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[实用新型]非穿通型IGBT-CN201520893623.6有效
发明人：肖秀光;吴海平 -专利权人：宁波比亚迪半导体有限公司
申请日： 2015-11-11 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本实用新型提出了一种非穿通型IGBT，通过设置具有相同导电类型的第一漂移区和第二漂移区，且第一漂移区的掺杂浓度大于第二漂移区的掺杂浓度，保证当承受相同高压时，耗尽层宽度比现有的耗尽层宽度要窄，第一漂移区和第二漂移区的总厚度比现有的漂移区厚度要小
非穿通型 igbt

[发明专利]MOS型固体摄象装置及其制造方法-CN01121817.7有效
发明人：石渡宏明 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2001-06-28 - 公布日： 2002-01-09 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：一种MOS型固体摄象装置,即便是MOS器件微细化,也能同时实现电荷传送能力提高和穿通防止。在光电二极管的n－信号存储区域2的正下边,不形成p+型穿通防止区域6。在p型半导体衬底1内形成n－信号存储区域2。在形成光电二极管和读出门电路的器件区域A以外的器件区域B上,在该器件区域B的整个区域上形成p+型穿通防止区域6。此外,为了防止器件间的穿通,也在绝缘隔离层的正下边形成p+型穿通防止区域6。在n型第1半导体区域4的正下边,也可以形成p+型穿通阻挡层5。
mos 固体装置及其制造方法

[发明专利]包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法-CN201510745228.8有效
发明人：朱慧珑;魏星 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： H01L27/118 文献下载
摘要：公开了包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的CMOS器件及其制造方法。根据实施例，一种CMOS器件包括n型器件和p型器件，其中，n型器件和p型器件各自均可以包括：在衬底上形成的鳍状结构；在衬底上形成的隔离层，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该n型器件或p型器件的鳍；在鳍状结构位于鳍下方的部分的侧壁上形成的带电荷的穿通阻止层；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠，其中，对于n型器件，穿通阻止层带净负电荷；对于p型器件，穿通阻止层带净正电荷。
穿通阻止层鳍状结构电荷隔离层衬底净负电荷净正电荷栅堆叠侧壁相交制造

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510493286.6有效
发明人：李勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底内具有阱区，阱区内具有第一类型离子；采用第一防穿通注入工艺在阱区内注入第一类型离子，第一防穿通注入工艺的注入深度小于阱区底部到衬底顶部表面的距离，在阱区内形成防穿通区；采用第二防穿通注入工艺在阱区内注入碳离子，在阱区内形成碳掺杂区，碳离子的掺杂浓度大于防穿通区内的第一类型离子掺杂浓度，碳掺杂区包围防穿通区；采用第三防穿通注入工艺在阱区内注入氮离子，第三防穿通注入的深度、小于第一防穿通注入和第二防穿通注入的深度，在阱区内形成氮掺杂区，氮掺杂区位于防穿通区与衬底顶部表面之间。
半导体结构形成方法

[发明专利]包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的半导体器件及其制造方法-CN201510746553.6在审
发明人：朱慧珑;魏星 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2016-03-02 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：公开了包括带电荷穿通阻止层以降低穿通的半导体器件及其制造方法。根据实施例，半导体器件可以包括：在衬底上形成的鳍状结构；在衬底上形成的隔离层，其中鳍状结构在隔离层上方的部分充当该半导体器件的鳍；在鳍状结构位于鳍下方的部分的侧壁上形成的带电荷的穿通阻止层；以及在隔离层上形成的与鳍相交的栅堆叠该半导体器件可以为n型器件或p型器件。对于n型器件，穿通阻止层带可以净负电荷；或者，对于p型器件，穿通阻止层可以带净正电荷。
包括电荷阻止降低半导体器件及其制造方法

[发明专利]SiGe异质结双极型晶体管及其制备方法-CN201010164875.7无效
发明人：孙涛 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2010-09-01 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：一种SiGe异质结双极型晶体管，包括：衬底；集电区；形成在集电区内的浅沟槽隔离；在集电区上外延生长的SiGe层；形成在SiGe层上的基极；形成在SiGe层上的发射区；形成在发射区上的发射极；以及形成在集电区上的集电极其中，所述集电区进一步包括在衬底上采用离子布植的方式形成的抗穿通层和在所述抗穿通层上形成的n型埋层。所述抗穿通层是p型袋域布植的抗穿通层。本发明通过在衬底和集电区之间形成抗穿通层，降低晶体管和晶体管之间的穿通，提高电气隔离，并提高了SiGe异质结双极型晶体管的阈值频率和最大振荡频率，同时降低了SiGe双极型晶体管的制造成本。
sige 异质结双极型晶体管及其制备方法

