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[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN202010299869.6有效
发明人：福井章洋;杉村敏正;大西谦司;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C09J7/20 文献下载
摘要：提供在用于将粘接剂层割断的扩展时粘合剂层不易破裂的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带、及以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层的粘接剂层，前述基材的前述粘合剂层侧表面实施了表面处理，前述基材与前述粘合剂层之间的、‑15℃下的剥离力与25℃下的剥离力的关系满足下述式(1)。(‑15℃下的剥离力)/(25℃下的剥离力)≥1 (1)。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法-CN201810726671.4有效
发明人：靍泽俊浩;小坂尚史;三木香;木村雄大;高本尚英;大西谦司;杉村敏正;赤泽光治 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-07-04 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜(DAF)的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜(DDAF)进行的扩展工序中对切割带上的DAF进行良好的割断的同时抑制从切割带上浮起、剥离的切割带、切割芯片接合薄膜和半导体装置制造方法。切割带(10)在拉伸试验(试验片宽度20mm，初始卡盘间距100mm)中，以5～30％的范围的至少一部分应变值能显示出15～32MPa的范围内的拉伸应力。DDAF包含：切割带(10)及其粘合剂层(12)上的DAF(20)。半导体装置制造方法包括如下工序：在DDAF的DAF(20)侧贴合半导体晶圆或其分割体后，在产生15～32MPa的范围内的拉伸应力的条件下扩展切割带(10)。
切割芯片接合薄膜半导体装置制造方法

[发明专利]芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法-CN201810843733.X有效
发明人：宍户雄一郎;高本尚英;大西谦司;木村雄大;福井章洋;大和道子 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供适于在为了得到带有芯片接合薄膜的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜进行的扩展工序中实现良好的割断并抑制飞散的芯片接合薄膜、切割芯片接合薄膜以及半导体装置制造方法。本发明的芯片接合薄膜(10)的、对于宽度10mm的芯片接合薄膜试验片在初始卡盘间距10mm、23℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中的屈服强度为15N以下，断裂强度为15N以下，且断裂伸长率为40～400％。
芯片接合薄膜切割以及半导体装置制造方法

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810343654.2有效
发明人：木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;大和道子;井上真一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供适合于通过扩展工序将粘接剂层良好割断的切割芯片接合薄膜。具备切割带(10)和粘接剂层(20)。切割带(10)具有基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构，粘接剂层(20)与粘合剂层(12)密合。相对于在对由DDAF的自外周端起直至向内侧20mm为止的外侧区域(R1)切取的试验片(50mm×10mm)在初始夹具间距离20mm、‑15℃及拉伸速度300mm/分钟的条件下进行的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的、在对由DDAF的比前述外侧区域(R1)更靠近内侧的内侧区域(R2)内切取的试验片(50mm×10mm)在同条件下的拉伸试验中在应变值30％时产生的拉伸应力的比值为0.9～1.1。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法-CN201710890573.X有效
发明人：木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2023-06-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明为切割/芯片接合带和半导体装置的制造方法，其目的在于提供能够精度良好地分断粘接剂层的切割/芯片接合带。本发明涉及一种切割/芯片接合带，其包括：隔膜、和包含粘接剂层和基材层的薄膜。粘接剂层位于隔膜和基材层之间。基材层的两面用与粘接剂层接触的第1主面和第2主面来定义。在薄膜的晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在23℃下的90度剥离力为0.02N/20mm～0.5N/20mm。在晶圆固定区域中，粘接剂层和基材层在‑15℃下的90度剥离力为0.1N/20mm以上。在晶圆固定区域中基材层的第1主面的表面自由能为32～39mN/m。
切割芯片接合半导体装置制造方法

[发明专利]片材、带材和半导体装置的制造方法-CN201711114134.6有效
发明人：木村龙一;志贺豪士;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明涉及片材、带材和半导体装置的制造方法。本公开提供无论有无固化处理均能附加耐久性优异的标记的片材。本公开的片材包含切割膜，所述切割膜包含基材层和位于基材层上的粘合剂层。本公开的片材还包含位于粘合剂层上的半导体背面保护膜。在本公开的片材中，半导体背面保护膜的DSC测定的DSC曲线中，在50℃～300℃范围内出现的放热峰的放热量为40J/g以下。
半导体装置制造方法

[发明专利]片材、胶带及半导体装置的制造方法-CN201710325250.6有效
发明人：木村龙一;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供片材、胶带及半导体装置的制造方法。本发明的一个方式提供能够减少切割时芯片侧面产生的龟裂的片材和胶带。本发明的一个方式涉及片材。片材包含切割薄膜。切割薄膜包含基材层及位于基材层上的粘合剂层。片材进一步包含位于粘合剂层上的半导体背面保护薄膜。半导体背面保护薄膜具有1.7kgf/mm2以上的对硅芯片的25℃剪切粘接力。
胶带半导体装置制造方法

