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[实用新型]一种IBC太阳能电池结构-CN202022108929.X有效
发明人：赵保星;魏青竹;倪志春;张树德;符欣;连维飞 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-09-23 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IBC太阳能电池结构，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；所述n型单晶硅基底层的背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区。本实用新型通过将有机物质和单晶硅接触面移至电池背面，保证形成均匀、高质量的有机杂化异质结膜层，而正表面采用了碱制绒金字塔绒面结构，可以大幅提升电池光学性能。
一种 ibc 太阳能电池结构

[实用新型]一种异质结电池电极装置-CN202120794566.1有效
发明人：李晓昱 -专利权人：李晓昱
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种异质结电池电极装置，所述异质结电池电极装置包括：上下表面均设置TCO导电层的异质结电池元件、纵向电导线、横向电导线；上述多个异质结电池元件由纵向电导线直接连接，所述纵向电导线的布置方式为本实用新型的一种异质结电池电极装置，可以替代异质结电池表面的银栅线和焊带，同时增大了异质结电池发光面积；更容易收集电流，既增加了异质结电池的发电效率，又降低了原料成本。
一种异质结电池电极装置

[发明专利]基于低串扰少模-多芯光纤的量子与经典融合系统和方法-CN202011643959.9有效
发明人：郭邦红;陈璁;胡敏 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于低串扰少模‑多芯光纤的量子与经典融合系统和方法，包括发送端、扇入器件、少模‑多芯光纤、扇出器件以及接收端；所述发送端包括经典信号发送端、量子信号发送器、同步信号发送端；所述接收端包括经典信号接收端、量子信号接收器和同步信号接收器；本发明通过使用少模‑多芯光纤实现量子信号与经典信号共纤传输，其中少模‑多芯光纤为异质沟槽辅助型的环芯光纤，可以极大地降低不同纤芯、不同模式信号间的串扰，尤其可以降低经典信号对量子信号的干扰
基于低串扰少模光纤量子经典融合系统方法

[实用新型]一种基于低串扰少模-多芯光纤的量子与经典融合系统-CN202023338981.0有效
发明人：陈璁;胡敏;郭邦红 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H04B10/25 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于低串扰少模‑多芯光纤的量子与经典融合系统和方法，包括发送端、扇入器件、少模‑多芯光纤、扇出器件以及接收端；所述发送端包括经典信号发送端、量子信号发送器、同步信号发送端；所述接收端包括经典信号接收端、量子信号接收器和同步信号接收器；本实用新型通过使用少模‑多芯光纤实现量子信号与经典信号共纤传输，其中少模‑多芯光纤为异质沟槽辅助型的环芯光纤，可以极大地降低不同纤芯、不同模式信号间的串扰，尤其可以降低经典信号对量子信号的干扰
一种基于低串扰少模光纤量子经典融合系统

[发明专利]有序结晶有机膜的生长-CN200880104022.5有效
发明人：理查德·R·轮特;史蒂芬·R·福里斯特 -专利权人：密歇根大学董事会
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明公开了利用有机气相淀积生长用于有机光敏器件的本体有机结晶层的方法，通过这类方法制造的异质结和膜，以及使用这类异质结的器件。本发明还公开了制造异质结和有机光敏器件的新方法，以及由此制造的异质结和器件。
有序结晶有机生长

[发明专利]一种提高BFO/ZnO异质结器件光电响应的方法-CN201910587045.6有效
发明人：郑海务;吴梦君;王清林;任晓琳;刘平安;刁春丽 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-06-29 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高BFO/ZnO异质结器件光电响应的方法，BFO/ZnO异质结器件由下至上依次包含底电极，BFO铁电薄膜，ZnO籽晶层，ZnO纳米线阵列，上电极，通过对BFO/ZnO异质结器件在ZnO纳米线c轴顶端施加压缩作用力使纳米线发生应变，通过纳米线发生应变时产生的压电势来促进BFO/ZnO异质结结区内载流子的分离，从而增强异质结器件的光电性能。
一种提高 bfo zno 异质结器件光电响应方法

