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[发明专利]类金刚石薄膜-CN201710582567.8有效
发明人：田梦军 -专利权人：维达力实业（深圳）有限公司
申请日： 2017-07-17 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及一种类金刚石薄膜。该类金刚石薄膜包括：沉积于基材之上的金属打底层；沉积于所述金属打底层之上的金属碳化物过渡层；沉积于所述金属碳化物过渡层之上的第一类金刚石层，该第一类金刚石层为功能性类金刚石层；沉积于所述第一类金刚石层之上的第二类金刚石层，该第二类金刚石层为颜色控制类金刚石层。该类金刚石薄膜层间结合力强，具有高硬度、高光洁度、低摩擦系数、耐腐蚀等优点，且具有深色色系外观，特别适用于对颜色外观及可靠性能要求都非常苛刻的装饰镀领域。
金刚石薄膜

[发明专利]一种低应力类金刚石多层薄膜及其制备方法-CN201810721326.1在审
发明人：许伟;周克崧;林松盛;代明江;石倩;韦春贝 -专利权人：广东省新材料研究所
申请日： 2018-07-03 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低应力类金刚石多层薄膜及其制备方法，属于硬质薄膜技术领域。低应力类金刚石多层薄膜包括基体、过渡层以及类金刚石薄膜层组。类金刚石薄膜层组包括多层内应力为压应力的第一类金刚石薄膜层及多层内应力为拉应力的第二类金刚石薄膜层，第一类金刚石薄膜层与第二类金刚石薄膜层依次交替设置，类金刚石薄膜层组中最靠近过渡层以及最远离过渡层的一层均为第一类金刚石薄膜层该低应力类金刚石多层薄膜内应力低、硬度高、膜基结合力高、摩擦学性能优异，可作为表面防护涂层广泛地应用于工模具领域。制备方法包括：于基体的表面沉积过渡层，于过渡层的远离基体的一侧的表面沉积类金刚石薄膜层组。该方简单、工艺可控、成本较低。
类金刚石薄膜层过渡层多层薄膜类金刚石低应力制备表面沉积多层表面防护涂层膜基结合力摩擦学性能交替设置硬质薄膜工模具拉应力压应力可控应用

[发明专利]类金刚石薄膜及制备方法-CN202010286376.9有效
发明人：胡琅;徐平;侯立涛;冯杰;胡强;吴猛 -专利权人：季华实验室
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开一种类金刚石薄膜及制备方法，其中，类金刚石薄膜包括基材层、过渡层和类金刚石层，过渡层贴设于基材层的一侧，类金刚石层贴设于过渡层远离基材层的一侧，类金刚石层内掺杂有氮原子，以调节类金刚石薄膜内sp本发明技术方案改变了类金刚石薄膜的表面电阻，使其满足抗静电的应用需求。
金刚石薄膜制备方法

[发明专利]基于类金刚石薄膜中间层的纳米金刚石薄膜制备方法-CN201910060964.8在审
发明人：汪琳;李泰然;姜亦杨;黄健;王林军 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于类金刚石薄膜中间层的纳米金刚石薄膜制备方法，利用离子束复合中频溅射法在单晶硅衬底上预先沉积一层类金刚石薄膜作为中间层；随后在类金刚石薄膜中间层上利用微波等离子体气相沉积法，外加负偏压辅助沉积得到纳米金刚石薄膜本发明利用类金刚石薄膜产生高浓度的碳源，增加碳的过饱和度，从而提高了纳米金刚石薄膜的形核密度；在偏压形核过程中引入大量的原子氢，增加刻蚀效率，对降低纳米金刚石薄膜的晶粒尺寸，提高异质外延纳米金刚石薄膜的形核密度，以及制备高质量纳米金刚石薄膜有很大意义。
纳米金刚石薄膜类金刚石薄膜中间层形核制备微波等离子单晶硅晶粒辅助沉积过饱和度刻蚀效率异质外延中频溅射沉积法负偏压离子束原子氢衬底沉积复合引入

