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[发明专利]一种诱导铁酸铋薄膜相变的方法-CN201810789219.2在审
发明人：陈德杨;邓雄;陈超;孙菲;高兴森 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2018-07-18 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种诱导铁酸铋薄膜相变的方法，通过在BFO和基片之间插入一层外延生长的单晶薄膜作为应变的提供者，该单晶薄膜与BFO薄膜的晶格失配度范围为‑4％～‑6％，满足诱导BFO由R相转变为T相的必要条件，从而突破了对于基片的限制，在与BFO晶格失配度较小的基片上也能实现BFO的R‑T相变。
诱导晶格失配度铁酸铋薄膜单晶薄膜外延生长薄膜必要条件

[发明专利]一种提高BFO/ZnO异质结器件光电响应的方法-CN201910587045.6有效
发明人：郑海务;吴梦君;王清林;任晓琳;刘平安;刁春丽 -专利权人：河南大学
申请日： 2019-06-29 - 公布日： 2020-12-18 - 主分类号： H01L41/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高BFO/ZnO异质结器件光电响应的方法，BFO/ZnO异质结器件由下至上依次包含底电极，BFO铁电薄膜，ZnO籽晶层，ZnO纳米线阵列，上电极，通过对BFO/ZnO异质结器件在ZnO纳米线c轴顶端施加压缩作用力使纳米线发生应变，通过纳米线发生应变时产生的压电势来促进BFO/ZnO异质结结区内载流子的分离，从而增强异质结器件的光电性能。
一种提高 bfo zno 异质结器件光电响应方法

[发明专利]一种磷酸钴助催化剂改性BiFeO₃薄膜光电极及其制备方法-CN201710255042.3有效
发明人：陈达;王森;黄岳祥;秦来顺 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： C23C28/04 文献下载
摘要：本发明属于半导体薄膜领域，具体涉及一种磷酸钴改性BiFeO₃(BFO)薄膜光电极及其制备方法。本发明提供了一种磷酸钴(Co‑Pi)改性BFO薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光辅助电化学沉积法在溶胶凝胶法制备的BFO薄膜表面上沉积负载一层Co‑Pi助催化剂。通过磷酸钴助催化剂改性后，可以有效降低BFO薄膜光电极的反应过电势，提高表面反应活性，在一定程度上解决目前BFO薄膜光电极存在的光生载流子迁移率较差以及载流子复合率高等问题，从而可以大幅提高BFO薄膜光电极的光电化学性能，促进BFO薄膜光电极在光电化学领域的应用。
一种磷酸催化剂改性 bifeo3 薄膜电极及其制备方法

[发明专利]一种新型铁电拓扑畴存储单元的制备方法-CN202010281515.9在审
发明人：高兴森;杨文达;陈超;田国 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L27/11504 文献下载
摘要：一种新型铁电拓扑畴存储单元的制备方法，包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在(001)方向的STO(SrTiO3)单晶衬底上沉积一层BFO(BiFeO3)薄膜；S2：采用热蒸镀法在BFO薄膜表面上沉积一层金镀层，制得铁电材料；S3：存储单元的制备：采用导电原子力显微镜(PFM)探针在S2所述的金镀层表面进行刮擦，刮去局部金镀层，露出BFO区域，将BFO区域外周的金接地作为金电极，BFO区域中心作为BFO电极，制得存储单元；S4：存储单元的调控：通过向BFO电极施加点电压诱导BFO区域形成中心汇聚畴或中心发散畴。
一种新型拓扑存储单元制备方法

[发明专利]一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO₃薄膜光电极及其制备方法-CN201710255044.2有效
发明人：陈达;王森;黄岳祥;秦来顺 -专利权人：中国计量大学
申请日： 2017-04-14 - 公布日： 2019-04-02 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种Au纳米颗粒改性Nd掺杂BiFeO₃(BFO)薄膜光电极及其制备方法，其特点在于，通过光致还原法在溶胶凝胶法制备的Nd掺杂BFO薄膜表面上负载Au纳米颗粒，其中Nd掺杂BFO薄膜是由颗粒尺寸约300～500nm的纳米颗粒堆叠而成，而Au纳米颗粒比较均匀地分布在Nd掺杂BFO薄膜光电极表面。通过Au纳米颗粒修饰和Nd元素掺杂的修饰改性后，能够提高BFO薄膜的光吸收能力、促进光生载流子的迁移和分离效率，大大改善了BFO薄膜光电极的光电化学性能。
一种 au 纳米颗粒改性 nd 掺杂 bifeo3 薄膜电极及其制备方法

