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[发明专利]外延生长法-CN200480020384.8无效
发明人：高草木操;金井进 -专利权人：株式会社日矿材料
申请日： 2004-04-28 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种外延生长方法，是采用分子束外延生长法形成具有III－V族系化合物半导体的异质结的半导体薄膜的外延生长方法，具备下述工序：照射至少一种以上的III族元素的分子束和第1V族元素的分子束，形成第1化合物半导体层的第1工序；停止上述III族元素的分子束和上述第1V族元素的分子束的照射，中断生长直到上述第1V族元素的供给量变为上述第1工序中的供给量的1/10以下的第2工序；和照射至少一种以上的III族元素的分子束和第2V族元素的分子束，在上述第1化合物半导体层上形成与上述第1化合物半导体不同的第2化合物半导体层的第3工序。
外延生长

[发明专利]氮化物半导体结构体、氮化物半导体器件以及用于制作该器件的方法-CN202080070160.7在审
发明人：泷泽俊幸 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明实现了一种包括在单晶第III族氮化物半导体部上的单晶第II‑IV族氮化物半导体部的构造。氮化物半导体结构体(1)包括第III族氮化物半导体部(3)和第II‑IV族氮化物半导体部(4)。第III族氮化物半导体部(3)是单晶。第III族氮化物半导体部(3)具有预定晶面。第II‑IV族氮化物半导体部(4)设置在第III族氮化物半导体部(3)的预定晶面上。第II‑IV族氮化物半导体部(4)是单晶。第II‑IV族氮化物半导体部(4)含有第II族元素和第IV族元素。第II‑IV族氮化物半导体部(4)与第III族氮化物半导体部(3)形成异质结。
氮化物半导体结构半导体器件以及用于制作器件方法

[发明专利]第Ⅲ族元素氮化物单晶的制备方法和其中使用的设备-CN200480007152.9无效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;梅田英和 -专利权人：财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2004-03-15 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了第III族元素氮化物单晶的制备方法，所述氮化物单晶具有较低的位错密度和均一的厚度并且是透明的。本发明可以高产量地制备高质量的、大的和整块的所述晶体。所述第III族元素氮化物单晶的制备方法包括：加热装有至少一种选自碱金属和碱土金属的金属和至少一种选自镓(Ga)，铝(Al)和铟(In)的第III族元素的反应器以制备所述金属的熔剂；将含氮气体通入所述反应器中由此使得在所述熔剂中的第III族元素和氮互相反应，从而生长第III族元素氮化物单晶，其中例如在通过摇动所述反应器来搅动所述熔剂下使单晶生长。
元素氮化物制备方法其中使用设备

[发明专利]III族氮化物结晶的制造方法及III族氮化物结晶制造装置-CN201580021973.6有效
发明人：森勇介;吉村政志;今出完;伊势村雅士;冈山芳央 -专利权人：国立大学法人大阪大学;伊藤忠塑料株式会社;松下电器产业株式会社
申请日： 2015-03-03 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：通过气相生长法制造大尺寸且变形、位错、翘曲等缺陷少的高品质III族氮化物结晶。制造方法包括下述步骤：第1III族氮化物结晶制造步骤，通过液相生长法制造第1III族氮化物结晶1003；第2III族氮化物结晶制造步骤，在第1结晶1003上，通过气相生长法使III族元素金属和氧化剂和含氮气体反应而制造第2III族氮化物结晶1004，其特征在于：所述第1III族氮化物结晶制造步骤使预先准备的III族氮化物的多个晶种1003a的表面与碱金属熔液接触，在含氮气氛下，使III族元素和所述氮在所述碱金属熔液中反应，通过由多个晶种1003a生长的多个III族氮化物结晶的生长，使所述多个III族氮化物结晶结合而作为第1结晶1003。
iii 氮化物结晶制造方法装置

