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[发明专利]半导体发光器件及光耦合器-CN202210863064.9在审
发明人： 菅原秀人;大塚洋昭;村上直树;镰仓孝信 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：实施方式提供在高温的工作环境具有高可靠性的半导体发光器件及光耦合器。实施方式的半导体发光器件具备：立方晶的砷化镓(GaAs)基板、设置于上述GaAs基板上的包含由组成式InxGa1‑xAs(0＜x＜1)表示的砷化铟镓(InGaAs)的发光层、以及位于上述GaAs基板与上述发光层之间、且设置于相对于上述立方晶的(100)面倾斜的上述GaAs基板的表面上的半导体多层膜。上述半导体多层膜包含在与上述GaAs基板的上述表面垂直的方向上交替层叠的第一层及第二层，上述第一层具有与上述第二层不同的组成。
半导体发光器件耦合器

[发明专利]半导体发光装置及光耦合装置-CN202110965770.X在审
发明人：田中明;菅原秀人;近藤且章;岩本昌伸;矶本建次;大塚洋昭 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-08-23 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：实施方式涉及半导体发光装置及光耦合装置。实施方式的半导体发光装置具备基板、第1导电型的第1半导体层、活性层和第2导电型的第2半导体层。上述基板具有第1能带隙。上述第1半导体层设在上述基板上，具有比上述第1能带隙宽的第2能带隙。上述活性层设在上述第1半导体层上，包括具有比上述第1及第2能带隙窄的第3能带隙的量子阱层和设在上述第1半导体层与上述量子阱层之间的第1势垒层。上述第2半导体层设在上述活性层上。上述基板的折射率比上述第1半导体层的折射率大，上述第1半导体层的折射率与上述第1势垒层的折射率相同或比上述第1势垒层的折射率大。
半导体发光装置耦合

[发明专利]半导体发光装置-CN202110811090.2在审
发明人： 菅原秀人 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本申请的实施方式的半导体发光装置具备半导体基板和发光层。上述发光层包含在上述半导体基板上交替层叠的量子阱层和阻挡层。上述量子阱层包含具有比上述半导体基板的晶格常数大的晶格常数的第一半导体混晶，并且具有第一应变率与其层厚之积的第一应变量。上述阻挡层包含具有比上述半导体基板的晶格常数小的晶格常数的第二混晶，并且具有第二应变率与其层厚之积的第二应变量。上述量子阱层及上述阻挡层以上述第一应变量比上述第二应变量大的方式设置。
半导体发光装置

[发明专利]半导体装置-CN202010798554.6在审
发明人：西川俊幸;菅原秀人 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-08-11 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明的实施方式的半导体装置具备：包含n型杂质的III‑V族半导体层；第1导电层，所述第1导电层设置于III‑V族半导体层上，包含Ti(钛)及可成为III‑V族半导体层的p型杂质的第1元素，且具有第1区域和第1元素浓度高于第1区域的第2区域；和设置于第1导电层上的第2导电层。
半导体装置

[发明专利]光半导体元件-CN202010145989.0在审
发明人：岩本昌伸;菅原秀人;矶本建次 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L33/10 文献下载
摘要：实施方式提供一种降低晶片面内的光输出的变动的光半导体元件。实施方式的光半导体元件具有基板、发光层、和分布布拉格反射器。发光层具有AlGaAs多量子阱层。分布布拉格反射器设置在基板与发光层之间，周期性地层叠了第1层与第2层的对。第1层包含AlxGa1－xAs，第2层包含Inz(AlyGa1－y)1－zP。第1层的折射率n1比第2层的折射率n2高。以所述分布布拉格反射器的反射率的波长分布中的频带的中心波长为λ0，第1层具有比λ0/(4n1)大的厚度。第2层具有比λ0/(4n2)小的厚度。
半导体元件

[发明专利]半导体发光器件-CN202010017050.6在审
发明人： 菅原秀人 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2020-01-08 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明的实施方式提供发光光谱的半值宽度窄并且长时间工作中的可靠性提高的半导体发光器件。实施方式的半导体发光器件具有基板和多量子阱层。上述多量子阱层设置于上述基板上，包含3个以上的InGaAs阱层和夹在2个InGaAs阱层中的多个势垒层。上述多个势垒层包含混晶比不同的至少2个区域或厚度不同的至少2个区域。
半导体发光器件

[发明专利]半导体装置-CN201910121475.9在审
发明人：小野升太郎;菅原秀人;大田浩史;一条尚生;山下浩明 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2019-02-19 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具有：第1电极；第1导电型的第1半导体区域；第2半导体区域，设于第1半导体区域的一部分上。第3半导体区域，设于第1半导体区域的其它的一部分上，在第2方向上和第2半导体区域的至少一部分并列。第4半导体区域，设于第1与第3半导体区域间的至少一部分。第5半导体区域设于第1与第4半导体区域间，其中的第1导电型杂质浓度低于第4半导体区域。第6半导体区域设于第3半导体区域上，其中的第2导电型杂质浓度高于第3半导体区域。第7半导体区域选择性地设于第6半导体区域上。栅极电极，隔着栅极绝缘层与第2、第6及第7半导体区域对置。第2电极，设于第6及第7半导体区域上，与第6及第7半导体区域电连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201811621023.9在审
发明人：山下浩明;小野升太郎;一条尚生;菅原秀人;大田浩史 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：实施方式的半导体装置具备：半导体部，包含第1导电型的第1半导体层和第2导电型的第2半导体层；第2电极，设置于上述半导体部的表面上的第1电极；及控制电极，设置于上述半导体部的内面上；设置于上述半导体部和上述第1电极之间。上述第2半导体层在沿上述半导体部的表面的第1方向上，位于上述第1半导体层的一部分和上述第1半导体层的其他的一部分之间。上述半导体部还包含，第2导电型的第3半导体层和第1导电型的第4半导体层。上述第3半导体层具有：位于上述第1半导体层的上述一部分中的第1端部；和位于上述第2半导体层中的第2端部，上述第4半导体层设置于上述第3半导体层的上述第2端部。
半导体装置