[发明专利]一种基于AFSA-BFO算法的电力系统PSS参数整定方法-CN201710255640.0有效
发明人：金涛;刘对;沈学宇;刘页 -专利权人：福州大学
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2019-09-13 - 主分类号： H02J3/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于AFSA‑BFO算法的电力系统PSS参数整定方法，首先采用AFSA算法进行搜索，当适应度达到某一值时，表明AFSA算法已收敛到全局最优的区域，此时切换到BFO算法，BFO算法将会在AFSA本发明采用AFSA‑BFO算法整定的PSS控制器在总体上具有较好的调节性，且整定的PSS参数具有较好的适应性，在大扰动下仍可提高系统稳定运行水平。
一种基于 afsa bfo 算法电力系统 pss 参数方法

[发明专利]一种磁控溅射制备高质量铁酸铋铁电光伏薄膜的方法-CN201611020065.8在审
发明人：莫镜辉;杨雯;杨培志;刘黎明;李学铭 -专利权人：云南师范大学
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2018-05-29 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供一种制备高质量铁酸铋（BFO）铁电光伏薄膜的方法，具体步骤为：采用镧系元素掺杂的BFO陶瓷靶材，将清洗后的FTO/玻璃衬底装入真空腔室，调节样品台与靶台间距为50～150mm；当本底真空度优于2/Ar为1/10～1/4通入O₂和Ar使工作压强为1～10Pa，分别设置射频电源的功率为10～100W，样品台的自转速度为5～15rpm，预溅射5～15min，根据BFO薄膜厚度设定溅射时间；溅射结束后继续通入Ar惰性保护气体对BFO薄膜进行原位退火处理，加热温度为300～600℃，保温时间为30～180min。本发明为物理气相沉积法，采用常规磁控溅射系统制备BFO铁电光伏薄膜，工艺可控性强，适用性广，易于大规模生产，为开发基于BFO铁电光伏薄膜的太阳能电池开辟了一种新的途径。
薄膜电光制备铁酸铋样品台溅射物理气相沉积法磁控溅射系统惰性保护气体本底真空度工艺可控性气体流量比太阳能电池磁控溅射工作压强厚度设定射频电源陶瓷靶材原位退火真空腔室镧系元素掺杂的预溅射自转靶台衬底加热装入保温清洗玻璃开发

[发明专利]一种PVDF基铁电高分子纳米复合材料及其制备方法和在全固态电卡制冷器件中的应用-CN202011213279.3在审
发明人：胡海龙;张帆;罗世彬 -专利权人：中南大学
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：PVDF基铁电高分子纳米复合材料是先制备BFO纳米颗粒，再将BFO纳米颗粒与BZT通过液相法原位复合，并经过静电纺丝制成BFO@BZT纳米纤维材料，将BFO@BZT纳米纤维材料与PVDF通过静电纺丝复合
一种 pvdf 基铁电高分子纳米复合材料及其制备方法固态制冷器件中的应用

[发明专利]一种压电振动陀螺仪谐振子、其制作方法及压电振动陀螺-CN201610286388.5在审
发明人：黄云;肖鹏博;曲天良 -专利权人：中国人民解放军国防科学技术大学
申请日： 2016-05-03 - 公布日： 2016-09-28 - 主分类号： G01C19/5677 文献下载
摘要：本发明属于惯性导航器件领域，具体涉及一种压电振动陀螺仪谐振子、其制作方法及镀制BFO薄膜作为驱动与检测电极的压电振动陀螺仪。本发明的目的是针对当前压电振动陀螺仪压电电极材料以及粘胶的使用对陀螺仪的Q值造成抑制，降低陀螺仪Q值、精度及灵敏度等问题，利用生长在LAO单晶材料上的具有单轴各向异性的BFO薄膜的强压电特性以及镀制薄膜材料可以避免固定压电电极时粘胶的使用，制作出一种镀制BFO薄膜作为驱动与检测电极的压电振动陀螺仪，将镀制BFO薄膜降低压电电极对陀螺仪品质因数抑制、BFO薄膜的压电灵敏度较高和避免使用粘胶对压电电极进行固定导致Q值降低等优势相结合，实现陀螺仪
一种压电振动陀螺仪谐振子制作方法陀螺

[发明专利]一种通过极化方向调控霍尔效应的结构-CN201510689015.8在审
发明人：高荣礼;符春林;蔡苇;陈刚;邓小玲;邹吉华 -专利权人：重庆科技学院
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L43/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过极化方向调控霍尔效应的结构，包括基片，基片上沉积下电极层，下电极层上沉积BFO薄膜层，BFO薄膜层上沉积有两个并排方孔的绝缘层；绝缘层上的每个方孔内沉积呈十字架形的铂电极，铂电极的端部在绝缘层上向外延伸并纵向连接为一体由于BFO不但具有磁性，同时还具有铁电性，其铁电极化方向可以通过外场进行调控。而BFO中磁性来源于铁离子，在极化方向转变的过程中，铁离子的位置可能会发生移动，从而影响到薄膜铂的磁性，进一步影响到铂/BFO的反常霍尔效应。
一种通过极化方向调控霍尔效应结构