[发明专利]半导体装置-CN202010798554.6在审
发明人：西川俊幸;菅原秀人 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明的实施方式的半导体装置具备：包含n型杂质的III‑V族半导体层；第1导电层，所述第1导电层设置于III‑V族半导体层上，包含Ti(钛)及可成为III‑V族半导体层的p型杂质的第1元素，且具有第1区域和第1元素浓度高于第1区域的第2区域；和设置于第1导电层上的第2导电层。
半导体装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202110641273.4在审
发明人：乔治奥斯·韦理安尼堤斯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：结晶沟道部分包含含有第III族元素和第V族元素的第一材料，栅极层包含含有第III族元素和稀土元素的第二材料，且铁电层包含含有第III族元素、稀土元素以及第V族元素的第三材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种第Ⅲ族元素和第V族元素化合物薄膜生长反应腔的清洁方法-CN201010593576.5有效
发明人：尹志尧;孟双 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：一种第III族元素和第V族元素化合物薄膜生长反应腔的清洁方法，包括以下步骤：反应腔清洁步骤，包括向所述反应腔内通入清洁气体，在所述反应腔内形成该清洁气体的等离子体，维持所述清洁气体的等离子体一第一时间段，以清除所述反应腔内部的沉积物积聚；反应腔状态恢复步骤，包括向所述反应腔内通入包含第III族元素和第V族元素的反应气体，并在所述反应腔内作用一第二时间段，以在所述反应腔内部的表面上形成第III族元素和第V族元素化合物的涂层。
一种元素化合物薄膜生长反应清洁方法

[实用新型]一种原位清洁第III族元素和第V族元素化合物沉积反应腔的装置-CN201020599487.7有效
发明人：尹志尧;孟双;杜志游 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：一种原位清洁第III族元素和第V族元素化合物沉积反应腔的装置，包括：反应腔，其包括侧壁，所述侧壁包括由电介质材料组成的电介质部分；基片基座，其位于所述反应腔内部，一片或多片基片位于所述基片基座上并于其表面上沉积所述第III族元素和第V族元素化合物；电感线圈，环绕在所述侧壁的电介质部分外侧；射频供应源，与所述电感线圈相连接，用于向反应腔内部提供射频功率；清洁气体源供应装置，与所述反应腔相连接，用于向所述反应腔内部提供清洁气体，所述清洁气体在所述反应腔内部受所述射频功率激励而形成等离子体，用于清洁所述反应腔内的第III族元素和第V族元素化合物沉积物残余。
一种原位清洁 iii 元素化合物沉积反应装置

[发明专利]半导体设备制造方法和基材处理装置-CN201410139117.8有效
发明人：岛本聪;广濑义朗;佐野敦;镰仓司;野田孝晓 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：一种半导体设备制造方法，其包括通过执行预定次数的循环来在基材上形成含硅、氧、碳和指定的第III族或第V族元素的薄膜。所述循环包括向基材供给含硅、碳和卤族元素并具有Si‑C键的前体气体及第一催化气体；向基材供给氧化气体和第二催化气体；和向基材供给含指定的第III族或第V族元素的改性气体。
半导体设备制造方法基材处理装置

[发明专利]氮化物半导体装置的制造方法-CN201380025249.1有效
发明人：佐藤宪;后藤博一;鹿内洋志;土屋庆太郎;篠宫胜;萩本和徳 -专利权人：三垦电气株式会社;信越半导体股份有限公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明是一种氮化物半导体装置的制造方法，其于导入有III族元素原料气体和V族元素原料气体的反应炉内，使III‑V族氮化物半导体的多层膜生长，所述氮化物半导体装置的制造方法的特征在于，包括以下步骤以V族元素原料气体的第1原料气体流量和第1载气流量，使第1氮化物半导体层生长的步骤；及，以比V族元素原料气体的第1原料气体流量少的第2原料气体流量、和比第1载气流量多的第2载气流量，使第2氮化物半导体层生长的步骤；并且，积层第1氮化物半导体层与第2氮化物半导体层。由此，提供一种氮化物半导体装置的制造方法，其使III‑V族氮化物半导体层的积层结构体以适合各层的V/III比来生长。
氮化物半导体装置制造方法