[发明专利]基于水转印双体异质结的有机光电探测器及其制备方法-CN202210709005.6在审
发明人：于军胜;李昱昊;张大勇;刘宇哲 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-06-21 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L51/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于水转印双体异质结的有机光电探测器及其制备方法，有机探测器采用反型结构，从下至上依次设置为衬底、透明导电阴极ITO、电子传输层、光活性层、空穴传输层和金属阳极。其中光活性层由底层体异质结活性层与顶层体异质结活性层组成，且底层体异质结活性层和顶层体异质结活性层有明显的分层。制备出高效探测性能的有机光电探测器件，在维持光电流较高水平的情况下，同时解决传统体异质结结构暗电流高的问题。进一步地，通过水转印工艺有效解决了传统溶液处理带来的双体异质结互相渗透的问题。
基于水转印双体异质结有机光电探测器及其制备方法

[发明专利]一种高频高线性多级多沟道T-Gate Fin-HEMT结构及制备方法-CN202310384509.X在审
发明人：王凯;吴畅;郭涛;刘捷龙;李程程 -专利权人：湖北九峰山实验室
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频高线性多级多沟道T‑Gate Fin‑HEMT结构，该结构从上至下至少依次包括第1组异质结叠层、第2组异质结叠层......第n组异质结叠层、缓冲层、衬底层，其中，n≥2；源电极和漏电极嵌设在异质结叠层两端；每组异质结叠层均包括沟道层和外延生长在沟道层上的势垒层；栅电极嵌设在位于源电极和漏电极之间的第1组异质结叠层至第n组异质结叠层中，呈阶梯状。
一种高频线性多级沟道 gate fin hemt 结构制备方法

[发明专利]基于异质图神经网络的社交网络恶意账号检测方法及装置-CN202210780783.4在审
发明人：乔凯;石舒豪;闫镔;陈健;王林元;舒君;魏月纳;白禄鑫 -专利权人：中国人民解放军战略支援部队信息工程大学
申请日： 2022-07-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06K9/62 文献下载
摘要：本发明属于图神经网络技术领域，具体涉及一种基于异质图神经网络的社交网络恶意账号检测方法及装置，该方法包括获取社交网络的信息，构建社交网络关系异质图；获得社交网络特征矩阵；从社交网络中选取正常账号和恶意账号进行标记，构建训练集；构建异质图神经网络，并使用训练集数据训练异质图神经网络；根据异质图神经网络的输出得到账号的类型为正常账号或恶意账号。本发明通过构建社交网络关系异质图有效地利用社交网络实体的特征和实体与实体之间的多种交互关系，通过训练异质图神经网络，实现恶意账号的自动检测。
基于异质图神经网络社交网络恶意账号检测方法装置

[发明专利]一种氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备方法-CN201510361771.8在审
发明人：徐杨;陆薇;阿亚兹;孟楠;万霞;程呈;郭宏伟;周翰铭;王雪;施添锦;王锋;马玲玲;刘雪梅;李炜;刘威 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-06-26 - 公布日： 2015-11-11 - 主分类号： C01B31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备方法，主要采用深反应刻蚀的方法，以 SF₆气体作为氟化剂制得氟化石墨烯/石墨烯异质结。所制得的氟化石墨烯异质结为多层，顶层为氟化石墨烯，顶层以下为石墨烯。本发明方法制备的氟化石墨烯/石墨烯异质结氟化程度高，氟化性质好，该方法可用于大尺寸氟化石墨烯/石墨烯异质结的制备，当采用的石墨烯样品其衬底为铜网时，还可实现氟化石墨烯/石墨烯/氟化石墨烯双层异质结。制得的氟化石墨烯/石墨烯异质结尺寸可以达到晶圆级，这为氟化石墨烯/石墨烯异质结的性质探究以及氟化石墨烯/石墨烯异质结器件的加工都奠定了良好的基础。
一种氟化石墨烯异质结制备方法

[发明专利]一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法-CN202010523672.6在审
发明人：陶科;姜帅;贾锐;金智;刘新宇 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-06-10 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L31/0747 文献下载
摘要：本发明公开了一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法，异质结背接触太阳能电池包括但不限于半导体衬底、第一钝化层及异质结。第一钝化层形成于半导体衬底的背表面上，异质结可形成于第一钝化层背面，异质结包括N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层结构。该异质结背接触太阳能电池的形成方法包括：在半导体衬底的背表面上形成异质结，异质结包括依次形成的N型掺杂硅薄膜和P型掺杂硅薄膜，其中，N型掺杂硅薄膜与P型掺杂硅薄膜沿垂直方向上形成叠层。本发明能够在不降低电池效率的前提下有效降低异质结背接触太阳能电池的生产成本，而且本发明光能转换效率比较高。
一种异质结背接触太阳能电池及其形成方法

