“杜文汉”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果44个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种可以增强发光性能的类金刚石薄膜的制备方法-CN202111161403.0有效
发明人： 杜文汉;陈旺泽;顾俨湘;杨景景 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种可以增强发光性能的类金刚石薄膜的制备方法，包括：(1)预处理：清洗硅片表面杂质；(2)碱刻蚀：利用碱性溶液对所述硅片进行腐蚀，在硅片的表面形成倒金字塔结构；(3)硅衬底上沉积氧化膜：在有倒金字塔结构的硅衬底上沉积氧化锶薄膜，并在真空条件下退火，去除硅表面的氧化硅层；(4)硅衬底上生长类金刚石薄膜：除去氧化硅后，在氧化锶薄膜上沉积多晶型类金刚石薄膜；沉积多晶型类金刚石薄膜的工艺是：以石墨作为靶材，通入氩气，利用磁控溅射方法沉积形成多晶型类金刚石薄膜。本发明的方法采用在硅衬底上沉积氧化锶去除硅表面氧化硅层的方法，减少了类金刚石薄膜中非晶态的比例，提高了类金刚石薄膜的结晶质量。
一种可以增强发光性能金刚石薄膜制备方法

[发明专利]一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法-CN202310467753.2在审
发明人： 杜文汉;顾俨湘;陈旺泽;杨景景;杜晓娇;蒋鼎 -专利权人：常州大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；先预溅射去除锡酸钡靶材表面的杂质，控制真空度，气体氛围调整为氩气氧气混合气，衬底温度维持室温，采用磁控溅射法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；然后将锡酸钡薄膜样品放入退火炉中。采用真空退火处理或纯氧条件退火处理方法进行退火热处理。将不同热处理条件的锡酸钡薄膜样品放入震动样品磁强计进行磁性参数测量。测出的数据表明制备的锡酸钡薄膜具备室温下的稀磁特性。
一种具有特性锡酸钡薄膜制备方法

[发明专利]一种集成电路制造用静电防护装置-CN202310330701.0在审
发明人：杨帆;孙丽丽;邢红飞;晁娟;曾德琴;郑益;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H05F3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路制造用静电防护装置，包括壳体、后端盖和前端盖，所述壳体的前后两侧分别设置有前端盖和后端盖，所述后端盖的内部设置有筛网，所述壳体的内部设置有固定板，所述固定板的内部贴合设置有离子风机，所述前端盖的内部设置有第一固定道；当气体与吸收层接触时会增加气体中水与酒精的混合溶液含量，大部分气体会被喷出至外界与集成电路进行接触，从而使得溶液覆盖在集成电路的表面，水分子可以进行导电来避免集成电路表面的电荷出现聚集的现象，而酒精可以起到消毒的作用，而少部分气体会与加热环接触，而加热环可以对与其接触的溶液进行气化，达到提高加热环周围区域温度的效果。
一种集成电路制造静电防护装置

[发明专利]一种具有减震稳速功能的硅基提拉装置-CN202310193488.3在审
发明人：杨帆;孙丽丽;邢红飞;晁娟;曾德琴;郑益;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B15/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有减震稳速功能的硅基提拉装置，涉及硅基提拉技术领域，包括熔硅筒、提拉柱和容气桶，所述容气桶的内部设置有支架和隔板，所述提拉柱依次与支架、隔板及容气桶相连接，所述支架的一侧设置有气泵，所述气泵通过支架与提拉柱相连接，所述提拉柱与支架的连接处设置有气流导向组件，所述提拉柱的外侧设置有气平衡组件，所述提拉柱和隔板的连接处设置有气流输入组件，所述提拉柱为中空设置，所述提拉柱的内部空间隔断成若干个通道，所述气流输入组件的输出端与容气桶内隔板下方的空间相连通。本发明通过气流带动提拉柱旋转，同时气流输出至外界过程中，反向为提拉柱提供动平衡效果，降低因震动在硅柱形成过程中产生的影响。
一种具有减震功能硅基提拉装置

[发明专利]一种防碰型快速进料的鳍式晶体管检测装置-CN202310109797.8在审
发明人：杨帆;孙丽丽;邢红飞;晁娟;曾德琴;郑益;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种防碰型快速进料的鳍式晶体管检测装置，包括机械臂、机械主体、传送装置、感应装置和定位装置，机械臂装有顶板，顶板上设有圆环滑道，圆环滑道内装有活动圆球，圆环滑道装有驱动电机，驱动电机与连杆连接，连杆与活动圆球连接，活动圆球通过圆柱与基板连接，基板上设有空气腔，复位环一端在空气腔内，另一端通过旋转轴安装在基板上，探测环通过旋转轴与复位环连接，传送装置包括传送带、齿轮、连接轴、支撑柱，传送带和齿轮传动连接，齿轮与连接轴连接，连接轴与支撑柱连接，感应装置包括圆盘、底座、感应器，圆盘与底座连接，圆盘与底座连接处装有感应器，定位装置包括轨道、定位块，轨道固定在安装桌两侧，定位块安装在轨道上。
一种防碰型快速进料晶体管检测装置

