“李靖域”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果9个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种横向结构的超级结二极管及制备方法-CN202310784232.X有效
发明人：宋庆文;梁姝璇;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种横向结构的超级结二极管及制备方法，二极管包括：N+型衬底、N型外延层、高斯掺杂N区、至少两个有源区N柱、至少一个有源区P柱、N+区、阳极和阴极；N型外延层位于N+型衬底的表面；高斯掺杂N区位于N型外延层的表层中；至少两个有源区N柱与至少一个有源区P柱交替层叠在N型外延层的表面，且有源区N柱覆盖高斯掺杂N区的一部分表面，至少两个有源区N柱与至少一个有源区P柱形成超级结结构；N+区位于N型外延层的表面，且侧面与超级结结构的侧面相接触，N+区与高斯掺杂N区相距预设距离；阳极覆盖高斯掺杂N区的另一部分表面和超级结结构侧面；阴极位于N+区的表面。本发明减少了工艺难度，提升了电学特性。
一种横向结构超级二极管制备方法

[发明专利]一种柱状P沟道的碳化硅浮动结二极管及制备方法-CN202310708240.6有效
发明人：宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;王晨谕;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-06-15 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明涉及一种柱状P沟道的碳化硅浮动结二极管及制备方法，碳化硅浮动结二极管为圆柱型结构，包括：N型衬底、有源区N漂移区、终端区、若干P型浮动结、P型沟道区和若干P型重掺杂区，有源区N漂移区位于N型衬底上；终端区形成在有源区N漂移区中且环绕若干P型浮动结和若干P型重掺杂区；若干P型浮动结分布在有源区N漂移区的内部且具有相同的深度；P型沟道区连接若干P型浮动结，且从有源区N漂移区的内部延伸至有源区N漂移区的表面；若干P型重掺杂区分布在有源区N漂移区的表层，若干P型重掺杂区环绕P型沟道区的延伸部分。该二极管提高了浮动结碳化硅二极管的工作频率范围和终端区对边缘电场的屏蔽作用。
一种柱状沟道碳化硅浮动二极管制备方法

[发明专利]一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件-CN202310601313.1在审
发明人：宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;梁姝璇 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-05-25 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种包含柱状P沟道的碳化硅浮动结功率器件，至少包括：N型碳化硅衬底和N‑外延层；N‑外延层的表面通过P型掺杂形成有至少一个P型掺杂区；P型掺杂区和N型碳化硅衬底之间的N‑外延层形成有源漂移区；有源漂移区中设有多个浮动结，每个浮动结均通过多个柱状P沟道与一个P型掺杂区实现电连接，每个P型掺杂区均通过多个柱状P沟道与至少一个浮动结实现电连接；浮动结和柱状P沟道均是在外延生长N‑外延层的过程中对生长中的N‑外延层进行多次离子注入形成的。本发明提高了碳化硅浮动结功率器件的开关特性，解决了碳化硅浮动结功率器件难以应用于高频场景的问题，且器件的反向耐压性能不因P沟道的引入而降低。
一种包含柱状沟道碳化硅浮动功率器件

[发明专利]一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法-CN202310477181.6在审
发明人：宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;许雷雷 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： G06F30/39 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于电荷平衡的碳化硅浮动结JBS设计方法，包括：根据电荷平衡理论获得待设计的碳化硅浮动结JBS的六种电场分布类型，六种电场分布类型分别为非耗尽非穿通型电场分布、非耗尽穿通型电场分布、表面击穿非穿通型电场分布、表面击穿穿通型电场分布、内部击穿非穿通型电场分布和内部击穿穿通型电场分布；利用六种电场分布类型建立不同电场分布类型对应的反向阻断分析模型；利用反向阻断分析模型获得符合设计要求的碳化硅浮动结JBS的器件最优参数。本发明依据电荷平衡理论建立碳化硅浮动结二极管的反向阻断分析模型，通过该模型可以快速预测器件的阻断电压性能，减小了最优参数的取值范围，可以更加快速地确定器件设计参数。
一种基于电荷平衡碳化硅浮动 jbs 设计方法

[发明专利]一种带有非连续型P+屏蔽层的SiC UMOSFET及其制备方法-CN202310866242.8在审
发明人：宋庆文;王晨谕;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;何晓宁;肖雨佳 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种带有非连续型P+屏蔽层的SiC UMOSFET及其制备方法，UMOSFET包括：衬底层；N型漂移层，位于衬底层的上表面；P‑掺杂区位于N型漂移层的表层中；N+掺杂区位于P‑掺杂区的表层中；多边形环形沟槽，位于N+掺杂区的四周，深度大于N+掺杂区和P‑掺杂区的厚度之和；多个屏蔽层，分别位于多边形环形沟槽的每个拐角处；P+柱，位于N+掺杂区的中部，贯穿N+掺杂区和P‑掺杂区，并延伸至N型漂移层之中。本发明还提供一种带有非连续型P+屏蔽层的SiC UMOSFET的制备方法。本发明的UMOSFET在保护沟槽底部氧化层不被击穿的同时提高了器件的电流通路，并减小了导通电阻。
一种带有连续屏蔽 sic umosfet 及其制备方法

