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[发明专利]等离子体处理装置和静电吸附方法-CN201810558220.4有效
发明人：松山昇一郎;田丸直树;佐佐木康晴 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置、静电吸附方法和静电吸附程序，能够抑制聚焦环的吸附力的降低。在静电吸盘(25)的外周部(25b)载置聚焦环(30)，在内部以与聚焦环(30)相对地设置有电极板(29)。直流电源(28)在等离子体处理的期间中，对电极板(29)周期性地施加不同极性的电压，或者阶段性地施加绝对值大的电压。
等离子体处理装置静电吸附方法

[发明专利]一种基于高压舱的水下LIBS光谱-图像联合探测装置-CN201911190556.0在审
发明人：田野;王林涛;侯圣耀;李颖;郑荣儿 -专利权人：中国海洋大学
申请日： 2019-11-28 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： G01N21/71 文献下载
摘要：本申请公开一种基于高压舱的水下LIBS光谱‑图像联合探测装置，包括：等离子体激发模块、光谱采集模块、图像采集模块、高压舱、控制系统。等离子体激发模块用于激光光束聚焦在高压舱内产生等离子体；光谱采集模块用于记录水下LIBS辐射光谱信号；图像采集模块用于拍摄水下等离子体、气泡和冲击波的二维图像；高压舱用于提供水下高压环境；控制系统用于控制等离子体激发模块
一种基于高压水下 libs 光谱图像联合探测装置

[发明专利]一种基于光束整形改善激光诱导击穿光谱可重复性的方法-CN202110436720.2有效
发明人：王哲;顾炜伦;侯宗余 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： G01N21/71 文献下载
摘要：该方法包含如下步骤：由激光器产生脉冲激光；由光束整形器将光束能量密度分布变为中心稍低、外围稍高的凹形；凹形光束聚焦烧蚀样品表面物质，产生等离子体；采集等离子体放射光，得到激光诱导击穿光谱。该方法与激光诱导击穿光谱领域的常规光束整形方法的主要区别在于，结合关于光谱信号不确定性来源以及等离子体空间演化过程的研究成果，针对性地设计了凹形光束形貌，以减小等离子体中心处的温度和电子密度，显著提高等离子体的空间稳定性
一种基于光束整形改善激光诱导击穿光谱重复性方法

[发明专利]聚焦环及其耐腐蚀防护方法-CN201710736818.3在审
发明人：倪图强;贺小明;左涛涛;陈星建 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种聚焦环及其耐腐蚀防护方法，其位于陶瓷的静电卡盘以及套置有静电卡盘侧密封圈的静电卡盘中间层的外周侧，静电卡盘陶瓷层位于所述静电卡盘中间层上方，静电卡盘中间层位于设置在等离子体蚀刻室中的静电卡盘的基体上方，静电卡盘的基体外周侧设有绝缘环，聚焦环设在绝缘环的上方；晶圆设置在静电卡盘陶瓷层上，覆盖住聚焦环的延伸环的一部分上表面，所述聚焦环设有主环与延伸环；聚焦环整体或部分沉积有抗等离子体腐蚀的涂层。本发明具有增加了聚焦环的使用寿命，稳定等离子体刻蚀工艺，保护静电卡盘，增加了静电卡盘及其他零部件的使用寿命，降低了生产成本的优点。
静电卡盘聚焦环中间层静电卡盘陶瓷层使用寿命绝缘环耐腐蚀延伸环外周密封圈等离子体蚀刻室防护等离子体腐蚀稳定等离子体刻蚀工艺上表面沉积晶圆套置主环生产成本零部件陶瓷覆盖

[发明专利]等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法-CN201210072681.3有效
发明人：久保田和宏;斋藤祐介;本田昌伸 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-16 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术：在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热器而是构成为使聚焦环(3)的热量向支承台(2)散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开。
等离子体蚀刻装置方法

[发明专利]激光辅助放电极紫外光源预电离等离子体电子温度测量方法-CN201610279298.3在审
发明人：赵永蓬;王骐;徐强 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：激光辅助放电极紫外光源预电离等离子体电子温度测量方法，涉及极紫外光刻光源离子状态检测技术。目的是为了解决激光辅助放电EUV光源预电离等离子体电子温度测量依赖价格昂贵的设备，并且检测条件苛刻的问题。本发明首先使激光器发出的激光脉冲经过聚焦系统后作用在Sn靶上，产生Sn的初始等离子体，测量所述初始等离子体的发射光谱，然后从初始等离子体的发射光谱中选取至少两条谱线，所选取的所有谱线至少对应两个不同的上能级，读取每条谱线的波长和强度，根据所述谱线的波长、强度及原子参数，计算得到等离子体的电子温度。
激光辅助电极紫外光源电离等离子体电子温度测量方法

[发明专利]一种超导薄膜的制备方法-CN201611101237.4在审
发明人：房毅 -专利权人：山东元盛坤超导材料科技有限公司
申请日： 2016-12-05 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的公开一种超导薄膜的制造方法，使用激光器产生的大功率激光束聚焦并作用于靶材表面，使其表面熔蚀，并形成等离子体羽状物，这些等离子体羽状物向受热基底表面转移，最后形成薄膜。
等离子体羽超导薄膜状物大功率激光束靶材表面基底表面激光器受热熔蚀制备薄膜聚焦制造

