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[发明专利]热电转换组件及其制造方法-CN202180038636.3在审
发明人：关佑太;森田亘;加藤邦久 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H10N10/817 文献下载
摘要：本发明提供可防止由接合材料引起的电极上的热电转换材料的芯片的位置偏移、抑制邻接的热电转换材料的芯片之间的短路、热电转换材料的芯片与电极的接合不良的热电转换组件及其制造方法。该热电转换组件包含：具有第1电极的第1基板；具有第2电极的第2基板；由热电半导体组合物形成的热电转换材料的芯片；由第1接合材料形成的第1接合材料层，所述第1接合材料层将该热电转换材料的芯片的一面和上述第1电极接合；以及由第2接合材料形成的第2接合材料层，所述第2接合材料层将上述热电转换材料的芯片的另一面和上述第2电极接合，其中，上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的熔点，或者上述第2接合材料的熔点低于上述第1接合材料的固化温度。
热电转换组件及其制造方法

[发明专利]柔性显示面板-CN201811566590.9在审
发明人：李雪 -专利权人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性显示面板，其特征在于：所述柔性显示面板包括︰显示区、边框、芯片接合区、阵列测试电路、阵列测试焊垫组件、以及盒测试电路。所述边框围绕设置在所述显示区周缘，且具有一下边框部。所述芯片接合区设置在所述下边框部上，用于接合一芯片。所述阵列测试电路设置在所述下边框部上。所述阵列测试焊垫组件设置在所述芯片接合区中。所述盒测试电路，设置在所述下边框部上。所述阵列测试电路以及所述盒测试电路的其中一者设置在所述芯片接合区中，另一者则位于所述芯片接合区外。本发明芯片接合区能够缩小尺寸以对应缩小化的芯片。
芯片接合区柔性显示面板阵列测试电路测试电路下边框部边框阵列测试显示区焊垫芯片围绕设置组件设置边框部

[发明专利]接合垫及芯片结构-CN200410069266.8有效
发明人：林久顺;林冠州;伍家辉;郑百盛 -专利权人：奇景光电股份有限公司
申请日： 2004-07-15 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明是关于一种接合垫及芯片结构。其中，该芯片结构主要由一芯片及至少一接合垫所构成。芯片具有一主动表面。接合垫是配置在芯片的主动表面上。接合垫是由一多边形本体部以及多个第一突起部所构成。多边形本体部具有一第一平面及相对应的一第二平面，且多边形本体部是以第二平面接触芯片而配置在芯片上。这些第一突起部是配置在第一平面上，且分别位于多边形本体部的角落处。藉由改变接合垫的几何形状，能提高芯片结构经由接合垫与其他元件电性连接的接合良率。
接合芯片结构

[发明专利]一种芯片接合系统及方法-CN201510938394.X有效
发明人：陈勇辉;唐世弋;李会丽 -专利权人：上海微电子装备（集团）股份有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2018-08-14 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片接合系统及方法，使用用于提供芯片的源端第一运动台，将芯片位置重新排布并承载着转接板的第二运动台，以及承载与芯片接合的基底的第三运动台，使用两个运动机构在三个运动台之间进行抓取芯片、放置芯片，当运动机构从第一运动台上抓取芯片放置在第二运动台时，可以按照芯片最终与基底接合时的形态而将芯片放置在第二运动台上，也就是将芯片按照与基底接合的形态进行重新排布，这样将转接板一次性翻转后，将已重新排布后的芯片与基底接合时，无需再次排布，这样整个芯片接合系统中，实现翻转的机构只需实现一次翻转，就可以将所有芯片按照工艺要求与基底一次性接合，这样提高了生产效率，节省了时间，满足了量产化需求。
一种芯片接合系统方法

[实用新型]多芯片封装结构的内连线-CN200520145025.7无效
发明人：杨伟毅;钟和明 -专利权人：晨星半导体股份有限公司
申请日： 2005-12-16 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多芯片封装结构的内连线，包括：一第一芯片，具有多个第一接合垫；及一第二芯片，与该第一芯片形成一封装体，该第二芯片具有多个第二接合垫，且该第二接合垫电性连接该第一接合垫；其中，该第一芯片的内部电路具有两种以上的连接方式连接该第一接合垫本实用新型于多芯片封装结构内的芯片内部电路形成有两种以上不同的连接方式连接其上的接合垫，以此可选择与不同芯片搭配封装于一封装体中。
芯片封装结构连线

