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[发明专利]GaN晶体的制造方法、GaN晶体、GaN晶体基板、半导体装置及GaN晶体制造装置-CN200780042434.6有效
发明人：森勇介;佐佐木孝友;川村史朗;吉村政志;川原实;北冈康夫;森下昌纪 -专利权人：国立大学法人大阪大学;财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2007-11-14 - 公布日： 2009-11-18 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：提供一种GaN晶体的制造方法，其可以实现防止成核和高品质非极性面生长中的至少一个方面。本发明的制造方法是在至少含有碱金属和镓的熔体中制造GaN晶体的方法，所述GaN晶体的制造方法包含调整前述熔体中的碳的含量的调整工序和前述镓与氮反应的反应工序。通过本发明的制造方法可以防止成核，另外，如图4所示，能够使非极性面生长。
gan 晶体制造方法半导体装置

[发明专利]HIV抗性基因-CN200580047569.2无效
发明人：宫泽正顯;入江新司;M·克莱里奇 -专利权人：免疫诊疗有限公司;财团法人大阪产业振兴机构;凸版印刷株式会社
申请日： 2005-12-28 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： C07K14/47 文献下载
摘要：本发明涉及参与对感染免疫抗性的基因及其应用。尤其是涉及参与对HIV感染的抗性并且在感染个体中延缓疾病发展的基因。
hiv 抗性基因

[发明专利]生物量固态物及其制造方法-CN200680002863.6有效
发明人：井田民男;中西亚贵夫 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构;三菱重工业株式会社
申请日： 2006-01-24 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： C10L5/44 文献下载
摘要：一种也可以作为煤焦的代替燃料和材料原料利用的生物量固态物及其制造方法。其为将起因于光合成的生物量原料加热·加压成形而形成的半炭化前或者半炭化固态物，是最高压缩强度为60～200MPa和发热量为18～23MJ/kg的生物量固态物，以及生物量固态物的制造方法，该方法具备粉碎起因于光合成的生物量原料的工序、在圆筒中填充已粉碎的生物量原料的工序、在已填充原料的筒中装填加压活塞的工序、在加热原料的同时用加压活塞进行加压成形的工序、使加热·加压维持一定时间而得到半炭化前或者半炭化固态物的工序、使半炭化前或者半炭化固态物维持加压进行冷却的工序、以及取出已冷却的半炭化前或者半炭化固态物进行干燥的工序，筒内径和加压活塞的外径是大致相同的。
生物量固态及其制造方法

[发明专利]以醌类化合物作为有效成分的肝癌发病预防剂-CN200480039933.6无效
发明人：盐见进 -专利权人：卫材株式会社;财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2004-12-14 - 公布日： 2007-06-27 - 主分类号： A61K31/122 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供安全有效的肝癌、尤其是由丙型病毒性肝炎肝硬化引发的肝癌的发病预防剂，本发明提供一种以四烯甲萘醌为有效成分的肝癌的发病预防剂，通过给予所述预防剂，有效预防肝癌的发病。
化合物作为有效成分肝癌发病预防

[发明专利]亚临界水分解处理物的生产方法及亚临界水分解处理物生产装置-CN200580004805.2有效
发明人：吉田弘之 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2005-02-14 - 公布日： 2007-02-21 - 主分类号： B01J3/00 文献下载
摘要：本发明提供在含有固形物的被处理物的连续亚临界水分解处理中，控制被处理物的分解反应，选择性地以高收率生产所需有用物的方法，预先将被处理物粉碎、粒子化，与水混合调制浆液，通过加压装置(1)加压该浆液、通过加热装置(2)加热经加压的浆液成为亚临界状态，将亚临界状态的浆液从导入口(8)中导入到反应容器(3)的底部，在反应容器(3)内从下开始分别形成固定层、流动层和亚临界水溶解层，从设于反应容器(3)上部及侧部的导出口(101)～(106)中的任一个选择，将亚临界水溶解层取出，由此能够调整亚临界水的滞留时间、调整被处理物的亚临界水分解反应时间。
临界水分处理生产方法装置