[发明专利]混合光源聚焦增强等离子检测系统-CN201410096279.8在审
发明人：刘明;郭闯 -专利权人：以恒科技(北京)有限公司
申请日： 2014-03-17 - 公布日： 2015-09-23 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合光源聚焦增强等离子检测系统，将聚焦补光与激光等离子体激发检测结合使用，在元素和物质成分含量检测方便有着独特优势。本发明的混合光源聚焦增强等离子检测系统为一可单独完成元素和物质成分含量检测系统，该检测系统主要由混合光源模块、光学聚焦模块、样品模块、控制模块、探测模块、逻辑模块和显示模块组成；逻辑控制模块连接控制模块、探测模块和显示模块，控制模块实现对混合光源模块与探测模块操控，混合光源模块通过光学聚焦模块完成光对样品模块工作，探测模块采集样品模块信息传送给逻辑模块。本发明的等离子体检测系统具有比传统更好的探测精度和更低的探测下限，可以实现对样品的零预处理。
混合光源聚焦增强等离子检测系统

[发明专利]一种可调谐宽波段激光等离子体极紫外光源-CN201510671260.6在审
发明人：刘璐宁;王新兵;左都罗;陆培祥 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： G01J3/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调谐宽波段激光等离子体极紫外光源。包括脉冲激光器以及设置在真空腔中的反射镜、聚焦透镜、镓铟锡合金靶材和收集镜；工作时，所述脉冲激光器发出的激光被所述反射镜反射后到达所述聚焦透镜，在所述镓铟锡合金靶材的液面上形成聚焦光斑，激发所述镓铟锡合金靶材产生等离子体，等离子体辐射产生极紫外光，极紫外光被所述收集镜收集后用作测试光源。
一种调谐波段激光等离子体紫外光源

[发明专利]激光维持等离子体及内窥镜光源-CN201980086089.9在审
发明人：鲁迪·布朗迪亚 -专利权人：埃塞力达技术新加坡有限私人贸易公司
申请日： 2019-12-05 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H01J65/04 文献下载
摘要：照明源包括被配置为发射等离子体维持光束的激光驱动器单元。入射准直器接收等离子体维持光束并产生准直的入射光束。聚焦光学器件接收准直的入射光束并产生聚焦的维持光束。密封灯室包含可电离介质，该可电离介质一旦被点燃，就会形成腰尺寸小于150微米的高强度的发光等离子体。密封灯室还包括被配置为接收聚焦的维持光束的入射窗和被配置为发射高强度光的出射窗。
激光维持等离子体内窥镜光源

[发明专利]等离子体处理装置-CN201910790446.1有效
发明人：王伟娜;黄允文;梁洁 -专利权人：中微半导体设备（上海）股份有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，该等离子体处理装置包含真空反应腔室，内部有处理基片的等离子体；该反应腔室底部设有承载基片的基座；在基座的外缘环绕设有聚焦环；在聚焦环的下方设置有第一绝缘环，该第一绝缘环环绕基座本发明对聚焦环的加热更均匀，实现更准确精细快速灵敏的温度控制和调节，同时线路设计简单可靠，可有效隔绝射频干扰。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理装置及聚焦环-CN201010299872.4无效
发明人：远藤升佐;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-01-07 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片(W)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片
等离子体处理装置聚焦

[发明专利]等离子体处理装置及聚焦环-CN200410000316.7无效
发明人：远藤升佐;桧森慎司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-01-07 - 公布日： 2004-08-04 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供可以在被处理基板的整个面上实施均匀的等离子体处理，与目前相比可以提高等离子体的面内均匀性的等离子体处理装置以及聚焦环。在搭载半导体晶片(W)而兼作下部电极的基座上，按照包围半导体晶片(W)的周围那样设置聚焦环(6)。聚焦环(6)由薄板状的环形部件(6a)和下侧环形部件(6b)组成，前述薄板状的环形部件(6a)按照从前述被处理基板的外周边缘部设置一定间隔而包围半导体晶片(W)的周围那样配置，前述下侧环形部件(6b)按照位于半导体晶片
等离子体处理装置聚焦

[发明专利]一种双脉冲碰撞等离子体极紫外光刻光源产生装置-CN201610931200.8在审
发明人：李博文;陈熙萌 -专利权人：兰州大学
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种双脉冲碰撞等离子体极紫外光刻光源产生装置，包括激光器光源、真空靶室，激光器光源包括驱动光源CO2激光器光源和辅助光源Nd:YAG激光器光源，真空靶室内两个聚焦透镜成角度设置在靶系统的外侧；Nd:YAG激光器与其对应的聚焦透镜之间设置有半波片、偏振片和楔形棱镜，CO2激光器与其对应的聚焦透镜之间设置有准直透镜、镀金硅镜面和ZnSe镜片；Nd:YAG激光器光源经楔形棱镜分裂成两束后，照射靶系统产生两个等离子体，与CO2激光器光源照射靶系统作用产生碰撞等离子体。设置驱动光源和辅助光源结合产生碰撞等离子体，显著提高了EUV光源的效率，固体靶和液体靶相结合，具有成本低、效率高的特点，适于推广应用。
一种脉冲碰撞等离子体紫外光刻光源产生装置

[发明专利]投影系统-CN200480043247.6无效
发明人：金学溶 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2004-11-05 - 公布日： 2007-05-09 - 主分类号： H04N5/74 文献下载
摘要：一种投影系统，包括：通过使气体放电而发射光的等离子体屏板；驱动所述等离子体屏板的屏板驱动器；对所述等离子体屏板发射的转化为了均匀平行光的光进行聚焦的照明器；利用所述照明器提供的光使图像可视化的显示元件；
投影系统