[发明专利]一种具有静电防护功能的晶圆切割装置-CN202211723242.4在审
发明人：杨帆;孙丽丽;邢红飞;晁娟;曾德琴;郑益;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B28D5/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有静电防护功能的晶圆切割装置，包括机架、第一电动推杆和切割刀片，所述机架的内部上端设置有第一电动推杆，所述第一电动推杆的下端设置有切割刀片，所述机架内部两侧设置有位置调整机构，所述括机架的内部滑动设置有固定架，所述限位架的内部设置有气动吸附清洁机构，所述顶柱具有弹性，所述顶柱的下端设置有通电调整机构；在产生电流时会通过传感器来对电流进行监测，晶圆和切割刀摩擦的速度越快时，晶圆和切割刀片表面附带的静电也就越多，所以当摩擦力越大时，摩擦的速度越快，产生的电流量也就越多，通过对电流量进行监测，来调整晶圆的切割速度，避免在切割过程中产生大量的静电。
一种具有静电防护功能切割装置

[发明专利]一种附带除屑功能的晶圆打磨装置-CN202211658844.6在审
发明人：杨帆;孙丽丽;邢红飞;晁娟;曾德琴;郑益;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2022-12-22 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： B24B37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种附带除屑功能的晶圆打磨装置，涉及晶圆打磨技术领域，包括晶圆和主体，所述主体包括打磨部件和承载部件，所述打磨部件位于承载部件的中部，所述打磨部件包括驱动组件、偏心组件和研磨组件，所述承载部件包括护边组件和吸附组件，所述护边组件的内部放置有晶圆，所述护边组件的上端表面高度低于晶圆的上端表面高度，所述护边组件用于保护晶圆的侧边，所述研磨组件内部设置有研磨剂喷射机构，所述吸附组件的内部设置有真空泵。本发明通过改变研磨板结构，通过研磨辊替换研磨板的中部区域，以避免研磨板的中部打磨效果不佳的情况出现，同时研磨板的中部呈断开设置，以便于研磨液的添加与排出。
一种附带功能打磨装置

[发明专利]一种制备高sp3-CN202210196004.6在审
发明人： 杜文汉;陈旺泽;顾俨湘;杨景景;胡素素 -专利权人：常州工学院
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备类金刚石薄膜的方法，特别涉及一种制备高sp3碳碳键含量类金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、样品和磁铁的清洁处理；步骤二、通过磁控溅射制备氮掺杂类金刚石薄膜，将石墨靶材进行预溅射用于去除靶材表面杂质，预溅射时靶材和衬底之间的挡板保持关闭状态；预溅射的工艺条件为：溅射功率密度2W/cm2,溅射时间5分钟，溅射气体为高纯氩气，气体纯度为99.999％，氩气的流量为5～30sccm，溅射时的工艺真空度为0.5～5Pa；类金刚石薄膜沉积，此时靶材和衬底之间的挡板保持开启状态，类金刚石薄膜完成在衬底上的沉积过程；完成类金刚石薄膜沉积后，关闭磁控溅射的电源，关闭工艺气体流量阀，关闭靶材和衬底之间的挡板，关闭分子泵、真空泵。
一种制备 sp base sup

[发明专利]一种双溶剂辅助明胶包裹制备氮掺杂碳框架的方法-CN202210459818.4在审
发明人：连跃彬;杨小雨;徐伟龙;肖进;杜晓娇;郑敏;张燕南;杜文汉 -专利权人：常州工学院
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种双溶剂辅助明胶包裹制备氮掺杂碳框架的方法，通过双溶剂辅助调节明胶自动析出包裹于模板材料表面，与聚合包裹法相比，不需要引发剂，也无需调节溶液的pH，操作步骤简单，重复性好，制备得到的氮掺杂碳框架具有薄壁结构，并且壁厚比较均匀；原料来源广泛，整体制备过程用时短，为氮掺杂碳框架的规模化生产奠定了基础。
一种溶剂辅助明胶包裹制备掺杂框架方法

[发明专利]一种应用于FD-SOI集成电路工艺下的新型可控硅型ESD防护半导体-CN202210078406.6在审
发明人：姜一波;杨帆;邢红飞;孙丽丽;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种应用于FD‑SOI集成电路工艺下的新型可控硅型ESD防护半导体；包括半导体基底，所述半导体基底的上部设有半导体基底与硅膜间绝缘体介质，所述半导体基底与硅膜间绝缘体介质的上部设有绝缘体上半导体基质，所述绝缘体上半导体基质的上部设有栅下绝缘层，所述栅下绝缘层上横向设有多晶硅；本发明堆叠结构形成加厚的阱区，大大减弱了FD‑SOI集成电路工艺下底背偏置对薄硅膜的控制，克服了FD‑SOI结构中硅膜全耗尽的缺陷；同时，仅仅引入极少的额外步骤来形成阱区堆叠结构，与标准FD‑SOI工艺具备优良的工艺兼容性。
一种应用于 fd soi 集成电路工艺新型可控硅 esd 防护半导体

