人：杨俊铖 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-05-20 - 公布日： 2020-08-21 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，提供晶圆键合结构，晶圆键合结构包括键合的第一晶圆和第二晶圆，第一晶圆包括第一衬底和第一介质层，第一介质层的表面作为第一晶圆和第二晶圆的键合面，第一衬底中形成有阻挡层，而后，以阻挡层为刻蚀停止层，从第一衬底表面对第一衬底进行减薄，这样，在对第一晶圆进行减薄的过程中，去除了阻挡层上方的第一衬底材料，而不会对阻挡层造成损伤，因此提高减薄后第一衬底表面的均匀性，有利于后续工艺的进行
一种半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种垂直结构LED芯片制备方法-CN201610015671.4在审
发明人：云峰;郭茂峰 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2016-06-08 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构LED芯片制备方法，包括以下步骤：1)在异质衬底上利用外延生长方法获得具有LED结构的LED外延层；2)在LED外延层的上表面上利用激光加工出多道交错的沟槽，形成柱状包围氮化镓高压气体释放牺牲区域；3)在LED外延层上依次制备得到欧姆接触层、第一键合材料层，在键合衬底上制备得到第二键合材料层；4)将LED外延层上的第一键合材料层与键合衬底上的第二键合材料层键合在一起，然后利用激光剥离方法去除异质衬底
一种垂直结构 led 芯片制备方法

[发明专利]一种高频声表面波谐振器及其制备方法-CN202210089558.6有效
发明人：周长见;李丹花;郭思聪;张传俊;邓永健 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种高频声表面波谐振器及其制备方法，涉及5G通信的微电子器件，针对现有技术中键合转移温度高和机电耦合系数低等问题提出本方案。在高声速衬底远离第一衬底的端面设置第一键合金属层，在压电薄膜远离叉指电极的端面设置第二键合金属层，通过第一键合金属层与第二键合金属层完成压电薄膜与高声速衬底的键合处理。优点在于，与低温金属键合工艺兼容，金属键合的工作温度更低，可以大大降低器件的热应力。其次金属键合可以使得键合界面获得更大的键合能，器件更稳定。
一种高频表面波谐振器及其制备方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811355988.8在审
发明人：崔晓彤;金子贵昭;钟伟明;黄晓橹 -专利权人：德淮半导体有限公司
申请日： 2018-11-15 - 公布日： 2019-03-08 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：第一晶片包括：第一衬底，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；在第一衬底的第一表面之上的第一布线层；在第一衬底的第二表面上的第一键合材料层；以及从第一衬底的第一表面延伸穿过第一衬底和第一键合材料层的第一晶片互连件第二晶片包括：第二衬底；在第二衬底之上的第二布线层；在第二布线层之上的第二键合材料层；以及从第二布线层延伸穿过第二键合材料层的第二晶片互连件，第二晶片互连件在第二布线层中与第一晶片互连件对应的位置处。第一和第二晶片通过第一和第二键合材料层键合在一起，并且第一和第二晶片通过第一和第二晶片互连件彼此电连接。
晶片衬底键合材料层布线层互连件第一表面半导体装置第二表面延伸穿过电连接位置处键合制造

[发明专利]用于安装芯片的衬底和芯片封装-CN201480051090.5在审
发明人：安范模;宋台焕 -专利权人：普因特工程有限公司
申请日： 2014-09-17 - 公布日： 2016-05-11 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明涉及用于安装芯片的衬底。根据本发明的用于安装芯片的衬底包括：用于将电极施加到要被安装的芯片的多个导电部分；电隔离导电部分以将电极施加到芯片的电极部分中的每个的至少一个绝缘部分；以及突起，其形成为在由绝缘部分隔离的每个导电部分的表面上具有预定高度并且键合到形成在芯片上的电极部分在金属衬底包含垂直绝缘层的情形中，芯片的电极部分和衬底的电极部分应当被彼此电键合。因此，本发明通过使用附加地形成在金属衬底上的突起来键合在芯片的电极部分上形成的电镀层，能够使芯片和衬底之间紧密键合。另外，通过将密封材料施加到芯片的键合区域，能够防止由于材料之间膨胀系数差异而导致的破裂的发生，并且能够防止键合区域与外部接触，从而防止键合区域的氧化。这样，能够在没有使用惰性气体填充芯片安装在其中的衬底的内部的情况下执行封装过程。
用于安装芯片衬底封装

[发明专利]一种柔性衬底与载体基板的连接方法及柔性显示面板-CN201811066949.6在审
发明人：杨艳 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2018-09-13 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及显示设备技术领域，公开了一种柔性衬底与载体基板的连接方法及柔性显示面板，该柔性衬底与载体基板的连接方法，包括：在柔性衬底的一侧表面形成包括极性基团的改性层；在载体基板一侧表面沉积包括悬挂键的连接层；将柔性衬底与载体基板贴合使得改性层的极性基团与连接层的悬挂键键合连接。该柔性衬底与载体基板的连接方法通过键合连接方式将柔性衬底与载体基板连接，连接方便且节省了柔性显示面板的制作成本。
载体基板衬底柔性显示面板极性基团键合连接改性层连接层悬挂键表面沉积表面形成连接方便显示设备贴合制作

[发明专利]一种横向激励体声波谐振器及其制备方法-CN202210527383.2在审
发明人：谷曦宇;刘文娟;王健;蔡耀;刘炎;刘婕妤 -专利权人：武汉敏声新技术有限公司
申请日： 2022-05-16 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：一种横向激励体声波谐振器及其制备方法，涉及谐振器技术领域，该方法包括：提供器件晶圆，器件晶圆包括具有损伤层的单晶衬底以及在单晶衬底上依次设置的压电单晶薄膜层和第一键合层，且第一键合层上设置有凹槽；提供盖帽晶圆，盖帽晶圆包括衬底以及在衬底上设置的第二键合层；将器件晶圆和盖帽晶圆键合，以通过第二键合层封闭凹槽的开口形成空腔；将器件晶圆与盖帽晶圆从损伤层处劈裂露出压电单晶薄膜层。
一种横向激励声波谐振器及其制备方法