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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法-CN201610703032.7有效
发明人：张召;王智;苏俊铭;倪立华 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-08-22 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供了一种防止重掺杂的硅衬底边缘的离子析出的方法，包括：提供一硅衬底，硅衬底为含有第一种离子的重掺杂硅衬底；对硅衬底边缘区域进行第二种离子注入，以在硅衬底边缘区域形成防止硅衬底边缘的重掺杂离子析出的阻挡层本发明通过对硅衬底边缘进行离子注入，从而形成防止硅衬底边缘重掺杂离子析出的阻挡层，有效避免了硅衬底边缘离子扩散析出，确保了后续工艺质量。
防止掺杂衬底边缘离子析出方法

[发明专利]一种改善磁控溅射镀膜机衬底边缘膜厚的方法-CN202010862709.8在审
发明人：任晓东;刘林;卢海江;黄显艺;李涛 -专利权人：宣城开盛新能源科技有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种改善磁控溅射镀膜机衬底边缘膜厚的方法，包括如下步骤：(Ⅰ)在真空腔室内设置阴极鞘层区，且阴极鞘层区位于靶材与衬底之间，使阴极鞘层区遮挡衬底的边缘；(Ⅱ)阴极鞘层区为导电金属主体，并且将导电金属主体连通负极电源；(Ⅲ)将导电金属主体与真空腔室绝缘设置；(Ⅳ)通过高能离子轰击靶材，将靶材物质溅射到衬底上成膜。本技术方案通过在衬底边缘，在衬底边缘的区域形成一阴极鞘层区，能有效地减弱衬底边缘粒子的散射，将其约束在衬底的区域，从而增加衬底边缘膜层的均匀性，减少靶材物质在附着板上的沉积，减弱衬底背面边缘的绕镀。
一种改善磁控溅射镀膜衬底边缘方法

[实用新型]研磨垫调整器-CN201320805343.6有效
发明人：唐强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2013-12-09 - 公布日： 2014-06-04 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种研磨垫调整器，用于对研磨垫进行修整，包括衬底、位于衬底表面的多个调整颗粒以及用于将所述调整颗粒固定在所述衬底表面的连接物，所述衬底的边缘设有凹陷区。使用衬底边缘设有凹陷区的研磨垫调整器，由于所述衬底边缘存在凹陷区，位于所述凹陷区的调整颗粒位置较低，与研磨垫的接触面较少，能够抵消衬底边缘线速度过大而造成与研磨垫的过度摩擦，同时还能降低衬底边缘调整颗粒脱落的几率
研磨调整器

[实用新型]一种倒装发光二极管及显示装置-CN201921534812.9有效
发明人：何安和;王锋;夏章艮;詹宇;林素慧;彭康伟 -专利权人：厦门三安光电有限公司
申请日： 2019-09-16 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种倒装发光二极管及显示装置，其包括图形化衬底和位于衬底上的外延发光层，外延发光层延伸至衬底边缘边际，衬底无露出区域，衬底边缘被外延发光层覆盖，从而避免衬底图形裸露，减少衬底边缘对脏污的吸附
一种倒装发光二极管显示装置

[发明专利]闪存存储器及其制造方法-CN202010884241.2在审
发明人：冒俊霞;王明 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2020-08-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明提供一种闪存存储器及其制造方法，其在执行等离子体膜沉积工艺，以在沟槽和掩模层上形成隔离材料层时，衬底边缘区域的等离子沉积的速率慢于衬底中心区域等离子沉积的速率。进而使得在对衬底边缘区域进行等离子体沉积时的速率比较缓慢，以增加衬底边缘区域的沟槽内形成的隔离材料层的致密性。从而改善衬底边缘区域对沟槽的填充性能较差的问题，进而提升闪存存储器的性能。
闪存存储器及其制造方法

[实用新型]一种改善滑移线的石墨基座结构及设备-CN202320185482.7有效
发明人：刘旺平;吕越;李鹏 -专利权人：中晟光电设备（上海）股份有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种改善滑移线的石墨基座结构及设备，该石墨基座结构包括第一凹槽，第一凹槽的底边边缘部分向下凹陷，形成第二凹槽，当衬底设置于第一凹槽内时，衬底的底面和第一凹槽的内表面接触，且衬底的底面和第二凹槽的内表面之间存在空隙本实用新型的实施例在石墨基座结构的第一凹槽边缘设置第二凹槽，使衬底边缘与石墨基座的凹槽不接触，有利于减少托盘对衬底的热传导，降低衬底边缘的温度，减小衬底边缘与中心的温差，从而解决滑移线，而且可以扩大工艺调试窗口
一种改善滑移石墨基座结构设备

[发明专利]柔性电子器件的制造方法-CN201710061112.1有效
发明人：陈国峰;黄书汉;黄靖闳 -专利权人：元太科技工业股份有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性电子器件的制造方法，其包括：将柔性衬底直接置于刚性衬底上，加热柔性衬底边缘的一部分，使得受到加热的柔性衬底边缘的该部分形成熔融边缘，在柔性衬底上形成电子组件，其位于由熔融边缘所围绕的区域中，进行分离程序，使熔融边缘自柔性衬底分离，以形成柔性电子器件。
柔性电子器件制造方法

[发明专利]激光退火设备-CN201410109711.2无效
发明人：邱裕明;肖天金 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-24 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明提供一种激光退火设备，用于对半导体衬底进行退火，包括：保护罩，设置在半导体衬底的边缘，所述保护罩用于保护衬底边缘。本发明提供的激光退火设备，使激光束的能量能够平稳输出，避免半导体衬底边缘的能量尖峰的出现，提高半导体衬底的边缘的良率。
激光退火设备

