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[发明专利]一种可以增强发光性能的类金刚石薄膜的制备方法-CN202111161403.0有效
发明人：杜文汉;陈旺泽;顾俨湘;杨景景 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种可以增强发光性能的类金刚石薄膜的制备方法，包括：(1)预处理：清洗硅片表面杂质；(2)碱刻蚀：利用碱性溶液对所述硅片进行腐蚀，在硅片的表面形成倒金字塔结构；(3)硅衬底上沉积氧化膜：在有倒金字塔结构的硅衬底上沉积氧化锶薄膜，并在真空条件下退火，去除硅表面的氧化硅层；(4)硅衬底上生长类金刚石薄膜：除去氧化硅后，在氧化锶薄膜上沉积多晶型类金刚石薄膜；沉积多晶型类金刚石薄膜的工艺是：以石墨作为靶材，通入氩气，利用磁控溅射方法沉积形成多晶型类金刚石薄膜。本发明的方法采用在硅衬底上沉积氧化锶去除硅表面氧化硅层的方法，减少了类金刚石薄膜中非晶态的比例，提高了类金刚石薄膜的结晶质量。
一种可以增强发光性能金刚石薄膜制备方法

[发明专利]数据处理方法和数据处理装置-CN202310764942.6在审
发明人： 杨景景;刘宝多 -专利权人：中国银行股份有限公司
申请日： 2023-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： G06F16/22 文献下载
摘要：本申请提供一种数据处理方法和数据处理装置，可用于大数据领域。该方法包括：获取数据库中数据表里的多个字段，多个字段用于联合索引；将多个字段拼接为第一字符串；对第一字符串进行加密，得到加密后的第一字符串，加密后的第一字符串的长度小于数据表限制的最大长度；将加密后的第一字符串作为数据表的联合索引，添加至数据库中。本申请的方法，有利于缩短联合索引的长度，使其满足数据库的限制。
数据处理方法装置

[发明专利]一种多功能专用学习考试系统-CN202111027236.0有效
发明人： 杨景景;杨跃;麻开旺 -专利权人：河南新世纪拓普电子技术有限公司
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G09B7/02 文献下载
摘要：本发明属于考试系统技术领域，具体涉及一种多功能专用学习考试系统，包括学习机终端、云端服务器和云端只读存储器，所述学习机终端包括有注册登录模块、SIM模块、学习模块、考试模块、监控模块、摄像模块、语音模块、时间模块所述注册登录模块包括有管理员子模块和学生用户子模块；所述学习模块包括有学习APP子模块以及防疲劳子模块；所述考试模块包括有报名子模块、下载子模块、开考子模块、信号屏蔽单元以及检测模块；本发明将无纸化考试系统与网上学习相结合，学生只需要使用学习机终端即可网上学习和考试。
一种多功能专用学习考试系统

[发明专利]一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法-CN202310467753.2在审
发明人：杜文汉;顾俨湘;陈旺泽;杨景景;杜晓娇;蒋鼎 -专利权人：常州大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；先预溅射去除锡酸钡靶材表面的杂质，控制真空度，气体氛围调整为氩气氧气混合气，衬底温度维持室温，采用磁控溅射法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；然后将锡酸钡薄膜样品放入退火炉中。采用真空退火处理或纯氧条件退火处理方法进行退火热处理。将不同热处理条件的锡酸钡薄膜样品放入震动样品磁强计进行磁性参数测量。测出的数据表明制备的锡酸钡薄膜具备室温下的稀磁特性。
一种具有特性锡酸钡薄膜制备方法

[发明专利]基于动态多数据源的数据源切换方法及装置-CN202211487655.7在审
发明人： 杨景景 -专利权人：中国银行股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06F16/25 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于动态多数据源的数据源切换方法及装置，该方法包括：拦截业务请求，并读取所述业务请求对应的所要操作的数据源的key，其中key为某单一数据源的关键字，是唯一标识；从各数据源的上下文中获取各数据源的key，并通过将所述所要操作的数据源的key与各数据源的key进行对比，确定所述业务请求对应的所要操作的数据源，若无当前key在上下文中，则动态添加该数据源；将当前数据源切换为所述业务请求对应的所要操作的数据源，并在所述业务请求处理结束后将当前数据源切换回default数据源。本发明可以根据业务请求中的key自动实现切换数据源，实现了便捷准确的切换数据源的有益效果。
基于动态多数数据源切换方法装置

[实用新型]一种用于电力工程的架线装置-CN202221619529.8有效
发明人： 杨景景 -专利权人：洛阳亚日电力科技集团有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H02G1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了电力工程施工技术领域的一种用于电力工程的架线装置，包括底座、连杆架、顶板、防护框架和控制面板，所述连杆架位于所述底座的上方，所述顶板位于所述连杆架的上方，所述顶板的底部前后两侧左侧固定连接有第一滑动架，所述第一滑动架的内腔顶部和底部滑动连接有第一滑块，所述第一滑块的内腔固定连接有第一联动杆，该用于电力工程的架线装置，结构设计合理，相对于传统拉线紧线方式，可以做到把使用者连同电线同时提升至高空固定和对线缆进行张紧，操作过程优化，使得安装时间大大缩短，省时省力，且通过电机使线辊带动电缆缠绕并进行张紧，避免使用者手动张紧电缆，使得对电缆的张紧过程更加省力。
一种用于电力工程架线装置