[发明专利]一种采用异质结结构的可控硅及其制造方法-CN201710365079.1有效
发明人：邹有彪;廖航;童怀志;刘宗贺;徐玉豹;王泗禹;王禺 -专利权人：富芯微电子有限公司
申请日： 2017-05-22 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用异质结结构的可控硅，包括P型穿通区、N型长基区、P+阳极区、P型短基区；P型短基区与P型穿通区之间设有沟槽；P型穿通区、N+阴极区、P型短基区上侧均覆有氮化硅钝化层；P型短基区上侧还设有门极；本发明的制作工艺包括：硅片双面抛光、氧化、穿通区光刻、穿通扩散、短基区扩散、浓硼区光刻、浓硼区扩散、阴极区光刻、生长碳化硅外延、碳化硅刻蚀、沟槽光刻、沟槽腐蚀、氮化硅钝化、玻璃钝化、引线孔光刻、蒸铝、
穿通光刻可控硅异质结结构浓硼区阴极区氮化硅钝化层氮化硅钝化短基区扩散碳化硅外延扩散玻璃钝化触发电流沟槽腐蚀硅片双面制作工艺常温下发射区碳化硅阳极区引线孔重掺杂抛光铝合金背金反刻减小刻蚀门极蒸铝生长制造

[发明专利]一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法-CN202310477181.6在审
发明人：宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;许雷雷 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法，包括：根据电荷平衡理论获得待设计的碳化硅浮动结JBS的六种电场分布类型，六种电场分布类型分别为非耗尽非穿通型电场分布、非耗尽穿通型电场分布、表面击穿非穿通型电场分布、表面击穿穿通型电场分布、内部击穿非穿通型电场分布和内部击穿穿通型电场分布；利用六种电场分布类型建立不同电场分布类型对应的反向阻断分析模型；利用反向阻断分析模型获得符合设计要求的碳化硅浮动结JBS的器件最优参数
一种基于电荷平衡碳化硅浮动 jbs 设计方法

[实用新型]一种穿通型瞬态电压抑制器-CN201922199863.7有效
发明人：张海道;胡丽娟;钟裕祥 -专利权人：深圳市瑞劲电子有限公司
申请日： 2019-12-10 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种穿通型瞬态电压抑制器，包括安装座，所述安装座的顶部开设有放置槽，放置槽内放置有穿通型瞬态电压抑制器本体，且穿通型瞬态电压抑制器本体的顶部延伸至安装座的上方，放置槽的两侧内壁上均开设有第一凹槽，第一凹槽内滑动安装有第一滑动杆，穿通型瞬态电压抑制器本体的两侧开设有第一卡槽，且两个第一滑动杆相互靠近的一端分别与相对应的第一卡槽相卡装。本实用新型结构简单，操作方便，可以快速方便的将穿通型瞬态电压抑制器本体从安装座上进行拆装，方便对穿通型瞬态电压抑制器本体的维修和更换，减小了工作人员的工作难度，省时省力，所以满足了工作人员的需求。
一种穿通型瞬态电压抑制器

[发明专利]一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法-CN201110303093.1有效
发明人：罗啸;石晶;钱文生;胡君 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-10 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种判定PMOSFET器件硼穿通的方法，包括：采用相同的工艺流程和参数制造2个多晶硅栅电极掺杂过程中采用类型相反离子注入，其它结构完全相同PMOSFET，形成P型多晶硅栅极和N型多晶硅栅极PMOSFET；分别测量P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压；计算得到P型多晶硅栅极PMOSFET和N型多晶硅栅极PMOSFET的阈值电压差值；计算得到P型多晶硅栅电极和N型多晶硅栅电极的功函数差值；将阈值电压差值与功函数差值进行比较；阈值电压差值大于功函数差值，判定发生了硼穿通；阈值电压差值等于功函数差值，判定没有发生硼穿通。本发明的判定PMOSFET器件硼穿通的方法能准确的判定PMOSFET器件是否发生硼穿通。
一种判定 pmosfet 器件硼穿通方法

