“顾俨湘”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种可以增强发光性能的类金刚石薄膜的制备方法-CN202111161403.0有效
发明人：杜文汉;陈旺泽;顾俨湘;杨景景 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明公开一种可以增强发光性能的类金刚石薄膜的制备方法，包括：(1)预处理：清洗硅片表面杂质；(2)碱刻蚀：利用碱性溶液对所述硅片进行腐蚀，在硅片的表面形成倒金字塔结构；(3)硅衬底上沉积氧化膜：在有倒金字塔结构的硅衬底上沉积氧化锶薄膜，并在真空条件下退火，去除硅表面的氧化硅层；(4)硅衬底上生长类金刚石薄膜：除去氧化硅后，在氧化锶薄膜上沉积多晶型类金刚石薄膜；沉积多晶型类金刚石薄膜的工艺是：以石墨作为靶材，通入氩气，利用磁控溅射方法沉积形成多晶型类金刚石薄膜。本发明的方法采用在硅衬底上沉积氧化锶去除硅表面氧化硅层的方法，减少了类金刚石薄膜中非晶态的比例，提高了类金刚石薄膜的结晶质量。
一种可以增强发光性能金刚石薄膜制备方法

[发明专利]一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法-CN202310467753.2在审
发明人：杜文汉;顾俨湘;陈旺泽;杨景景;杜晓娇;蒋鼎 -专利权人：常州大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；先预溅射去除锡酸钡靶材表面的杂质，控制真空度，气体氛围调整为氩气氧气混合气，衬底温度维持室温，采用磁控溅射法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；然后将锡酸钡薄膜样品放入退火炉中。采用真空退火处理或纯氧条件退火处理方法进行退火热处理。将不同热处理条件的锡酸钡薄膜样品放入震动样品磁强计进行磁性参数测量。测出的数据表明制备的锡酸钡薄膜具备室温下的稀磁特性。
一种具有特性锡酸钡薄膜制备方法

[发明专利]一种制备高sp3-CN202210196004.6在审
发明人：杜文汉;陈旺泽;顾俨湘;杨景景;胡素素 -专利权人：常州工学院
申请日： 2022-03-01 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C23C14/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种制备类金刚石薄膜的方法，特别涉及一种制备高sp3碳碳键含量类金刚石薄膜的方法，包括如下步骤：步骤一、样品和磁铁的清洁处理；步骤二、通过磁控溅射制备氮掺杂类金刚石薄膜，将石墨靶材进行预溅射用于去除靶材表面杂质，预溅射时靶材和衬底之间的挡板保持关闭状态；预溅射的工艺条件为：溅射功率密度2W/cm2,溅射时间5分钟，溅射气体为高纯氩气，气体纯度为99.999％，氩气的流量为5～30sccm，溅射时的工艺真空度为0.5～5Pa；类金刚石薄膜沉积，此时靶材和衬底之间的挡板保持开启状态，类金刚石薄膜完成在衬底上的沉积过程；完成类金刚石薄膜沉积后，关闭磁控溅射的电源，关闭工艺气体流量阀，关闭靶材和衬底之间的挡板，关闭分子泵、真空泵。
一种制备 sp base sup

[发明专利]一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜的方法-CN202111304073.6在审
发明人：杨景景;顾俨湘;陈旺泽;杜文汉 -专利权人：常州工学院
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明涉及晶态锡酸钡薄膜的制备方法，具体为一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜的方法，使用衬底磁场增强型磁控溅射技术在室温衬底上沉积获得晶态锡酸钡薄膜；且可在透明玻璃、硅片等各种透明、非透明材料上均可以实现锡酸钡薄膜的晶体化过程；包括如下步骤：步骤1、衬底清洗；步骤2、室温磁控溅射镀膜获得非晶态锡酸钡薄膜；步骤2.1、使用机械泵和分子泵抽真空；步骤2.2、预溅射锡酸钡陶瓷靶材10分钟；步骤2.3、射频功率调整在30‑80瓦范围，真空内的气体氛围调整为氩气和氧气的混合气并使混合气的氧分压占比在30‑70％，真空度维持在0.1‑3Pa；步骤3、利用室温衬底磁场增强技术磁控溅射镀膜获得晶态锡酸钡薄膜。
一种利用磁场增强技术制备晶态锡酸钡薄膜方法