[发明专利]一种含偶氮吡啶多重响应智能水凝胶的制备方法-CN202210818978.3在审
发明人：薛小强;梁康;张兵;吴泽颖;张晨曙;张煜桁;尹衍军;杜晓娇;杨景景 -专利权人：常州工学院
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C08F220/54 文献下载
摘要：本发明涉及高分子材料科学领域，特别涉及一种含偶氮吡啶多重响应智能水凝胶的制备方法；结合偶氮吡啶在低pH条件下质子化的行为改善凝胶亲水性，吸水溶胀。同时偶氮吡啶和α‑环糊精发生主客体相互作用，环糊精和偶氮吡啶形成了包合物，将疏水性偶氮吡啶基团转化为亲水性部分提高溶胀率，制备出一种多重响应性的含偶氮吡啶的多重响应水凝胶；水凝胶通过自由基共聚方法制得，甲基丙烯酸4‑(吡啶‑4‑基二氮基)苯基酯(AzoPy‑MMA)，寡聚乙二醇甲醚甲基丙烯酸酯(OEGMA)以及N‑异丙基丙烯酰胺(NIPAM)作为单体，N,N‑亚甲基双丙烯酰胺(MBA)作为交联剂，偶氮二异丁腈(AIBN)或过氧化二苯甲酰(BPO)为引发剂，在溶剂和水中充分浸泡并干燥，再次在水中溶胀制得水凝胶。
一种偶氮吡啶多重响应智能凝胶制备方法

[实用新型]一种电力施工用安全便利型运输车-CN202221309070.1有效
发明人： 杨景景 -专利权人：洛阳亚日电力科技集团有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B62B3/02 文献下载
摘要：本实用新型属于拖车领域，具体的说是一种电力施工用安全便利型运输车，包括拖车、底板和滑槽；所述拖车的一侧固定安装有底板，所述底板远离拖车的一侧开设有滑槽，所述滑槽的内部滑动连接有支撑块，所述支撑块的一侧开设有通槽，所述底板的一侧开设有限位孔，所述限位孔的内部滑动插设有限位杆；通过将限位杆拔出并插入相对应的限位孔内，并推动限位杆，让限位杆穿过限位孔进入支撑块的通槽内固定，此时再将电缆线桶穿在支撑块上，让支撑块将电缆线桶撑住固定，进而方便运输电缆线桶，使得电缆线桶不会和地面相接处，保护了电缆线桶和电缆线。
一种电力施工安全便利运输车

[发明专利]一种制备高sp3-CN202210196004.6在审
发明人：杜文汉;陈旺泽;顾俨湘;杨景景;胡素素 -专利权人：常州工学院
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备类金刚石薄膜的方法，特别涉及一种制备高sp3碳碳键含量类金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、样品和磁铁的清洁处理；步骤二、通过磁控溅射制备氮掺杂类金刚石薄膜，将石墨靶材进行预溅射用于去除靶材表面杂质，预溅射时靶材和衬底之间的挡板保持关闭状态；预溅射的工艺条件为：溅射功率密度2W/cm2,溅射时间5分钟，溅射气体为高纯氩气，气体纯度为99.999％，氩气的流量为5～30sccm，溅射时的工艺真空度为0.5～5Pa；类金刚石薄膜沉积，此时靶材和衬底之间的挡板保持开启状态，类金刚石薄膜完成在衬底上的沉积过程；完成类金刚石薄膜沉积后，关闭磁控溅射的电源，关闭工艺气体流量阀，关闭靶材和衬底之间的挡板，关闭分子泵、真空泵。
一种制备 sp base sup

[实用新型]一种电力工程建设用电杆矫正装置-CN202122883860.2有效
发明人： 杨景景 -专利权人：洛阳亚日电力科技集团有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： E04H12/34 文献下载
摘要：本实用新型属于电力工程技术领域，尤其为一种电力工程建设用电杆矫正装置，包括环形架，所述环形架的内腔两侧壁对称安装有两个电动伸缩杆，两个所述电动伸缩杆的伸缩端均安装有夹板，所述环形架的底端安装有三个插杆，所述环形架的上端对称安装有两个固定板，两个所述固定板的相互远离端均开设有T形槽，两个所述T形槽内均滑动有T形板，位于左侧的所述固定板上设有连接组件，两个所述T形板的上端均安装有连接柱，两个所述连接柱的上端共同安装有支撑环，所述支撑环上设有矫正组件。本实用新型通过通过连接组件的设置，调节装置的高度，在通过矫正组件对不同高度的电杆进行矫正处理使用，适用范围广，自动化程度高，使用方便。
一种电力工程建设用电矫正装置