[发明专利]一种配合浮动结引入片状P沟道的碳化硅功率器件-CN202310666001.9在审
发明人：袁昊;李靖域;赵昊月;宋庆文;汤晓燕;张玉明;何晓宁 -专利权人：西安电子科技大学;陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种配合浮动结引入片状P沟道的碳化硅功率器件，包括：N型碳化硅衬底、叠加于所述N型碳化硅衬底之上的N‑外延层，以及通过对所述N‑外延层的表面进行P型掺杂形成的P型掺杂区；其中，所述P型掺杂区下方的N‑外延层形成所述碳化硅功率器件的有源漂移区；所述有源漂移区中设有多个浮动结，每个浮动结均通过片状P沟道连接所述有源漂移区上方的P型掺杂区；所述浮动结和所述片状P沟道均是在外延生长所述N‑外延层的过程中，对生长中的N‑外延层进行多次离子注入形成的。本发明提高了碳化硅浮动结功率器件的开关特性，解决了碳化硅浮动结功率器件难以应用于高频场景的问题。
一种配合浮动引入片状沟道碳化硅功率器件

[发明专利]一种终端区P掺杂宽度变化的SiC超级结终端结构-CN202211398137.8在审
发明人：袁昊;李靖域;朱权喆;宋庆文;汤晓燕;张玉明;何晓宁 -专利权人：陕西半导体先导技术中心有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种终端区P掺杂宽度变化的SiC超级结终端结构，所述SiC超级结终端结构环绕功率器件的有源区形成所述功率器件的终端区，并与所述有源区共享N+衬底；所述有源区为超级结结构或浮动结结构；所述N+衬底上方设有逐层生长形成的N‑外延区，位于所述终端区的每一层N‑外延层中均通过P‑掺杂注入形成多个同心且掺杂宽度不等的平面P‑环，各层N‑外延层的平面P‑环在所述终端区中形成多个同心、等深且厚度不等的立体P‑环，以通过各个所述立体P‑环引导所述有源区的边缘处聚集的峰值电场逐步下降。本发明提供的终端区P掺杂宽度变化的SiC超级结终端结构优化了有源区边缘处聚集的峰值电场的下降趋势，具有较高的耐压性能。
一种终端掺杂宽度变化 sic 超级结构

[发明专利]一种边缘电荷平衡的SiC超级结结构及其制备方法-CN202211152411.3在审
发明人：汤晓燕;康皓博;宋庆文;张玉明;袁昊;李靖域 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种边缘电荷平衡的SiC超级结结构及其制备方法，该SiC超级结结构，包括：N‑外延区和多个p型柱区，多个p型柱区平行间隔设置在N‑外延区内，每相邻的两个p型柱区之间的N‑外延区作为一个n型柱区，多个p型柱区和多个n型柱区交替排列形成超级结结构；其中，在靠近p型柱区的两端处形成边缘离子注入区，边缘离子注入区的掺杂浓度低于两个边缘离子注入区之间的p型柱区的掺杂浓度。本发明的边缘电荷平衡的SiC超级结结构，通过降低超级结结构中p型柱区两端的掺杂浓度，以实现单个条状浮结元胞边缘处的电荷平衡，从而改善器件的电荷平衡，提高器件的击穿电压和可靠性，同时降低了终端设计难度。
一种边缘电荷平衡 sic 超级结构及其制备方法

[发明专利]具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构及其制作方法-CN202211126917.7在审
发明人：宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;康皓博 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2022-09-16 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构及其制作方法，包括：SiC超级结结构包括若干间隔分布的P柱区和N柱区，P柱区和N柱区之间形成有PN结界面，PN结界面形成有缓冲层结构；缓冲层结构包括P柱缓冲层组和N柱缓冲层组，P柱缓冲层组邻接P柱区和N柱缓冲层组，N柱缓冲层组邻接N柱区和P柱缓冲层组；其中，P柱缓冲层组和N柱缓冲层组分别包括至少一个对应缓冲层。本发明提升了SiC超级结器件SiC超级结器件具有更好的抗荷偏特性、可靠性、高击穿电压特性。
具有梯度变化缓冲结构 sic 超级及其制作方法

1
共 9 条