[发明专利]制造堆叠的氮化物半导体结构的方法以及制造氮化物半导体发光装置的方法-CN201210068462.8有效
发明人：甲斐健一郎;菅原秀人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-03-15 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：依据一个实施方案，一种执着堆叠的氮化物半导体结构的方法包括在基材的第二表面上形成第一保护薄膜，在基材的第一表面上形成第一氮化物半导体层，在第一氮化物半导体层上形成第二保护薄膜，去除第一保护薄膜，露出基材的第二表面，在基材的第二表面上形成第二氮化物半导体层，和去除第二保护薄膜，露出第二氮化物半导体层的表面。
制造堆叠氮化物半导体结构方法以及发光装置

[发明专利]半导体发光元件-CN200710159720.2有效
发明人：冈崎治彦;菅原秀人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2008-05-21 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种半导体发光元件，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该发光元件包括：半导体衬底；在所述半导体衬底上形成的第一导电类型的第一半导体层；在所述第一半导体层上形成的用来发光的活性层；在所述活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与所述第二半导体层接触的第二电极；以及与所述半导体衬底接触的第一电极；其中：所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层在所述透明衬底的中央部位形成脊形部件。
半导体发光元件

[发明专利]氮化镓类半导体元件及其制造方法-CN200610074303.3有效
发明人： 菅原秀人;本乡智惠 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-04-05 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L29/207 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化镓类半导体元件，其特征在于，具备掺杂了镁的第一氮化镓类半导体膜、和在所述第一氮化镓类半导体膜之上设置的、掺杂了镁的第二氮化镓类半导体膜；在所述第一氮化镓类半导体膜中，镁浓度分布和氢浓度分布实质上是平坦的，而且镁浓度被保持为比氢浓度高；在所述第二氮化镓类半导体膜中，设置有朝着表面方向镁浓度减少而氢浓度增大的区域，在所述区域中的镁浓度被保持为比氢浓度高，同时还比所述第一氮化镓类半导体膜中的镁浓度高。
氮化半导体元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法以及半导体发光装置-CN200410056639.8有效
发明人：冈崎治彦;菅原秀人 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-06-29 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种半导体发光元件及其制造方法和半导体发光装置，可提高外部量子效率、降低动作电压并提高可靠性。该半导体发光元件包括：衬底；在衬底上形成的发光层，该发光层包括：第一导电类型的第一半导体层、在第一半导体层上形成的用来发光的活性层、以及在活性层上形成的第二导电类型的第二半导体层；与第二半导体层接触的第一电极；以及与第一半导体层接触的第二电极，第一电极包括：与第二半导体层欧姆接触的欧姆层、在欧姆层上形成的第一阻挡层、在第一阻挡层上形成的光反射层、在光反射层上形成的第二阻挡层、以及在第二阻挡层上形成的用来安装的覆盖电极；第一阻挡层包含与欧姆层不同的材料，光反射层包含与覆盖电极不同的材料。
半导体发光元件及其制造方法以及装置

[发明专利]半导体发光器件-CN200410079795.6无效
发明人： 菅原秀人;新田康一;阿部洋久;绀野邦明;出井康夫 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-03-09 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：色调偏差小的半导体发光器件及其制造方法。包括半导体发光元件(包含由电流注入发射第一波长的光的有源区)以及至少一个半导体叠层体(结合到上述半导体发光元件上、包含由上述第一波长的光激发、发射第二波长的光的发光层)，将上述第一波长的光与上述第二波长的光混合输出的半导体发光器件。作为制造这种半导体发光器件的方法，提供一种首先采用适合于形成有源区的第一衬底构成上述半导体发光元件，其次采用适合于形成发光层的第二衬底构成上述半导体叠层体，然后将二者结合的方法。
半导体发光器件

[发明专利]半导体发光元件及其制造方法-CN03110224.7有效
发明人： 菅原秀人;渡边幸雄;阿部洋久;绀野邦明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-04-07 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供一种高亮度半导体元件及其制造方法。一种半导体元件的制造方法，具有以下步骤：在具有第1面和与第1面相对且面积比上述第1面小的第2面的GaP衬底的上述第1面上，形成发射能透过上述GaP衬底的波长λ的光的发光层；在上述GaP衬底，形成朝上述第2面变窄、相互以大致相等的角度倾斜的多个侧面；及在上述多个侧面形成高度不小于0.1λ、不大于3λ的多个凹凸。还提供一种通过该方法得到的半导体发光元件。
半导体发光元件及其制造方法

[发明专利]半导体发光元件-CN02105300.6无效
发明人： 菅原秀人;新田康一;佐伯亮;近藤且章;岩本昌伸 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2002-01-25 - 公布日： 2002-09-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：提供一种半导体发光元件,不需要复杂的制造工序和制造技术就可大幅度提高光取出效率。该半导体发光元件,具有活性层(通过注入电流产生第一发光);吸收发光部(吸收所述第一发光的一部分、产生中心波长比所述第一发光的长的第二发光)。所述第一发光的中心波长和所述第二发光的中心波长之差,在其混合光的发光光谱不丧失单峰性的范围内或在第一发光L1的光谱的半值宽度的0.9倍以下的范围内。
半导体发光元件

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