[发明专利]半导体装置制造方法-CN201980043363.4在审
发明人：三田亮太;市川智昭 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2019-03-27 - 公布日： 2021-02-19 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本制造方法包括如下的工序：对于排列在加工用带(T1)上的多个芯片(C)，粘贴具有基材(B)与烧结接合用片(10)的层叠结构的片体(X)中的烧结接合用片(10)侧，然后将基材B自烧结接合用片(10)剥离的工序；将加工用带(T1)上的芯片(C)与烧结接合用片(10)中的与该芯片(C)密合的部分一同拾取，得到带有烧结接合用材料层的芯片(C)的工序；将带有烧结接合用材料层的芯片(C)借助该烧结接合用材料层(11)而临时固定于基板的工序；以及，由夹设在临时固定的芯片(C)与基板之间的烧结接合用材料层(11)，历经加热过程而形成烧结层，将该芯片(C)接合于基板的工序。本半导体装置制造方法适合于在降低烧结接合用材料的损耗的同时，高效地对半导体芯片进行烧结接合用材料的供给。
半导体装置制造方法

[发明专利]芯片加载用接合带及薄片、载体及包装体、制造、装载及包装方法-CN200510127056.4无效
发明人：山崎修;江部和义 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：提供能够提高带接合剂半导体芯片的成品率，防止使用浪费接合剂的半导体芯片加载用接合带。在带状的基材(11)上，把粘接半导体芯片(2)的接合剂部分(12)以需要粘接的半导体芯片(2)相同的形状或者比需要粘接的半导体芯片(2)大的形状，在所述的基材(11)的长度方向上断续性地形成多个。构成所述的接合剂部分(12)的接合剂是表示阶段性粘接性的。
芯片加载接合薄片载体包装制造装载方法

[发明专利]芯片加载用接合带及薄片、载体及包装体、制造、装载及包装方法-CN200510127057.9无效
发明人：山崎修;江部和义 -专利权人：琳得科株式会社
申请日： 2002-03-29 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： B65D73/02 文献下载
摘要：提供能够提高带接合剂半导体芯片的成品率，防止使用浪费接合剂的半导体芯片加载用接合带。在带状的基材(11)上，把粘接半导体芯片(2)的接合剂部分(12)以需要粘接的半导体芯片(2)相同的形状或者比需要粘接的半导体芯片(2)大的形状，在所述的基材(11)的长度方向上断续性地形成多个。构成所述的接合剂部分(12)的接合剂是表示阶段性粘接性的。
芯片加载接合薄片载体包装制造装载方法

[发明专利]可翻转的半导体芯片-CN201710931465.2在审
发明人：杨顺迪;波姆皮奥·V·乌马里;林根伟;哈里·马蒂纳斯·马里亚·霍尔斯蒂克;斯文·瓦尔兹克;梁志豪;蒂埃里·简斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体芯片和一种半导体器件，半导体芯片具有形成在多于两个内部层上的内部电路，以及布置在芯片顶表面上的芯片接合焊盘。接合焊盘连接到内部电路，以向内部电路提供输入和输出信号。一条或多条连接线电连接一对或多对芯片接合焊盘，从而限定接合焊盘布局。芯片接合焊盘被布置并且与连接线连接，使得接合焊盘布局是可翻转的，这允许芯片以不同的封装类型(例如，TSSOP或DFN)使用，又维持标准的引脚布置而不需要长的或交叉的接合导线。
翻转半导体芯片

[发明专利]可翻转的半导体芯片-CN202310767298.8在审
发明人：杨顺迪;波姆皮奥·V·乌马里;林根伟;哈里·马蒂纳斯·马里亚·霍尔斯蒂克;斯文·瓦尔兹克;梁志豪;蒂埃里·简斯 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体芯片和一种半导体器件，半导体芯片具有形成在多于两个内部层上的内部电路，以及布置在芯片顶表面上的芯片接合焊盘。接合焊盘连接到内部电路，以向内部电路提供输入和输出信号。一条或多条连接线电连接一对或多对芯片接合焊盘，从而限定接合焊盘布局。芯片接合焊盘被布置并且与连接线连接，使得接合焊盘布局是可翻转的，这允许芯片以不同的封装类型(例如，TSSOP或DFN)使用，又维持标准的引脚布置而不需要长的或交叉的接合导线。
翻转半导体芯片