[发明专利]一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构及其制备方法-CN202210079247.1在审
发明人：姜一波;杨帆;邢红飞;孙丽丽;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于增强RFLDMOS的ESD防护性能的集成结构；包括半导体基底，所述半导体基底的上部设有半导体外延；所述半导体外延中具有增强注入区，所述增强注入区设置在所述源漏注入区和所述体接触注入区的下端，所述半导体外延的一侧固定设有深扩散区，所述半导体外延和所述深扩散区内形成有活跃埋层和遮蔽埋层，所述活跃埋层设置在所述遮蔽埋层的下部，所述半导体外延上设有多晶硅栅极，所述多晶硅栅极上设有多层场板硅栅极，所述多层场板硅栅极的一侧贴合在所述漂移区上；本发明有效提升开启电流；提高了维持电压；增强了泄放能力，提高了最大泄放电流；具备良好的可制造性与兼容性。
一种用于增强 rfldmos esd 防护性能集成结构及其制备方法

[发明专利]一种应用于SOI-FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置-CN202111586865.7在审
发明人：姜一波;杨帆;邢红飞;孙丽丽;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域中的集成电路静电防护可靠性设计，具体为一种应用于SOI‑FinFET工艺下的H型鳍硅结构ESD防护装置；以SOI衬底为基础，制备得到纵向鳍硅、横向鳍硅、介质和栅电极；纵向鳍硅包含纵向鳍硅一和纵向鳍硅二；纵向鳍硅一包含第一类和第二类两种半导体类型的掺杂区域，纵向鳍硅二为第二类半导体类型，横向鳍硅为第二类半导体类型，纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅三者共同形成H型鳍硅结构且电学相连接，载流子控制区域仅为纵向鳍硅一、纵向鳍硅二和横向鳍硅的一部分；能够在SOI‑FinFET工艺下实施得到新型ESD防护装置，该装置不同于Bulk‑FinFET工艺相关静电防护技术中必须利用绝缘层下的衬底，为SOI‑FinFET工艺提供了一种良好的静电防护方法。
一种应用于 soi finfet 工艺型鳍硅结构 esd 防护装置

[发明专利]一种FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置-CN202111586867.6在审
发明人：姜一波;杨帆;邢红飞;孙丽丽;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种低触发静电保护装置，具体为一种FinFET集成电路工艺下新型低触发静电保护装置，以极低的成本、极少的额外步骤，缓解FinFET工作电压低而ESD防护装置开启电压过高的矛盾，有效地解决的ESD防护装置触发电压过高、静电冲击时无法及时开启的问题；包括半导体基底、部分绝缘层、鳍片区、FinFET栅介质电极、肖特基接触金属层和鳍片跨接层；在半导体基底中形成第一类型半导体阱区和第二类型阱区，在鳍片区形成第一类型或第二类型半导体沟道掺杂、第一类型或第二类型肖特基接触掺杂区、第一类型半导体或第二类型重掺杂区。
一种 finfet 集成电路工艺新型触发静电保护装置

[发明专利]一种PD-SOI集成电路工艺下的新型ESD防护装置-CN202111587008.9在审
发明人：姜一波;杨帆;邢红飞;孙丽丽;杜文汉 -专利权人：常州鼎先电子有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域中的集成电路ESD防护可靠性的设计，具体为针对一种PD‑SOI集成电路工艺下的新型ESD防护装置，在PD‑SOI集成电路工艺下通过适当掺杂和结构设计形成侧边附加结构，该侧边附加结构在与径向垂直的侧向方向上，从而为传统的PNPN可控硅结构提供了额外的嵌入式寄生机构，构成新型ESD防护装置；包含半导体基底一、半导体基底二、绝缘体介质一、绝缘体介质二、绝缘体上半导体基质一、绝缘体上半导体基质二、绝缘体上半导体基质上的多晶硅一和多晶硅二；所述多晶硅一根据方向不同分为径向多晶硅和侧边多晶硅，径向多晶硅和侧边多晶硅电连接，侧边多晶硅在一侧收窄，宽处与窄处有倒角；所述半导体基底一和半导体基底二可以为硅基底。
一种 pd soi 集成电路工艺新型 esd 防护装置

[发明专利]一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜的方法-CN202111304073.6在审
发明人：杨景景;顾俨湘;陈旺泽;杜文汉 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及晶态锡酸钡薄膜的制备方法，具体为一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜的方法，使用衬底磁场增强型磁控溅射技术在室温衬底上沉积获得晶态锡酸钡薄膜；且可在透明玻璃、硅片等各种透明、非透明材料上均可以实现锡酸钡薄膜的晶体化过程；包括如下步骤：步骤1、衬底清洗；步骤2、室温磁控溅射镀膜获得非晶态锡酸钡薄膜；步骤2.1、使用机械泵和分子泵抽真空；步骤2.2、预溅射锡酸钡陶瓷靶材10分钟；步骤2.3、射频功率调整在30‑80瓦范围，真空内的气体氛围调整为氩气和氧气的混合气并使混合气的氧分压占比在30‑70％，真空度维持在0.1‑3Pa；步骤3、利用室温衬底磁场增强技术磁控溅射镀膜获得晶态锡酸钡薄膜。
一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜方法

1
2
3
下一页»
尾页
共 44 条