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[发明专利]接合装置-CN201910163642.6有效
发明人：井口胜次;前川真澄;泽井敬一;东坂浩由;松尾孝信 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：接合装置包括：层流生成部；芯片处理部；清洗部，其清洗所述芯片；接合部，其将所述芯片与基板接合；以及搬运机构，其将所述芯片从所述芯片处理部向所述接合部搬运。它们之中的、至少所述接合部及所述清洗部配设于层流生成部所生成的层流中。
接合装置

[发明专利]切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法-CN201710183427.3在审
发明人：大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;福井章洋;杉村敏正 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-03-24 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法，所述切割芯片接合薄膜能够抑制在冷却扩展工序中芯片接合薄膜从切割片浮起，并且能够在拾取工序中从切割片适宜地剥离带芯片接合薄膜的半导体芯片。一种切割芯片接合薄膜，具有切割片；和层叠在切割片上的芯片接合薄膜，切割片与芯片接合薄膜的23℃下的剥离力A处于0.1N/20mm以上且0.25N/20mm以下的范围内，切割片与芯片接合薄膜的‑15℃下的剥离力B在下述剥离力B的测定条件下处于0.15N/20mm以上且0.5N/20mm以下的范围内，芯片接合薄膜是通过施加拉伸张力而断裂来使用的。
切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]切割/芯片接合薄膜-CN201110276306.6有效
发明人：天野康弘;盛田美希;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2012-04-04 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种切割/芯片接合薄膜，其具有不易引起剥离带电并且胶粘性、作业性良好的芯片接合薄膜。一种在切割薄膜上设置有热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其中，热固型芯片接合薄膜含有导电性粒子，热固型芯片接合薄膜的体积电阻率为1×10-6Ω·cm以上且1×10-3Ω·cm以下，并且，热固型芯片接合薄膜热固化前在
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810482239.5有效
发明人：大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大;福井章洋;杉村敏正 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C09J7/25 文献下载
摘要：提供一种切割芯片接合薄膜，其中，芯片接合薄膜的拾取适宜性和芯片接合适宜性优异、并且在常温扩展时和其之后在芯片接合薄膜和粘合剂层之间不易发生浮起。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有基材和层叠于前述基材上的粘合剂层；和芯片接合薄膜，其层叠于前述切割带中的前述粘合剂层上，前述芯片接合薄膜在频率10Hz的条件下测定的25℃下的储能模量E’为3
切割芯片接合薄膜

[发明专利]发光装置封装元件-CN201010243652.X有效
发明人：王忠裕 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明提供一种发光装置封装元件，该元件包括发光装置芯片与载体芯片。该载体芯片包括第一与第二接合焊盘，于该载体芯片的表面上；以及第三与第四接合焊盘，于该载体芯片的该表面上，并分别电性连接该第一与该第二接合焊盘。该第一、第二、第三与第四接合焊盘位于该载体芯片的相同表面上。该发光装置封装元件还包括第一与第二金属凸块，借由倒装芯片接合分别将该第一与第二接合焊盘接合于该发光装置芯片上；以及窗型模块基板，借由倒装芯片接合与该第三与第四接合焊盘接合。该窗型模块基板包括窗户，该发光装置芯片朝该窗户发射光。本发明的散热能力是高的，其改善优于传统热路径包含低热传导性材料的发光装置封装。
发光装置封装元件

[发明专利]物理量测定装置及其制造方法、以及物理量测定元件-CN201780022928.1有效
发明人：青柳拓也;内藤孝;三宅龙也;芝田瑞纪;小贯洋;寺田大介;小松成亘 -专利权人：日立汽车系统株式会社
申请日： 2017-04-13 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：提供一种使接合层的接合温度降低到不影响半导体芯片动作的温度，确保半导体芯片和基台的绝缘性的物理量测定装置。包括：基台(隔膜(14b))；基于作用于基台的应力来测定物理量的半导体芯片(应变检测元件(30))；将半导体芯片接合到基台的接合层(20)。接合层(20)具有：接合于半导体芯片的第一接合层(21)；接合于基台的第二接合层(22)；配置于第一接合层(21)和第二接合层(22)之间的绝缘基材(23)。第一接合层(21)及第二接合层(22)包含玻璃。第一接合层(21)的热膨胀系数为第二接合层(22)的热膨胀系数以下，第一接合层(21)的软化点为半导体芯片的耐热温度以下，第二接合层(22)的软化点为第一接合层(21)的软化点以下。
物理量测定装置及其制造方法以及元件

[发明专利]非易失性存储器件-CN202310059220.0在审
发明人：赵栢衡;边大锡 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片。所述第一半导体芯片包括存储单元阵列、第一上接合焊盘、第二上接合焊盘以及位于所述第一上接合焊盘与所述第二上接合焊盘之间的上虚设接合焊盘。所述第二半导体芯片在垂直方向上耦接到所述第一半导体芯片，并且包括第一下接合焊盘、第二下接合焊盘、下虚设接合焊盘以及耦接到所述第一下接合焊盘和所述第二下接合焊盘的外围电路。所述第一接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第一电压。所述第二接合焊盘被配置为在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间传输第二电压。
非易失性存储器

[发明专利]多芯片集成电路的立体封装装置-CN02154846.3无效
发明人：黄富裕 -专利权人：华泰电子股份有限公司
申请日： 2002-12-02 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种多芯片集成电路的立体封装装置，包含：一基板，其板面上预留有与芯片作接合的位置，且该基板上至少设有一开孔，打线接合用的金线穿设过该开孔，至少一第一芯片，该第一芯片先与该基板以芯片接合剂接合后，并与该基板作打线接合，至少一第二芯片，该第二芯片与该基板作覆晶接合，该第二芯片和该基板的接合位置位于该基板和该第一芯片的接合位置的另侧，该金线一端是与该基板的焊垫连接，另一端穿过该开孔而与该第一芯片上的脚垫接通，一封装体，是由该第二芯片的填胶延伸包覆住该基板的开孔、该金线，并与该第一芯片的芯片接合剂连结而成。
芯片集成电路立体封装装置

