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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]钽溅射靶-CN200480030918.5有效
发明人：小田国博 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-10-20 - 公布日： 2006-11-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种钽溅射靶，其特征在于，在钽靶的表面，以整体结晶取向的总和为1时，具有(100)、(111)、(110)之任一取向的结晶其面积率不超过0.5。本发明的课题在于得到成膜速度快，膜的均匀性优良，另外，成膜特性良好，很少产生电弧和颗粒的钽溅射用靶。
溅射

[发明专利]无电镀铜溶液-CN200480030629.5有效
发明人：矢部淳司;关口淳之辅;伊森彻;藤平善久 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：适用于改进沉积膜的粘合性并可以在低温下形成均匀沉积物的无电镀铜溶液。该无电镀铜溶液的特征在于其中含有水溶性含氮聚合物。该无电镀铜溶液优选进一步含有二羟乙酸和次膦酸作为还原剂。水溶性含氮聚合物优选为聚丙烯酰胺或聚乙烯亚胺，它们各自优选具有100,000或更高的重均分子量(Mw)和10.0或更低的Mw/Mn。
镀铜溶液

[发明专利]无电镀铜溶液和无电镀铜方法-CN200480030616.8有效
发明人：矢部淳司;关口淳之辅;伊森彻;藤平善久 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-09-17 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C23C18/40 文献下载
摘要：一种无电镀铜溶液，其特征在于与第一还原剂一起使用作为第二还原剂的次磷酸或次磷酸盐，并同时使用抑制铜沉积的稳定剂。第一还原剂包括福尔马林和二羟乙酸，次磷酸盐包括次磷酸钠、次磷酸钾和次磷酸铵。抑制铜沉积的稳定剂包括2，2’－联吡啶、咪唑、烟酸、硫脲、2－巯基苯并噻唑、氰化钠或巯基乙酸。在较难发生镀敷反应的镜面(例如半导体晶片等)上无电镀铜时，该无电镀铜溶液可以在降低的温度下上实现均匀镀敷。
镀铜溶液方法

[发明专利]树脂组合物-CN200480029524.8有效
发明人：小林弘典;土田克之;熊谷正志 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： C08L75/04 文献下载
摘要：本发明的目的在于，解决在多元醇与多异氰酸酯的反应中使用叔胺化合物作为催化剂的情况下的不愉快的臭味等的上述问题，并提供一种促进这些树脂的固化，提高与金属、无机材料或有机材料的粘结性的树脂组合物，其是以下述成分为必须成分而形成的，(A)多元醇(B)多异氰酸酯(C)含有咪唑基的硅烷偶合剂其中，在上述组合物中，(B)的多异氰酸酯中的异氰酸酯基数与(A)的多元醇中的羟基数的比(NCO/OH)为0.6～4.0，且{(A)+(B)}∶(C)的重量比为100∶0.01～100∶10。
树脂组合

[发明专利]化学镀金液-CN200580000902.4有效
发明人：相场玲宏;河村一三 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2005-06-23 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：本发明提供一种非氰类置换型化学镀金液，其毒性低，可以在中性附近使用，焊接粘结性和被膜粘结性更良好。该化学镀金液的特征在于，含有非氰类水溶性金化合物、焦亚硫酸化合物和硫代硫酸化合物。该镀敷液优选进一步含有亚硫酸化合物、氨基羧酸化合物。作为焦亚硫酸化合物，可以使用焦亚硫酸或其碱金属盐、碱土类金属盐、铵盐等。
化学镀金

[发明专利]ITO溅射靶-CN200480023856.5有效
发明人：栗原敏也 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-08-04 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种ITO溅射靶，其特征在于，在ITO溅射靶中，以王水腐蚀时或溅射腐蚀时，表面出现的粒径在100nm以上的粒子的个数为1个/μm²以下，并且密度在7.12g/cm³以上。其有效地抑制溅射特性，特别抑制电弧放电的产生，抑制由于该电弧放电而生成的ITO膜的缺陷的产生，抑制ITO膜的品质降低。
ito 溅射

[发明专利]高纯度硫酸铜及其制造方法-CN200480023147.7有效
发明人：新藤裕一朗;竹本幸一 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-07-28 - 公布日： 2006-09-20 - 主分类号： C01G3/10 文献下载
摘要：一种高纯度硫酸铜，其特征在于，其纯度为99.99wt％以上，杂质Ag的含量为1wtppm以下。一种高纯度硫酸铜的制造方法，其特征在于，使粗硫酸铜结晶或铜合金溶解，将其进行活性炭处理或溶剂萃取和活性炭处理，使其再结晶化。本发明的目的在于，提供一种高纯度硫酸铜的制造方法及利用该方法得到的高纯度硫酸铜，所述方法将市售的硫酸铜结晶用纯水或酸溶解，采用其后的精制工序，可以低成本且有效地除去杂质。
纯度硫酸铜及其制造方法

[发明专利]外延生长法-CN200480020384.8无效
发明人：高草木操;金井进 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-04-28 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L21/203 文献下载
摘要：一种外延生长方法，是采用分子束外延生长法形成具有III－V族系化合物半导体的异质结的半导体薄膜的外延生长方法，具备下述工序：照射至少一种以上的III族元素的分子束和第1V族元素的分子束，形成第1化合物半导体层的第1工序；停止上述III族元素的分子束和上述第1V族元素的分子束的照射，中断生长直到上述第1V族元素的供给量变为上述第1工序中的供给量的1/10以下的第2工序；和照射至少一种以上的III族元素的分子束和第2V族元素的分子束，在上述第1化合物半导体层上形成与上述第1化合物半导体不同的第2化合物半导体层的第3工序。
外延生长