[发明专利]光信号处理方法和装置-CN200480040113.9无效
发明人：北山研一;池田研介;穆罕默德·阿卜杜尔·嘉里尔;并木周;井上崇 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2007-01-24 - 主分类号： G02F7/00 文献下载
摘要：光编码电路(200)使用包含与光强度相关的输入输出特性具有不同的周期性的光非线性元件的多个光编码器，根据具有与第1波长不同的附近的第2波长，并且作为光取样后的光模拟信号的脉冲序列的控制光光编码具有第1波长的信号光的脉冲序列，由各光编码器输出光编码后的多个信号光的脉冲序列。光量化电路(300)分别连接在各光编码器上，使用包含与光强度相关的输入输出特性具有周期性的光非线性元件的多个光阈值处理器，根据光编码后的多个信号光的脉冲序列，对具有与第1波长不同的附近的第3波长的载波光的脉冲序列，进行光阈值处理光量化，作为光数字信号输出。
信号处理方法装置

[发明专利]无细胞Notch切割分析方法以及药物筛选方法-CN200480033091.3无效
发明人：大河内正康;武田雅俊 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2004-11-10 - 公布日： 2006-12-13 - 主分类号： C12N15/09 文献下载
摘要：本发明提供在对阿尔茨海默病的治疗等有效的γ分泌酶抑制剂的药物筛选方法等中可以利用的无细胞Notch切割分析方法，以及该药物筛选方法，所述无细胞Notch切割方法的特征在于：具有将表达Notch蛋白质突变体的细胞粗膜级分与被测物质接触的无细胞切割反应步骤，以及对通过前述无细胞切割反应步骤中的Notch蛋白质突变体因膜内蛋白分解(假定跨膜结构域中的2阶段切割)而产生的氨基末端侧的片断和羧基末端侧的片断进行检测的检测步骤，从而分析被测物质对Notch蛋白质突变体的膜内蛋白分解产生的影响的无细胞Notch切割方法，其中前述Notch蛋白质突变体，至少具有Notch蛋白质的假定跨膜结构域，至少缺失假定跨膜结构域氨基末端侧的氨基酸序列的一部分，并且在假定跨膜结构域的氨基末端侧以及羧基末端侧上各自具有抗体识别位点。
细胞 notch 切割分析方法以及药物筛选

[发明专利]具有耐热性的稀土类络合物-CN200480029231.X无效
发明人：万关一广;长谷川靖哉;柳田祥三 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2004-10-07 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： C07C49/92 文献下载
摘要：本发明提供一种能够在塑料材料中均匀地分散、且具有优秀的耐热性、在经过塑料制品的加工工序中的高温加热以后仍具有高的荧光发光强度的荧光体。更具体地说，本发明提供一种包含稀土类络合物的荧光体，该稀土类络合物以碳数为1～20的烷基、环烷基、酰基或烷氧基取代的二苯甲酮或苯甲酰为基本骨架，且将一种以上具有光敏作用的分子配位在多个稀土类离子上而构成。
具有耐热性稀土络合物

[发明专利]分形结构体、分形结构聚集体及其制造方法和用途-CN200480025733.5无效
发明人：宫本钦生;桐原聪秀;森丰贵;武田三男;本田胜也;迫田和彰 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构;独立行政法人物质·材料研究机构
申请日： 2004-09-07 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：为提供利用以往技术或新技术亦未实现的三次元分形结构体，本发明的分形结构体是在局部或全部具有立体的分形结构的结构体，且在电磁波的穿透率方面，在由该分形结构的结构因子及材质所决定的特有波长中具有极小值，及/或在电磁波的反射率方面，在由该分形结构的结构因子及材质所决定的特有波长中具有极小值。
结构聚集体及其制造方法用途

[发明专利]第Ⅲ族元素氮化物单晶的制备方法和其中使用的设备-CN200480007152.9无效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;川村史朗;梅田英和 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2004-03-15 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C30B29/38 文献下载
摘要：本发明提供了第III族元素氮化物单晶的制备方法，所述氮化物单晶具有较低的位错密度和均一的厚度并且是透明的。本发明可以高产量地制备高质量的、大的和整块的所述晶体。所述第III族元素氮化物单晶的制备方法包括：加热装有至少一种选自碱金属和碱土金属的金属和至少一种选自镓(Ga)，铝(Al)和铟(In)的第III族元素的反应器以制备所述金属的熔剂；将含氮气体通入所述反应器中由此使得在所述熔剂中的第III族元素和氮互相反应，从而生长第III族元素氮化物单晶，其中例如在通过摇动所述反应器来搅动所述熔剂下使单晶生长。
元素氮化物制备方法其中使用设备