[发明专利]一种铁酸铋/聚偏二氟乙烯-三氟乙烯多层复合薄膜及其制备方法-CN202010325743.1有效
发明人：徐玲芳;桂迟;张雨;肖海波;王瑞龙;杨昌平 -专利权人：湖北大学
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C08J5/18 文献下载
摘要：本发明属于多铁性薄膜技术领域，具体涉及一种铁酸铋/聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯多层复合薄膜，包括包括PVDF‑TrFE薄膜和至少一层BFO/PVDF‑TrFE复合薄膜，最上面的BFO/PVDF‑TrFE复合薄膜上贴附有PVDF‑TrFE薄膜；其制备方法为：将PVDF‑TrFE粉末溶解得到溶液A，再向溶液A中加入BFO纳米级粉末得到混合溶液B；然后以FTO导电玻璃为衬底，将混合溶液B在FTO导电玻璃上进行旋转涂膜，制备BFO/PVDF‑TrFE复合薄膜，烘干后，再将溶液A在BFO/PVDF‑TrFE复合薄膜上进行旋转涂膜，制备PVDF‑TrFE薄膜；之后将湿膜置进行退火处理，得到铁酸钴/聚偏二氟乙烯‑三氟乙烯多层复合薄膜
一种铁酸铋聚偏二氟乙烯多层复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种PVDF基压电传感器及其制备方法-CN202210184724.0在审
发明人：林国良;林奥翔;麻胜兰;张筱逸;林荣和;戴龙辉 -专利权人：福建工程学院;福建省兴岩建设集团有限公司
申请日： 2022-02-28 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： G01L1/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种PVDF基压电传感器及其制备方法，该传感器包括BT‑BFO/PVDF复合压电薄膜、两片导电银胶带、两片塑封膜、冷压端子和屏蔽导线，所述BT‑BFO/PVDF复合压电薄膜由BT‑BFO纳米材料和PVDF材料制成，所述两片导电银胶带上分别具有引脚部，所述两片导电银胶带分别贴附于BT‑BFO/PVDF复合压电薄膜的上、下两侧，所述两片塑封膜分别贴附于两片导电银胶带的上、下两侧，所述两片导电银胶带的引脚部分别连接一所述冷压端子
一种 pvdf 压电传感器及其制备方法

[发明专利]一种Bi2-CN202310366702.0在审
发明人：俞和胜;刘林峰;聂倩倩;刘嘉友 -专利权人：中国矿业大学
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： B01J27/049 文献下载
摘要：引入的BFO能够与ZIS形成Ⅱ型异质结构，提高光子利用率，有效减少电子空穴对复合。相比于两种单体，复合光催化剂对黄药具有更高的去除率。步骤1、制备BFO粉末；步骤2、制备ZIS粉末；步骤3、将ZIS粉末分散在甲醇中，超声30min，然后加入步骤1得到的BFO粉末，室温下连续搅拌24h，其中，BFO粉末和ZIS粉末的质量比值为10％‑50
一种 bi base sub

[发明专利]一种铁电二极管储存器及其制备方法-CN201911126163.3有效
发明人：樊贞;田浚江;赵磊;谭政伟 -专利权人：华南师范大学
申请日： 2019-11-18 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种铁电二极管储存器，包括依序层叠设置的单晶衬底、氧化物底电极、和BFO铁电薄膜，若干金属电极相互间隔地设置在所述BFO铁电薄膜表面；所述BFO铁电薄膜为外延铁电薄膜；单个所述金属电极的面积小于相对于现有技术，本发明通过巧妙的结构设计，在BFO外延铁电薄膜表面设置多个金属电极，并且将单个金属电极的面积减小至0.30平方微米以下，实现将单个金属电极的面积设计成微米级以下，获得高储存密度的铁电二极管储存器单元
一种二极管储存器及其制备方法

[发明专利]一种三明治结构全氧化物无铅铁电光伏器件及其制备方法-CN201910899163.0有效
发明人：杨锋;刘芬;林延凌;季凤岐;岳炳臣 -专利权人：济南大学
申请日： 2019-09-23 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了一种三明治结构全氧化物无铅铁电光伏器件及其制备方法，该光伏器件包括基底，所述基底上覆有BFO层，所述BFO层上覆有ITO层；所述BFO层为外延生长的BiFeO3‑δ
一种三明治结构氧化物铅铁电光器件及其制备方法

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