[发明专利]芯片接合片及切割芯片接合薄膜-CN202210928838.1在审
发明人：畠山义治;大西谦司;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-08-03 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：本发明涉及芯片接合片及切割芯片接合薄膜。提供芯片接合片等，所述芯片接合片至少包含在分子中具有环氧基的含环氧基丙烯酸类树脂作为有机成分，前述含环氧基丙烯酸类树脂的环氧当量为1300以上且不足6000，前述含环氧基丙烯酸类树脂在前述有机成分中所占的比例为90.0质量％以上。
芯片接合切割薄膜

[发明专利]热固化型树脂片及切割芯片接合薄膜-CN202210793685.4在审
发明人：大西谦司;木村雄大;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C09J7/30 文献下载
摘要：提供热固化型树脂片及切割芯片接合薄膜。提供热固化型树脂片及具备该热固化型树脂片的切割芯片接合薄膜等，所述热固化型树脂片包含交联性丙烯酸类聚合物，所述交联性丙烯酸类聚合物在分子中具有通过热固化处理引起交联反应的交联性基团，所述热固化型树脂片的热固化处理前的140℃下的剪切损耗模量G”为1kPa以上且20kPa以下，并且在150℃下进行1小时热固化处理后的150℃下的拉伸模量为0.5MPa以上且7.0MPa以下。
固化树脂切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810654758.5有效
发明人：福井章洋;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;木村雄大 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：提供一种具有保存稳定性优异、能在短时间内固化、并且固化后能进行适宜的引线接合的粘接剂层的切割芯片接合薄膜。一种切割芯片接合薄膜，其具备：具有包含基材和粘合剂层的层叠结构的切割带；和与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合的粘接剂层，前述粘接剂层含有热固化性成分、填料及固化促进剂，其在130℃加热30分钟之后利用DSC测定得到的发热量为加热前的发热量的60％以下，前述加热后的在130℃下的储能模量为20MPa以上且4000MPa以下。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]热固性树脂组合物、热固性片、及半导体芯片包覆构件-CN202210456785.8在审
发明人：宍戸雄一郎;佐藤慧;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C09D163/00 文献下载
摘要：本发明的热固性片具备半导体芯片包覆层，该半导体芯片包覆层包含热固性树脂，并且以覆盖着半导体芯片的至少一部分的状态发生热固化，上述半导体芯片包覆层在温度140℃、频率10Hz及剪切应力5000Pa的条件下测定的热固化前的剪切模量为100Pa以上且2000Pa以下，并且在热固化后，对于波长500nm的光的直线透射率为60％以上且95％以下。
热固性树脂组合半导体芯片构件

[发明专利]半导体封装体的制造方法-CN201610997829.2有效
发明人：木村龙一;高本尚英;志贺豪士 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：[课题]提供能够防止由树脂的热固化收缩导致的半导体芯片位置偏移的半导体封装体的制造方法。[解决手段]涉及一种半导体封装体的制造方法，其包括如下工序：在配置在粘合片上的半导体背面保护薄膜上配置半导体芯片的工序；使半导体背面保护薄膜固化的工序；以及，用树脂密封半导体芯片的工序。
半导体封装制造方法

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810339937.X有效
发明人：木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;大和道子;井上真一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-04-16 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：提供一种切割芯片接合薄膜，其在为了得到带有粘接剂层的半导体芯片而使用切割芯片接合薄膜的扩展工序中可良好地割断切割带上的粘接剂层，并且对于割断后的带有粘接剂层的半导体芯片能够实现良好拾取。一种切割芯片接合薄膜，其包含：切割带，其具有包含基材和粘合剂层的层叠结构；和粘接剂层，其与前述切割带中的前述粘合剂层可剥离地密合，前述粘合剂层表面在温度23℃、频率100Hz的条件下利用纳米压痕法压入500nm时的弹性模量为0.1～20MPa。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810345577.4有效
发明人：木村雄大;高本尚英;大西谦司;宍户雄一郎;福井章洋;大和道子;井上真一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C09J7/24 文献下载
摘要：本发明提供适合于实现带有粘接剂层的半导体芯片自切割带的良好的拾取的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及粘接剂层(20)。切割带(10)具有包含基材(11)和粘合剂层(12)的层叠结构。粘接剂层(20)与粘合剂层(12)可剥离地密合。用于形成粘合剂层(12)与粘接剂层(20)的界面的、粘合剂层(12)的表面(12a)及粘接剂层(20)的表面(20b)能够产生3.5mJ/m2以上的表面自由能差。
切割芯片接合薄膜

[发明专利]半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜-CN202111420045.0在审
发明人：中浦宏;宍户雄一郎;杉村敏正;高本尚英 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C08L23/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体晶圆搭载用基材、切割带及切割芯片接合薄膜。本发明的半导体晶圆搭载用基材在‑15℃下的断裂伸长率为300％以上、并且在‑15℃下的断裂强度为20N以上。
半导体搭载基材切割芯片接合薄膜

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