[发明专利]溅射靶及其制造方法-CN200480021992.0有效
发明人：井上明久;木村久道;笹森贤一郎;矢作政隆;中村笃志;高桥秀行 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-07-14 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有平均结晶尺寸为1nm～50nm的组织的烧结体溅射靶，特别是由3元系以上的合金组成，以从Zr、Pd、Cu、Co、Fe、Ti、Mg、Sr、Y、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Ag、Cd、In、Sn、Sb、Te、稀土类金属中选择的至少一种元素作为主要成分的烧结体溅射靶。通过烧结喷雾粉制造该靶。能够代替结晶组织粗糙，且通过成本高的把溶融金属粹火得到的块状金属玻璃，提供具有通过烧结法得到的高密度的极其微细且均匀的组织的靶。
溅射及其制造方法

[发明专利]高纯度铪材料、由同种材料构成的靶和薄膜以及高纯度铪的制造方法-CN200480021556.3无效
发明人：新藤裕一朗 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-04-15 - 公布日： 2006-09-06 - 主分类号： C22B3/00 文献下载
摘要：一种将铪的氯化物制成水溶液，将其溶剂萃取除去铪后，通过中和处理，得到氧化铪，再将其氯化成氯化铪，将其还原得到海绵铪，再将海绵铪再进行电子束溶解，得到高纯度铪锭的高纯度铪的制造方法和由该方法得到的高纯度铪材料、由同种材料组成的靶和薄膜。涉及一种将铪中含有的锆的含量降低的高纯度铪材料、由同种材料组成的靶和薄膜以及其制造方法，提供有效且稳定的制造技术，以及通过此技术得到的高纯度铪材料、由同种材料组成的靶和高纯度铪薄膜。
纯度材料同种构成薄膜以及制造方法

[发明专利]溅射靶以及该溅射靶的表面精加工方法-CN200480020180.4有效
发明人：塚本志郎 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-08-24 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种空心阴极型溅射靶，其特征在于，具有表面粗糙度Ra≤1.0μm，进一步优选Ra≤0.5μm的内侧底面。该空心阴极型溅射靶，其溅射膜的均匀性(uniformity)良好，很少产生起弧、颗粒，并且能够抑制底面的再淀积膜的剥离，成膜特性良好。
溅射以及表面精加工方法

[发明专利]锡或锡合金材料用表面处理剂-CN200480020364.0无效
发明人：政时民治;鹤崎新;熊谷正志;大内高志;木名濑隆;杉冈理贵;中野健 -专利权人：索尼株式会社;塔鲁丁凯斯特株式会社;株式会社日矿材料
申请日： 2004-05-17 - 公布日： 2006-08-23 - 主分类号： C23C22/03 文献下载
摘要：本发明披露了一种方法，其包括用磷酸酯和含硅化合物对Sn基、Sn合金基或Sn－Zn合金基焊剂颗粒(1)进行表面处理，形成保护膜(2)，所述焊剂颗粒例如电镀或熔化镀敷施加至例如铁、钢板或铜等金属材料的表面上作为涂层。本发明还披露一种焊剂材料(6)，其中由磷酸酯和含硅化合物形成的保护膜(2)形成在Sn－Zn基焊剂颗粒(1)的表面上，以及由该焊剂材料(6)和熔剂形成的钎焊剂。
合金材料表面处理

[发明专利]含有具有特定骨架的含二烷基氨基的聚合物和有机硫化合物作为添加剂的铜电解液以及由该电解液制造的电解铜箔-CN200480016822.3有效
发明人：土田克之;熊谷正志;花房干夫 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-06-16 - 公布日： 2006-07-19 - 主分类号： C25D1/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于，在使用了阴极转筒的电解铜箔制造中，得到粗糙面侧(光面的相反侧)的表面粗糙度小的低断面电解铜箔，特别是得到可实现精细图案化、进而在常温和高温时的伸长率和抗拉强度优异的电解铜箔。本发明通过提供下述物质解决了上述课题，即，一种铜电解液，其含有：含二烷基氨基的聚合物和有机硫化合物作为添加剂，该聚合物是通过使具有二烷基氨基的丙烯酸类化合物进行均聚或与其他的含有不饱和键的化合物共聚得到的；本发明还提供使用该电解液制造的电解铜箔。
含有具有特定骨架烷基氨基聚合物有机硫化作为添加剂电解液以及制造电解铜箔

[发明专利]化学镀金液-CN200480016027.4有效
发明人：伊森彻;日角义幸;藤平善久 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-03-31 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： C23C18/44 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种化学镀金液，其可以得到表面没有孔腐蚀的镀金被膜，在焊接时可以确保足够的焊接强度。本发明提供一种化学镀金液，其特征在于，含有水溶性金化合物、上述通式所示的羟基烷基磺酸或其盐作为还原剂、和胺化合物，(上式中，R表示氢、羧基、或可以有取代基的苯基、萘基、饱和或不饱和的烷基、乙酰基、丙酮基、吡啶基和呋喃基中的任一种，X表示氢、Na、K和NH₄中的任一种，n是0～4的整数)。
化学镀金

[发明专利]无电镀金液-CN200480015693.6有效
发明人：相场玲宏;日角义幸;河村一三 -专利权人： 株式会社日矿材料
申请日： 2004-02-18 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： C23C18/42 文献下载
摘要：一种无电镀金液，特征在于其包含无氰的水溶性金化合物和焦亚硫酸化合物。该无电镀液还可以包含亚硫酸化合物或氨基羧酸化合物。作为焦亚硫酸化合物，可使用焦亚硫酸、其碱金属盐、碱土金属盐或铵盐等。该无电镀液毒性低，可在接近中性的pH下使用，且获得的金镀层在焊料和其上镀层之间具有良好的附着力。
镀金

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