[发明专利]一种复合类金刚石薄膜及其制备方法-CN201811612953.8在审
发明人：许伟;林松盛;周克崧;代明江;石倩;韦春贝 -专利权人：广东省新材料研究所
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及镀膜领域，公开了一种复合类金刚石薄膜及其制备方法。制备方法包括利用磁控溅射法在基体上沉积金属层，在金属层上沉积金属碳化物层，在金属碳化物层上沉积至少两层复合层。复合层包括金属软层和金属掺杂类金刚石薄膜硬层，同一复合层中的金属软层相对于金属掺杂类金刚石薄膜硬层靠近基体。当复合层为多层时，金属软层与金属掺杂类金刚石薄膜硬层交替沉积，薄膜整体形成微‑纳跨尺度多层类金刚石薄膜，该复合类金刚石薄膜具有膜‑基结合强度高、硬度高、韧性好的特点。并且该方法易于制造出大厚度类金刚石薄膜。本发明实施例提供的复合类金刚石薄膜由上述的复合类金刚石薄膜的制备方法制得。
类金刚石薄膜制备复合金属掺杂复合层软层硬层金属多层金属碳化物层沉积金属层磁控溅射法薄膜整体沉积金属交替沉积两层复合碳化物层金属层跨尺度沉积镀膜制造

[发明专利]一种低应力散热层半导体衬底及其制备方法和应用-CN201911397643.3在审
发明人：魏志鹏;郭德双;唐吉龙;王华涛;徐英添;范杰;郝永芹;王新伟;林逢源;王晓华;马晓辉 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：本发明提供的低应力散热层半导体衬底由上至下依次为半导体衬底层、类金刚石缓冲层和金刚石薄膜层。本发明在半导体衬底层和金刚石薄膜层中间添加类金刚石缓冲层，类金刚石缓冲层和金刚石薄膜层构成低应力散热层，利用类金刚石缓冲层的缓冲作用，解决了半导体衬底和金刚石薄膜层之间由于不匹配的热膨胀系数引起的应力问题，类金刚石缓冲层有效降低了与半导体衬底间的应力；而且金刚石导电性能较差，本发明通过添加具有导电特性的类金刚石缓冲层，有效改善了金刚石导电性差导致的电极制备难度大的问题。
一种应力散热半导体衬底及其制备方法应用

[发明专利]一种利用类金刚石复合膜进行金刚石薄膜平坦化的工艺-CN201010273581.8无效
发明人：张楷亮;王莎莎;王芳;曲长庆;孙大智 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2010-09-07 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： C23C16/27 文献下载
摘要：一种采用类金刚石复合膜法进行金刚石薄膜平坦化的工艺，步骤如下：1)以单面抛光的硅片为基底，采用常规沉积工艺制备金刚石薄膜；2)在沉积金刚石薄膜的硅片上，采用化学气相沉积法，沉积类金刚石薄膜；3)采用化学机械抛光法，对类金刚石薄膜进行平坦化，从而得到高度平坦化的金刚石薄膜。本发明的优越性是：本发明制备方法简单，具有去除量少、表面硬度小、抛光效率高等优点，消除了各种去除式抛光工艺的缺点，增大了抛光面积，提高了薄膜质量，采用非金刚石粉的磨料可大大降低成本，通过实验证实可以高效率的得到表面粗糙度Ra＜1.5nm的金刚石薄膜，而金刚石薄膜仍保持原有性质不变。
一种利用金刚石复合进行薄膜平坦工艺

[发明专利]一种在物件基底上沉积抗腐蚀类金刚石薄膜的方法-CN201110308211.8有效
发明人：李钱陶;杨长城;熊长新;张炜;李季 -专利权人：湖北久之洋红外系统有限公司
申请日： 2011-10-12 - 公布日： 2012-02-22 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种在物件基底上沉积抗腐蚀类金刚石薄膜的方法，属于涂层技术领域，适用于硅、锗半导体材料以及钢及其合金、铝及其合金金属材料表面类金刚石膜的化学气相法镀制，产品特别适合在盐雾、海水、酸、碱、盐等腐蚀环境下使用本发明方法包括下述步骤：（1）基底清洗；（2）惰性气体离子轰击；（3）类金刚石薄膜沉积；类金刚石薄膜沉积分为A型类金刚石膜层沉积和B型类金刚石膜沉积；在沉积过程中A型类金刚石膜和B型类金刚石膜交替沉积生长本发明的优点是：方法简单，易于操作和实现，类金刚石薄膜具备优异的抗盐雾、海水、酸、碱、盐等介质腐蚀能力，且无需使用剧毒气体或原料，因此，安全环保。
一种物件基底沉积腐蚀金刚石薄膜方法