[发明专利]氧化物纳米结构体及其制造方法和用途-CN200380107176.7无效
发明人：山中伸介;滨口豪;宇埜正美;黑崎健;牟田浩明;钉宫公一 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： C25D11/24 文献下载
摘要：本发明提供一种无须电解目标氧化物而直接制造所希望的氧化物纳米结构体的方法，一种具有结构耐性的纳米结构体及这种纳米结构体的各种用途。本发明是在存在含有目标氧化物的金属元素的氟化物配离子的溶液中，浸泡包含氧化物且具有纳米结构的模板，通过调整反应条件，用目标氧化物置换模板的氧化物。其中该金属元素是选自过渡元素、IA族元素、IIA族元素、IIIB族元素、IVB族元素、VB族元素或VIB族元素中的至少一种。
氧化物纳米结构及其制造方法用途

[发明专利]甲烷气的制造方法-CN200380101897.7无效
发明人：吉田弘之 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2003-10-20 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： C02F11/04 文献下载
摘要：本发明提供一种能有效地利用有机废弃物的实用技术。出于上述目的，本发明的由有机废弃物制造甲烷气的方法，其含有通过用超临界水和亚临界水中的至少一方将有机废弃物低分子化处理的步骤；和使上述低分子化处理物进行甲烷发酵的步骤。根据该方法，首先，容易地通过使用超临界水和亚临界水中的至少一方将有机废弃物甲烷发酵处理成低分子物质。其次，通过甲烷发酵该处理物，能高速且高消化率地由有机废弃物制造甲烷气。
甲烷制造方法

[发明专利]标记基因-CN200380103445.2无效
发明人： M·克莱里奇;宫泽正显 -专利权人：免疫诊疗有限公司;财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2003-10-16 - 公布日： 2005-12-21 - 主分类号： C12Q1/68 文献下载
摘要：描述了确定感染特别是HIV感染的易感性以及治疗所述感染的方法。
标记基因

[发明专利]人工齿根植入位置确定装置、人工齿根植入位置确定方法、导向构件制造装置、检测装置、钻头、假牙制造装置、计算机程序及记录媒体-CN03820352.9无效
发明人：十河基文;前田芳信;堤定美 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2003-08-25 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： A61C19/00 文献下载
摘要：本发明涉及人工齿根植入位置确定装置、人工齿根植入位置确定方法、导向构件制造装置、检测装置、钻头、假牙制造装置、计算机程序及记录媒体。从患者取得作为三维数据的齿列数据及颚骨数据，并合成上述数据。根据该合成数据生成对缺损部分进行填补的齿冠数据及齿冠数据所示的齿冠的咬合数据。另外，算出对齿冠的咬合面加上基于该咬合数据的咬合力时植入支承该齿冠的人工齿根的植入位置其附近的颚骨所产生的力学评价因子，对该力学评价因子的数值较小、使得咀嚼时对合牙齿所受到的颚骨的力学负担较小的植入位置进行确定。
人工齿根植入位置确定装置方法导向构件制造检测钻头假牙计算机程序记录

[发明专利]结晶核的制造方法及结晶条件的筛选方法-CN03820509.2无效
发明人：佐佐木孝友;森勇介;吉村政志;安达宏昭;增原宏;细川阳一郎;高野和文 -专利权人： 财团法人大阪产业振兴机构
申请日： 2003-08-25 - 公布日： 2005-10-05 - 主分类号： C30B29/58 文献下载
摘要：本发明提供一种高质量、有效、简单地制造蛋白质结晶和有机物的结晶的方法。配制蛋白质及有机物的溶液，通过将其慢慢地冷却，达到低度的过饱和。对该过饱和溶液照射飞秒激光(10)。在激光的焦点处产生局部的爆炸现象生成结晶核。以该结晶核为基础，在一定时间内使结晶生长，可以得到高质量的结晶。作为飞秒钛激光可以使用波长800nm、时间间隔120fs、频率1kHz、输出400mW的钛蓝宝石激光。
结晶制造方法条件筛选

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