[发明专利]芯片与晶片的接合方法以及三维集成半导体器件-CN201110410223.1有效
发明人：隋运奇;刘畅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2011-12-12 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明涉及芯片与晶片的接合方法以及三维集成半导体器件。该方法包括：在芯片背面上设置多个芯片亲水区，各芯片亲水区被芯片疏水区分隔开，对应地在晶片上设置与芯片的形状和尺寸相同的接合区域，该接合区域包括与芯片亲水区和芯片疏水区相对应的多个晶片亲水区和晶片疏水区，其中，各芯片亲水区的周长之和大于芯片周长，并且各晶片亲水区的周长之和大于接合区域周长；在多个晶片亲水区中滴入特定液体；以及将芯片预对准并放置在晶片的接合区域上，以使得每个芯片亲水区与相对应的晶片亲水区通过液体相接触在芯片亲水区与相对应的晶片亲水区之间可以具有一定偏移。根据本发明，能够提高采用自组装技术的芯片-晶片接合的对准精度和稳定性。
芯片晶片接合方法以及三维集成半导体器件

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN202180050673.6在审
发明人：重岁卓志 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2021-07-07 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H04N25/70 文献下载
摘要：具有一个堆叠在另一个之上的多个半导体芯片的半导体装置，提高了功能性同时降低了制造成本。半导体芯片包括光接收芯片、再布线侧半导体芯片、中间半导体芯片、贯通电极和再布线。光接收芯片接收入射光。在再布线侧半导体芯片的预定的布线表面上形成布线层。中间半导体芯片的一对接合表面中的一个接合表面与光接收芯片接合，并且一对接合表面中的另一个接合表面与再布线侧半导体芯片接合。贯通电极穿过中间半导体芯片的半导体基板。再布线以连接贯通电极和布线层的方式设在布线表面上。
半导体装置制造方法

[发明专利]器件芯片的制造方法-CN201911211330.4在审
发明人：蓝丽华 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：提供器件芯片的制造方法，不使配设于晶片的芯片接合用树脂变质而通过等离子蚀刻对晶片进行分割。该方法对形成有器件的晶片进行分割，具有如下的步骤：芯片接合用树脂配设步骤，向晶片的背面侧提供液态的芯片接合用树脂；水溶性树脂配设步骤，利用水溶性树脂覆盖芯片接合用树脂；激光加工步骤，从晶片的背面侧照射对于晶片具有吸收性的波长的激光束，沿着分割预定线将芯片接合用树脂和水溶性树脂去除；蚀刻步骤，在利用水溶性树脂对芯片接合用树脂进行保护的同时对在晶片的背面侧露出的部分进行蚀刻而将晶片分割成器件芯片；以及水溶性树脂去除步骤，向晶片的背面侧提供水而将水溶性树脂去除，从而得到带芯片接合用树脂的器件芯片。
器件芯片制造方法

[发明专利]热固型芯片接合薄膜、带切割片的芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法-CN201410244905.3在审
发明人：木村雄大;三隅贞仁;大西谦司;菅生悠树;宍户雄一郎 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2014-06-04 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： C09J7/02 文献下载
摘要：本发明提供导热性高的热固型芯片接合薄膜、使用了热固型芯片接合薄膜的带切割片的芯片接合薄膜以及半导体装置的制造方法。本发明涉及一种热固型芯片接合薄膜，其包含导热性颗粒，上述导热性颗粒利用硅烷偶联剂进行了表面处理，上述导热性颗粒的含量相对于热固型芯片接合薄膜整体为75重量％以上，所述热固型芯片接合薄膜在热固化后的导热系数为
热固型芯片接合薄膜切割半导体装置制造方法

[发明专利]切割芯片接合薄膜-CN201810342266.2在审
发明人：木村雄大;高本尚英;大西谦司;福井章洋;大和道子;井上真一 -专利权人：日东电工株式会社
申请日： 2018-04-17 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供适合于抑制芯片接合薄膜的卷曲、不易产生卷痕、并且适合于高效地制造的切割芯片接合薄膜。本发明的切割芯片接合薄膜(X)具备切割带(10)及芯片接合薄膜(20)。芯片接合薄膜(20)与切割带(10)的粘合剂层(12)可剥离地密合。芯片接合薄膜(20)的外周端(20e)在薄膜面内方向(D)位于距粘合剂层(12)的外周端(12e)500μm以内的距离处。
芯片接合薄膜粘合剂层切割带切割外周端层叠结构薄膜面可剥离内方向卷曲基材卷痕密合制造