[发明专利]类金刚石碳硬质多层薄膜形成的物体和其制造方法-CN200610128589.9有效
发明人：赤理孝一郎;太田安喜俊 -专利权人：株式会社神户制钢所
申请日： 2006-09-05 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： B32B33/00 文献下载
摘要：一种类金刚石碳硬质多层薄膜形成的物体，其包括基底、主要由类金刚石碳构成的类金刚石碳薄膜和在基底和类金刚石碳薄膜之间的中间层。类金刚石碳薄膜从基底侧依次由第一类金刚石碳薄膜和第二类金刚石碳薄膜构成。基于毫微级压痕试验，第一类金刚石碳薄膜的表面硬度为不少于10GPa至不多于40GPa，并且基于毫微级压痕试验，第二类金刚石碳薄膜的表面硬度为40GPa以上至不多于90GPa。根据所述结构，即使在从具有高硬度的材料如烧结碳化物至具有低硬度的铁基材料的各类基底上形成厚度不少于约3微米的在最外表面侧上包含高硬度DLC薄膜的DLC多层，除极好的耐磨性之外，能够确保对基底和DLC薄膜两者具有极好的粘合性
金刚石硬质多层薄膜形成物体制造方法

[发明专利]一种类金刚石复合薄膜及其制备方法和应用以及一种IGBT模块散热基板-CN201910827903.X有效
发明人：殷录桥;张建华;王毅斌;张豆豆;汪飞 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明涉及晶体管技术领域，提供了一种类金刚石复合薄膜，自下而上依次包括金属基层、金属碳化物梯度过渡层和氮银共掺杂类金刚石薄膜层。本发明通过设置金属碳化物梯度过渡层，改善了类金刚石薄膜与金属接触角过大的问题；本发明在类金刚石薄膜中掺杂氮和银，在提高类金刚石薄膜的热稳定性的同时，又可以降低其内应力，提高类金刚石复合薄膜的散热性能。本发明提供类金刚石复合薄膜的制备方法，该方法步骤简单，得到的复合薄膜质量高。本发明还提供了一种IGBT模块散热基板和一种IGBT模块，本发明在传统的IGBT模块的铜基板表面制备类金刚石复合薄膜，可以明显提升散热铜板的导热性能，进而提高整个IGBT模块的传热能力。
种类金刚石复合薄膜及其制备方法应用以及一种 igbt 模块散热

[发明专利]一种类金刚石原位自反应石墨化润滑涂层刀具及其制备方法-CN201811406850.6在审
发明人：吴泽;邢佑强;赵国龙;刘晓军 -专利权人：东南大学
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明属于金属切削工具制造技术领域，涉及一种类金刚石原位自反应石墨化润滑涂层刀具及其制备方法。该刀具基体表面具有类金刚石涂层薄膜，类金刚石薄膜的外层含有铁、钴等掺杂的过渡金属元素成分。该刀具的类金刚石薄膜由反应磁控溅射的方法制备，其中镀膜主体工艺分为两个步骤：无掺杂反应磁控溅射制备类金刚石内层，掺杂过度金属元素反应磁控溅射制备类金刚石外层。该类金刚石涂层刀具的薄膜外层含有少量过渡金属元素杂质，在切削高温作用下，过渡金属元素会诱导类金刚石中的碳原子之间的σ键向π键转换，促使切削摩擦界面的部分类金刚石原位反应转化为石墨，从而有效润滑金属切削过程
制备类金刚石反应磁控溅射过渡金属元素切削刀具类金刚石薄膜金刚石润滑涂层石墨化自反应掺杂金刚石涂层刀具金属切削工具类金刚石涂层薄膜外层刀具基体高温作用金属元素润滑金属原位反应主体工艺石墨掺杂的碳原子镀膜内层薄膜诱导摩擦转换转化制造