[实用新型]一种新型中药提取液下进料装置-CN202123269482.5有效
发明人：郑康威;朱性海;朱洋洋;韩梦威;谢凯杰;杨景景;杨秀月;殷新荣;邵祥璐 -专利权人：新乡医学院三全学院
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： B65G53/24 文献下载
摘要：本实用新型涉及进料设备技术领域，且公开了一种新型中药提取液下进料装置，包括安装有调节装置的真空上料机主体，真空上料机主体的底部设置有用于出料的出料管，出料管的底部安装有用于液下进料的调节装置，真空上料机主体的一侧设置有用于进料的进料管，进料管的内部插接有用于送料的送料管，进料管的表面固定连接有用于连接限位的第一限位板。该新型中药提取液下进料装置，通过调节装置的设置，能够将液下管的管口伸入水中，使中药粉末或块状轻质物料直接冲入水中，防止物料漂浮在水面上，影响物料的溶解和提取效率，而且能够调整液下管的长度，避免管口入水过深，冲击力不足，物料会堵塞在管道内，影响正常使用。
一种新型中药提取进料装置

[发明专利]一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜的方法-CN202111304073.6在审
发明人： 杨景景;顾俨湘;陈旺泽;杜文汉 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及晶态锡酸钡薄膜的制备方法，具体为一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜的方法，使用衬底磁场增强型磁控溅射技术在室温衬底上沉积获得晶态锡酸钡薄膜；且可在透明玻璃、硅片等各种透明、非透明材料上均可以实现锡酸钡薄膜的晶体化过程；包括如下步骤：步骤1、衬底清洗；步骤2、室温磁控溅射镀膜获得非晶态锡酸钡薄膜；步骤2.1、使用机械泵和分子泵抽真空；步骤2.2、预溅射锡酸钡陶瓷靶材10分钟；步骤2.3、射频功率调整在30‑80瓦范围，真空内的气体氛围调整为氩气和氧气的混合气并使混合气的氧分压占比在30‑70％，真空度维持在0.1‑3Pa；步骤3、利用室温衬底磁场增强技术磁控溅射镀膜获得晶态锡酸钡薄膜。
一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜方法

[发明专利]信息处理方法、装置和成像系统-CN202080005340.7在审
发明人：伦朝林;杨景景;李静 -专利权人：深圳市大疆创新科技有限公司
申请日： 2020-06-15 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H04N5/232 文献下载
摘要：一种信息处理方法，包括：获得第一视频信息，第一视频信息包括多个图像帧；获得事件信息，事件信息包括多个事件点，多个事件点中的每个事件点包括坐标信息、时间信息和与坐标信息对应的像素点的亮度信息；基于多个事件点，生成多个梯度信息图，梯度信息图包括各像素点的梯度信息；基于多个图像帧，处理多个梯度信息图，得到多个插帧图像；以及基于多个插帧图像对第一视频信息进行插帧，得到第二视频信息，其中，第二视频信息的帧率高于第一视频信息的帧率。
信息处理方法装置成像系统

[发明专利]一种拼接线优化方法及设备-CN201710488516.9有效
发明人：代云僧;潘剑;杨景景;陈云凯;张广东;顾王一 -专利权人：微鲸科技有限公司
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：本申请的目的是提供一种拼接线优化方法及设备，本申请在需要对拍摄的或者获取的原始图像进行拼接时，需要计算待拼接的两幅原始图像之间的变换关系；基于所述变换关系对所述两幅原始图像进行对齐拼接，确定所述两幅原始图像之间的初始拼接线；为了得到视觉效果更好的图像拼接之后的拼接线；对所述初始拼接线进行优化，得到所述两幅原始图像之间的最优拼接线，不仅有效地提高了图像拼接后的拼接线(此处为最优拼接线)的视觉效果，还基于提高视觉效果的最优拼接线提高了两幅原始图像进行图像拼接后的拼接图像的视觉效果。
一种接线优化方法设备

[发明专利]一种择优生长的ITO透明导电薄膜的制备方法-CN202010240129.5在审
发明人： 杨景景;朱红 -专利权人：常州工学院
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种择优生长的ITO透明导电薄膜的制备方法，属于太阳能电池领域。本发明的制备步骤包括清洗衬底、制备硫化锌缓冲薄膜和制备(222)择优取向的ITO薄膜。具体地讲，本发明采用磁控溅射技术，在洁净的玻璃基底上先沉积一层ZnS薄膜，通过控制玻璃基底温度得到具有(111)择优取向的ZnS；然后再通过控制制备工艺沉积ITO，即可得到具有(222)择优取向的ITO薄膜。本发明的择优生长ITO透明导电薄膜的制备方法，通过增加ZnS缓冲层，获得具有(222)择优取向的ITO薄膜，能够有效提高ITO的光电性能。
一种择优生长 ito 透明导电薄膜制备方法

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