[发明专利]一种省力的桥梁装置-CN201710719366.8在审
发明人：余达辉 -专利权人：广州犀鸟工业设计有限公司
申请日： 2017-08-21 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： E01D21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种省力的桥梁装置，包括基体以及安装在基体内的冲洗部，冲洗部内设有第一容纳腔，第一容纳腔顶部穿通设有第一锥型腔，第一容纳腔底部穿通设有第二锥型腔，第一锥型腔顶部穿通设有向上伸展设置的通孔，第一容纳腔左侧的冲洗部内设置有第二容纳腔，第一容纳腔右侧的冲洗部内设置有第三容纳腔，第一容纳腔底部穿通设有向下伸展设置的第一滑移槽，第一滑移槽底部伸展尾部穿通冲洗部底面，通孔右侧内壁穿通设有向右侧伸展设置的第二滑移槽；本发明结构简单，操作方便
容纳腔穿通冲洗滑移槽锥型腔伸展桥梁装置省力通孔流量控制向下伸展右侧内壁底面体内重复

[发明专利]一种卵型下穿通道桥施工方法-CN201910405246.X有效
发明人：刘江伟;邓明长;邓江云;胡必浪;李敏;李幸寿;何跃军 -专利权人：成都建工路桥建设有限公司
申请日： 2019-05-16 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： E01D21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种卵型下穿通道桥施工方法，包括以下具体步骤：a）浇筑混凝土桥台；b）在下穿通道底部的混凝土基础上搭设支撑系统；c）在支撑系统上搭设箱梁浇筑模板系统，并向模板系统中浇筑混凝土，完成箱梁的混凝土现浇本发明主要是针对卵型下穿通道桥的施工技术，通过下穿通道两端的箱梁端部支撑结构满足端部结构受力需要，并采用经计算设定的弧形模板区、钢管支架区和满堂支架区的配合形成下穿通道上部的弧形支撑结构，在钢管支架区和满堂支架区上铺设弧形模板，利用模板的柔韧性，在混凝土的重力作用下形成弧形结构，以满足卵型下穿通道桥的施工要求。
一种卵型下穿通道施工方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011061104.5在审
发明人：赵海 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-09-30 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区域和第二区域，基底包括衬底和位于衬底上的多个鳍部，鳍部包括第一防穿通层、位于第一防穿通层上的第二防穿通层以及位于第二防穿通层上的第一沟道层，第一防穿通层中掺杂有第一型离子，第二防穿通层中掺杂有第二型离子；在鳍部露出的衬底上形成隔离材料层；去除第一区域的第二防穿通层和第一沟道层，形成凹槽；在凹槽中形成第二沟道层。在半导体结构工作时，第一防穿通层降低了第一区域的源极和漏极穿通的概率，第二防穿通层降低了第二区域的源极和漏极穿通的概率，有利于提高半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种高效污水处理装置-CN201710703661.4在审
发明人：韦树军 -专利权人：广州一德智能科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种高效污水处理装置，包括明矾投放部以及安装在明矾投放部顶部的储藏箱，储藏箱内设有储藏腔，储藏腔底部相穿通设有向下伸展设置的锥型腔，锥型腔底部伸展尾部穿通储藏箱底面，明矾投放部底部的明矾投放部内设有顶部与锥型腔底部伸展尾部相穿通设置的排放口，排放口底部的明矾投放部内相穿通设有向左右两侧伸展设置的滑移腔，排放口右侧的明矾投放部内相穿通设置向右侧伸展设置的第一滑移腔，滑移腔右侧伸展段与第一滑移腔右侧伸展尾部之间的明矾投放部内相穿通设有向右侧伸展设置的第一导移槽，滑移腔右侧内壁的顶部设有与第一导移槽右侧伸展尾部相穿通设置的凹槽；本发明结构简单，操作方便，减少了劳动量，提高了污水处理效率。
一种高效污水处理装置

[发明专利]一种新型高效污水处理装置-CN201710702082.8在审
发明人：韦树军 -专利权人：广州一德智能科技有限公司
申请日： 2017-08-16 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： B02C21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高效污水处理装置，包括明矾投放部以及安装在明矾投放部顶部的储藏箱，储藏箱内设有储藏腔，储藏腔底部相穿通设有向下伸展设置的锥型腔，锥型腔底部伸展尾部穿通储藏箱底面，明矾投放部底部的明矾投放部内设有顶部与锥型腔底部伸展尾部相穿通设置的排放口，排放口底部的明矾投放部内相穿通设有向左右两侧伸展设置的滑移腔，排放口右侧的明矾投放部内相穿通设置向右侧伸展设置的第一滑移腔，滑移腔右侧伸展段与第一滑移腔右侧伸展尾部之间的明矾投放部内相穿通设有向右侧伸展设置的第一导移槽，滑移腔右侧内壁的顶部设有与第一导移槽右侧伸展尾部相穿通设置的凹槽；本发明结构简单，操作方便，减少了劳动量，提高了污水处理效率。
一种新型高效污水处理装置

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