[发明专利]一种深海照明LED光源装置及制备方法-CN201910032704.X有效
发明人：殷录桥;王毅斌;张建华;李春亚 -专利权人：上海大学
申请日： 2019-01-14 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： F21K9/90 文献下载
摘要：装置包括由下往上依次排列的热沉材料层、金属基层、梯度过渡层、硅铜共掺杂的类金刚石薄膜层、电路层、绝缘层和灯珠，所述绝缘层采用类金刚石薄膜，所述灯珠位于所述绝缘层上。本发明的硅铜共掺杂的类金刚石薄膜层在提高类金刚石薄膜的热稳定性的同时，又降低了类金刚石薄膜的内应力，使得这种类金刚石薄膜在散热方面有良好的表现。本发明中的金属基层和梯度过渡层能够改善类金刚石薄膜与金属接触角过大的问题。本发明利用类金刚石薄膜将LED面板和热沉材料键合在一起，提高了深海LED光源模块的整体散热能力。
一种深海照明 led 光源装置制备方法

[发明专利]基于类金刚石薄膜的LED散热结构及其制备方法和LED结构-CN201910227409.X在审
发明人：高翔;周茂伟;马丹丹;左黎明;王龙;曹可凡 -专利权人：芜湖职业技术学院
申请日： 2019-03-25 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于类金刚石薄膜的LED散热结构及其制备方法和LED结构，该LED散热结构，包括衬底，沉积于所述衬底表面的过渡层，以及沉积于所述过渡层表面的类金刚石薄膜，所述过渡层为氮化铝过渡层或碳化硅过渡层本发明将热导率高的类金刚石薄膜作为散热层，又解决了常规类金刚石薄膜硬脆不能作为单独的散热层的技术难题，降低了类金刚石薄膜和衬底材料的晶格错配度，减少了不同材料之间的内应力，使类金刚石薄膜散热层和衬底之间结合的更加紧密，又克服了类金刚石薄膜又硬又脆不能单独作为散热层的缺点，从而实现提高衬底的散热性能，达到降低LED结温，提高LED寿命和发光效率的目的。
类金刚石薄膜散热层过渡层衬底沉积制备氮化铝过渡层过渡层表面衬底表面衬底材料发光效率技术难题散热性能热导率碳化硅错配晶格

[实用新型]一种被覆梯度类金刚石薄膜的模具-CN201621179764.2有效
发明人：彭继华;苏东艺;梁献文 -专利权人：广州今泰科技股份有限公司;华南理工大学
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本实用新型属于新材料技术领域，提供一种被覆梯度类金刚石薄膜的模具，包括模具基体，所述模具基体的表面上设有梯度类金刚石薄膜，所述梯度类金刚石薄膜由下至上包括纯金属层、第一梯度过渡层、金属氮化物层、第二梯度过渡层、碳化钨层、第三梯度过渡层以及表面层，所述表面层为类金刚石层或含硅类金刚石层。本实用新型被覆梯度类金刚石薄膜的模具具有优异的膜基结合力和抗冲击性。
一种被覆梯度金刚石薄膜模具

[发明专利]一种可以增强发光性能的类金刚石薄膜的制备方法-CN202111161403.0有效
发明人：杜文汉;陈旺泽;顾俨湘;杨景景 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种可以增强发光性能的类金刚石薄膜的制备方法，包括：(1)预处理：清洗硅片表面杂质；(2)碱刻蚀：利用碱性溶液对所述硅片进行腐蚀，在硅片的表面形成倒金字塔结构；(3)硅衬底上沉积氧化膜：在有倒金字塔结构的硅衬底上沉积氧化锶薄膜，并在真空条件下退火，去除硅表面的氧化硅层；(4)硅衬底上生长类金刚石薄膜：除去氧化硅后，在氧化锶薄膜上沉积多晶型类金刚石薄膜；沉积多晶型类金刚石薄膜的工艺是：以石墨作为靶材，通入氩气，利用磁控溅射方法沉积形成多晶型类金刚石薄膜本发明的方法采用在硅衬底上沉积氧化锶去除硅表面氧化硅层的方法，减少了类金刚石薄膜中非晶态的比例，提高了类金刚石薄膜的结晶质量。
一种可以增强发光性能金刚石薄膜制备方法

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