[发明专利]衬底台、光刻设备、衬底边缘平坦化方法及器件制造方法-CN201110119282.3有效
发明人： R·W·L·拉法瑞;N·J·J·罗塞特;M·霍本 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2011-05-05 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种衬底台、一种光刻设备、一种衬底边缘平坦化方法及一种器件制造方法。所述衬底台支撑衬底。所述衬底台包括衬底支撑件，所述衬底支撑件用于支撑所述衬底并且沿第一方向向衬底的边缘施加弯曲力。设置衬底边缘操作装置，其配置用于沿第二方向向衬底的边缘施加可变的弯曲力。所述第二方向至少具有在方向上与第一方向相反的分量。
衬底光刻设备边缘平坦方法器件制造

[发明专利]用于分选衬底的分选装置-CN201980009866.X在审
发明人： J·L·G·M·维诺伊;H·A·M·费尔肯斯 -专利权人：贝斯荷兰有限公司
申请日： 2019-01-16 - 公布日： 2020-09-11 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明涉及在半导体制造期间分选衬底的分选装置，所述分选装置包括分选单元，所述分选单元具有指向待分选的衬底的衬底面对侧面，所述分选单元设置有从所述分选单元的衬底面对侧面突出的至少三个衬底边缘夹具。所述衬底边缘夹具被配置成夹持待分选的衬底的边缘，其中，所述至少三个衬底边缘夹具包括：用于在两个受控位置夹持所述衬底的边缘的至少两个可控的活动定位夹具；以及至少一个夹持夹具，所述至少一个夹持夹具用于在至少部分地指向所述定位夹具的所述衬底的边缘上施加受控夹持力
用于分选衬底装置

[发明专利]对铜金属层进行CMP处理的方法-CN202011543432.9有效
发明人：许力恒;夏汇哲;李松;宋振伟;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：该对铜金属层进行CMP处理的方法包括将表面沉积有铜的衬底传送至CMP机台，将所述衬底固定在CMP机台的新研磨头上；对所述衬底表面进行预研磨，令所述衬底边缘区域的铜厚度大于所述衬底中心区域的铜厚度；对所述衬底进行主研磨，对衬底表面的铜金属层进行平坦化处理；解决了目前CMP机台上新的研磨头会导致衬底边缘区域出现铜残留缺陷的问题；达到了减少CMP处理后衬底边缘出现的铜残留缺陷的效果。
金属进行 cmp 处理方法

[发明专利]一种具有边缘隔离结构的硅衬底-CN201310640318.1无效
发明人：王立;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌黄绿照明有限公司
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有边缘隔离结构的硅衬底，包括硅衬底本体，特征是：在硅衬底边缘设有将硅衬底内部完全封闭的隔离带，隔离区为隔离带和硅衬底边界线之间的区域，隔离带和隔离区构成隔离结构。本发明通过在硅衬底边缘设置隔离带，隔离带将硅衬底上生长的氮化物薄膜被分离成相互独立的两部分，使得始发于氮化物薄膜边缘的裂纹不能传递到硅衬底内部，从而有效保障了被隔离带硅包围的衬底内部的氮化物薄膜的质量，本发明将隔离带和硅衬底边界线之间的隔离区进行图形化，使隔离区成为图形化的隔离区，这样可以进一步减少隔离区内裂纹的产生、限制裂纹的传递，增强本发明的效果。
一种具有边缘隔离结构衬底

[发明专利]三维存储器及其制作方法-CN202011351404.7在审
发明人：王恩博 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-11-26 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L27/1157 文献下载
摘要：本发明涉及一种三维存储器及其制作方法，该三维存储器的制作方法包括：在衬底上形成第一堆栈结构；形成穿过第一堆栈结构的第一沟道孔；形成至少覆盖衬底边缘的保护层，保护层的材质为金属硅化物；在第一沟道孔中形成沟道结构，从而在刻蚀步骤中，使得衬底边缘覆盖有金属硅化物作为保护层，以避免衬底边缘被刻蚀剂损伤，进而提高三维存储器的良率。
三维存储器及其制作方法

[发明专利]一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法-CN201711316664.9有效
发明人：宁永铎;边永智;钟耕杭;程凤伶;郑宇;张亮 -专利权人：有研半导体材料有限公司
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明公开一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法。该方法包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背封薄膜表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜，该掩蔽蓝膜直径比衬底晶圆直径小0.2‑5mm；(2)将粘贴有掩蔽蓝膜的衬底晶圆放入氢氟酸溶液中去除二氧化硅薄膜；经过表面清洗后再进入酸腐蚀机去除多晶硅薄膜；(3)再次经过表面清洗后进入去膜机去除掩蔽蓝膜，再次经过表面清洗干燥，衬底边缘处理工序完成。采用本发明的方法可以实现衬底边缘的二氧化硅和多晶硅薄膜的去除，使最终衬底留存的背封膜垂直方向上对齐，去除边缘均匀整齐；衬底晶圆表面均匀，损伤少，可以减少或取消边缘抛光加工，降低生产成本，提高工作效率。
一种直径衬底边缘处理方法

[发明专利]一种功率器件及其制作方法-CN201510226995.8在审
发明人：李理;马万里;赵圣哲 -专利权人：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
申请日： 2015-05-06 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率器件及其制作方法，本发明的功率器件的衬底减薄过程中，对衬底边缘不进行减薄，从而使衬底边缘的厚度较厚，提高了衬底的强度，降低了工艺中的碎片率，消除了对衬底最小厚度的限制，同时本发明的技术方案无需使用支撑片
一种功率器件及其制作方法

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