[发明专利]一种利用铁电性和压电光电子学效应提高BLFO/ZnO异质结光电性能的方法-CN202010619045.2在审
发明人：郑海务;张远征;蒋俊华;丁震宇;张亚菊;种榉 -专利权人：河南大学
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：一种利用铁电性和压电光电子学效应提高BLFO/ZnO异质结光电性能的方法，涉及铁电半导体异质结器件领域，通过对BLFO/ZnO异质结器件施加脉冲偏压，调用BLFO铁电性，BLFO/ZnO异质结器件调用BLFO的铁电性后，对BLFO/ZnO异质结器件施加压应变引入压电光电子学效应，达到同时调用铁电性和压电光电子学效应的目的，以增强载流子的总驱动力，本发明采用溶胶‑凝胶法和水热法制备了BLFO/ZnO异质结器件，研究了压电光电子学效应和铁电效应对其光伏特性的影响，利用压电光电子学效应调制载流子输运行为，显著改善了BLFO/ZnO异质结器件的开路电压和短路电流，在压应变的基础上引入外电场极化，调用压电光电子学效应和铁电性，调制异质结能带结构和载流子的总驱动力，从而提高了异质结的光电性能。
一种利用铁电性压电电子学效应提高 blfo zno 异质结光电性能方法

[发明专利]二维材料异质结热电器件及其制备方法-CN202210158039.0在审
发明人：易典;王荣福 -专利权人：深圳市汉嵙新材料技术有限公司
申请日： 2022-02-21 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L35/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料异质结热电器件的制备方法及二维材料异质结热电器件。该二维材料异质结热电器件的制备方法包括如下步骤：在基材上形成二维材料异质结，二维材料异质结由包括两种不同的二维层状材料的原料经层叠形成；在基材上形成遮蔽二维材料异质结的光刻胶，光刻胶为电子束敏感的光刻胶；采用电子束照射光刻胶的预设区域，形成暴露部分二维材料异质结的蚀刻开口；通过蚀刻开口对二维材料异质结进行刻蚀；过蚀刻开口制备金属电极；及去除光刻胶。上述制备方法能够实现在尺寸较小的二维材料异质结之间形成金属电极，该金属电极可以用作触点并进一步通过引线电连接于外部的测试电路。
二维材料异质结热电器件及其制备方法

[发明专利]ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法-CN201811065138.4有效
发明人：刘志强;程成;伊晓燕;张勇;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本公开提供一种ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法，该ZnO/GaN异质结纳米线光开关包括：硅衬底、二氧化硅绝缘层以及ZnO/GaN异质结纳米线；二氧化硅绝缘层生长于硅衬底上；ZnO/GaN异质结纳米线设置于二氧化硅绝缘层上，沿其长度方向分为：ZnO纳米线和GaN纳米线，ZnO纳米线远离异质结界面的一端设置有源电极，异质结界面处设置有漏电极；GaN纳米线靠近异质结界面的一端与漏电极连接，另一端设置有栅电极。本公开提供的ZnO/GaN异质结纳米线光开关及其制备方法利用ZnO纳米线优良的光敏效应，采用GaN纳米线发出的紫外光激发ZnO纳米线，调节ZnO纳米线光电导，实现栅极对源漏电流大小的有效控制，达到制作异质结纳米线光开关的目的
zno gan 异质结纳米开关及其制备方法

[发明专利]一种CdS@ZnO芯鞘纳米阵列光电催化剂及其制备方法和应用-CN202310556485.1在审
发明人：杨超;曹勇;李思琪;魏雅楠 -专利权人：安徽工程大学
申请日： 2023-05-17 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： B01J27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种CdS/ZnO芯鞘纳米阵列光电催化剂及其制备方法和应用，首先通过水热法在FTO导电玻璃上生长出致密的CdS纳米棒阵列材料，之后通过原子层沉积在CdS纳米棒阵列材料上沉积ZnO，得到CdS@ZnO芯鞘结构纳米棒阵列，该制备方法简单，且沉积的ZnO的厚度可控，可根据不同的需求任意调节CdS纳米棒阵列材料表面ZnO的厚度，获得优异的异质结结构，提升载流子的传输与分离效率，进而提升其催化性能。
一种 cds zno 纳米阵列光电催化剂及其制备方法应用