[实用新型]一种原位清洁第III族元素和第V族元素化合物沉积反应腔的装置-CN201020600531.1有效
发明人：尹志尧;孟双;杜志游 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2010-11-09 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：一种原位清洁第III族元素和第V族元素化合物沉积反应腔的装置，包括：反应腔，其包括接地的侧壁；基片基座，其位于所述反应腔内部，一片或多片基片位于所述基片基座上并于其表面上沉积所述第III族元素和第V族元素化合物使得所述上电极与所述反应腔的侧壁电绝缘，并在清洁过程中保持所述上电极电浮接；清洁气体源供应装置，与所述反应腔相连接，用于向所述反应腔内部提供清洁气体，所述清洁气体在所述上电极和所述基片基座之间形成等离子体用于清洁所述第III族元素和第V族元素化合物沉积物残余。
一种原位清洁 iii 元素化合物沉积反应装置

[发明专利]核壳型量子点及核壳型量子点的制造方法-CN202080082454.1在审
发明人：青木伸司;野岛义弘;鸢岛一也 -专利权人：信越化学工业株式会社
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C01B25/08 文献下载
摘要：本发明为一种核壳型量子点，其包含：至少包含In及P且以第III‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体核；及包覆所述半导体纳米晶体核且以第II‑VI族元素为构成元素的单一或多个半导体纳米晶体壳，在所述半导体纳米晶体核与所述半导体纳米晶体壳之间，具有缓冲层，所述缓冲层包含以第II‑V族元素为构成元素的半导体纳米晶体。由此，本发明可提供一种将第III‑V族半导体纳米晶体用作核且荧光发光效率得到提高的量子点。
核壳型量子制造方法

[发明专利]第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法-CN201410085710.9无效
发明人：奥野浩司;佐村洋平 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2014-03-10 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明提供了一种其中在设置有不平整形状的蓝宝石衬底上生长有平坦半导体层的第III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。当蓝宝石衬底的主表面上的平坦表面面积S与蓝宝石衬底的总面积K的面积比R为0.1以上至小于0.5时，在其主表面上具有不平整形状的蓝宝石衬底上形成半导体层时，供应包含第III族元素的原料气体和包含第V族元素的原料气体的至少两种气体使得满足公式在公式中，Y为包含第V族元素的原料气体与包含第III族元素的原料气体的分压比。
iii 氮化物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]量子点、其制备方法以及包括量子点的光学构件-CN202111551199.3在审
发明人：郑濬赫;朴昇元;宋政勋;李栢熙;李准宇;张宰福 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： C09K11/88 文献下载
摘要：量子点包括：包括与镓(Ga)形成合金的第III‑V族半导体化合物的核；围绕核的第一壳；和围绕第一壳的第二壳，其中第一壳包括第一化合物，所述第一化合物包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物或第III‑VI族半导体化合物，第二壳包括第二化合物，第二化合物包括第II‑VI族半导体化合物、第III‑V族半导体化合物或第III‑VI族半导体化合物，第一化合物和第二化合物彼此不同，并且核的材料中的特定元素的原子百分数、第一壳和第二壳中的元素相对于核的比例满足一定的范围。
量子制备方法以及包括光学构件

[发明专利]基于第III族元素氮化物的半导体载体的制造-CN201680009848.8有效
发明人： F·赛蒙德;J·马希斯;E·弗雷西内 -专利权人：国家科研中心
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及载体制造方法，所述载体用于制造基于第III族元素氮化物的半导体结构，其特征在于，该方法包括以下步骤：‑在衬底(10)上形成(100)缓冲层(20)，所述缓冲层包括基于第III族元素氮化物的上层，‑在缓冲层上沉积(200)结晶层(30)，所述结晶层由硅原子沉积以覆盖基于第III族元素氮化物的上层的整个表面。
基于 iii 元素氮化物半导体载体制造

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