[发明专利]芯片封装结构及封装用线路板制造方法-CN201210495592.X无效
发明人：张文远;蔡宏杰;蔡国英;魏廷佑 -专利权人：威盛电子股份有限公司
申请日： 2012-11-28 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片封装结构及封装用线路板制造方法。芯片封装结构，其包括一线路板、一芯片结构以及一导热盖。线路板具有一芯片接合区、不重叠于芯片接合区的一导热接合区、一导电图案、一导热图案、多个导电拟凸块、多个第一导热拟凸块及多个第二导热拟凸块。导电图案位于芯片接合区内。导热图案从芯片接合区延伸至导热接合区。导电拟凸块及第一导热拟凸块位于芯片接合区内，且第二导热拟凸块位于导热接合区内。芯片结构电耦接至导电拟凸块，且热耦接至第一导热拟凸块。导热盖罩覆于芯片结构，且热耦接至第二导热拟凸块。上述的芯片封装结构的封装用线路板制造方法也被提出。
芯片封装结构线路板制造方法

[发明专利]用于将芯片接合至基底的方法和系统-CN201780053265.X有效
发明人：加里·阿鲁季诺夫;埃德斯格·康斯坦特·彼得·斯米茨;耶伦·万登布兰德 -专利权人：荷兰应用自然科学研究组织TNO
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：一种方法和系统，用于通过设置在芯片与基底之间的热接合材料将芯片热接合至基底。将至少基底从初始温度预热至低于基底的损坏温度的升高的温度。向芯片施加的光脉冲将芯片温度瞬间升高至低于芯片的峰值损坏温度的脉冲峰值温度。芯片的瞬间升高的脉冲峰值温度引起从芯片至接合材料的传导热的流，引起接合材料形成接合。
用于芯片接合基底方法系统

[发明专利]芯片接合膜、切割-芯片接合膜及层叠膜-CN201510142546.5有效
发明人：木村雄大;三隅贞仁;村田修平;大西谦司;宍户雄一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2015-03-27 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：芯片接合膜、切割‑芯片接合膜及层叠膜。本发明提供能够在不牺牲半导体装置的情况下非破坏地观察空隙的芯片接合膜等。一种芯片接合膜，其雾度为0％～25％。
芯片接合切割层叠

[发明专利]半导体装置以及其制造方法-CN201410305217.3在审
发明人：福井刚 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2015-08-05 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本实施方式的半导体装置具备半导体芯片、金属制的引线框、树脂制的密封部以及金属制的连接器。半导体芯片具有表面电极。引线框具有在表面搭载着半导体芯片的底座部、与底座部分离而设置的接线柱部。密封部以覆盖半导体芯片的方式形成。连接器具有与半导体芯片的表面接合的芯片接合部、与引线框的接线柱部的表面接合的接线柱接合部以及将芯片接合部与接线柱接合部之间连结的连结部。芯片接合部形成得比接线柱接合部以及连结部厚，且芯片接合部的至少一部分从密封部的表面露出。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体封装体及其制造方法-CN201880075629.9在审
发明人：藤野纯司;坂元创一;宫脇胜巳;一户洋晓 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体封装体，具备：绝缘基板；第一半导体芯片，有源面经由多个第一接合材料接合于绝缘基板的第一主面上；第二半导体芯片，有源面经由多个第二接合材料接合于第一主面上，厚度比第一半导体芯片薄；散热构件，下表面接合有第一半导体芯片的与有源面相反的主面以及第二半导体芯片的与有源面相反的主面；以及密封树脂，不搭上散热构件的上表面而与散热构件的侧壁的至少一部分相接，将第一半导体芯片和第二半导体芯片在绝缘基板上进行密封，其中，在散热构件中，接合有第一半导体芯片的第一接合部的厚度比接合有第二半导体芯片的第二接合部的厚度薄。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]包括具有交错的接合指状物的封装基板的半导体封装-CN202110017179.1在审
发明人：金宗禧 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：包括具有交错的接合指状物的封装基板的半导体封装。一种半导体封装包括：封装基板，其包括第一接合指状物阵列和第二接合指状物阵列，第一接合指状物阵列和第二接合指状物阵列中的每一个在封装基板的表面上布置在第一方向上；第一半导体芯片，其设置在封装基板的所述表面上并且包括与第一接合指状物阵列对应的第一芯片焊盘阵列；第二半导体芯片，其设置在封装基板的所述表面上并且包括与第二接合指状物阵列对应的第二芯片焊盘阵列；第一接合引线，其将第一接合指状物阵列的接合指状物连接到第一芯片焊盘阵列的芯片焊盘；以及第二接合引线，其将第二接合指状物阵列的接合指状物连接到第二芯片焊盘阵列的芯片焊盘
包括具有交错接合指状物封装半导体

[发明专利]切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法-CN201710265569.4在审
发明人：宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-04-21 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及切割/芯片接合薄膜、切割/芯片接合带及半导体装置的制造方法。本发明的一个实施方式的目的在于，提供能够用切割的冷却液将纤维状屑洗掉的切割/芯片接合薄膜。本发明的一个实施方式涉及切割/芯片接合薄膜。切割/芯片接合薄膜包含切割支撑层和芯片接合层。切割支撑层的熔点为60℃～100℃。切割支撑层在室温下的拉伸模量为30N/m2～100N/m2。
切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法