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[实用新型]一种PERC太阳能电池-CN201521132007.5有效
发明人：蒋建宝;李科伟 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-08-10 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型公开一种PERC太阳能电池，其包括硅片、位于硅片上表面的正面氮化硅钝化层和银层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本实用新型在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金，形成良好的欧姆接触。
一种 perc 太阳能电池

[发明专利]一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201610272824.3有效
发明人：叶继春;曾俞衡;高平奇;韩灿;廖明墩;王丹;蔡亮 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性。
一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构-CN202110424217.5在审
发明人：王斌;戴大洲;赵晨;蒋万昌 -专利权人：山西潞安太阳能科技有限责任公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：一种适用于硅电池背面叠层膜钝化结构，按照包括制绒、扩散、正面重掺杂、臭氧化、背面去PSG、碱抛光、正面氧化、正面沉积氮化硅膜、背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜、背面激光开孔、电极印刷、高温烧结、电注入的工艺步骤进行，背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜是指首先制备多层的氮氧化硅层，然后制备多层的氮化硅层，最后再制备一层氮氧化硅层和一层氮化硅。本发明通过在电池的背面沉积氮氧化硅/氮化硅叠层钝化膜，有效的提高了氢钝化，太阳能电池的光电转换效率得到了进一步提升，同时设备不需大规模改进。
一种适用于电池背面叠层膜钝化结构

[发明专利]PERC太阳能电池及其制备方法-CN201511023431.0在审
发明人：蒋建宝;李科伟 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种PERC太阳能电池及其制备方法，其中PERC太阳能电池包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅层和银层、位于二氧化硅层上表面的正面氮化硅钝化层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本发明在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金。本发明在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层，能够有效的解决PERC太阳能电池电位诱导衰减问题。
perc 太阳能电池及其制备方法

[实用新型]PERC太阳能电池-CN201521129987.3有效
发明人：蒋建宝;李科伟 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本实用新型公开一种PERC太阳能电池，其包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅层和银层、位于二氧化硅层上表面的正面氮化硅钝化层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本实用新型在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金。本实用新型在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层，能够有效的解决PERC太阳能电池电位诱导衰减问题。
perc 太阳能电池

[实用新型]一种N型双面太阳电池-CN201621384993.8有效
发明人：张三洋;魏青竹;吴晨阳;刘晓瑞;陆俊宇;连维飞;倪志春 -专利权人：中利腾晖光伏科技有限公司
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-18 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：它包括依次层叠设置的氮化硅层、氧化铝层、硼扩散层、N型硅基底、磷扩散层以及氮化硅钝化减反射膜，所述氮化硅层、氧化铝层构成叠层的氧化铝/氮化硅钝化层，所述氧化铝/氮化硅钝化层上刻蚀形成有用于对应各副栅线电极的刻蚀槽
一种双面太阳电池

[发明专利]氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201210294388.1无效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化制备方法含有硅片太阳能电池

[实用新型]氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池-CN201220414730.2有效
发明人：范志东;赵学玲;李倩;解占壹;李永超;王涛 -专利权人：英利能源（中国）有限公司
申请日： 2012-08-16 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种氮化硅膜及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
氮化含有硅片太阳能电池

[发明专利]一种PERC太阳能电池及其制备方法-CN201511022501.0在审
发明人：蒋建宝;李科伟 -专利权人：无锡赛晶太阳能有限公司
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L31/068 文献下载
摘要：本发明公开一种PERC太阳能电池及其制备方法，其中PERC太阳能电池包括硅片、位于硅片上表面的正面氮化硅钝化层和银层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层，在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔，在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本发明在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔，孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层，然后印刷铝浆，通过烧结工艺，铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金，形成良好的欧姆接触。
一种 perc 太阳能电池及其制备方法

[发明专利]一种PERC电池背钝化结构及制备方法-CN201910553483.0在审
发明人：赵洪俊;宛正 -专利权人：阜宁苏民绿色能源科技有限公司
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明属于太阳电池领域，具体涉及一种PERC电池背钝化结构及制备方法。包括依次层叠的晶硅衬底、氧化铝层和复合氮化硅层；所述晶硅衬底为单晶或多晶硅片，为p型晶体硅片，厚度为180～200μm；所述氧化铝层为PECVD法沉积；所述复合氮化硅层包括第一氮化硅层、第二氮化硅层和第三氮化硅层；所述第一氮化硅层的厚度不大于第二氮化硅层的厚度，所述第二氮化硅层的厚度不大于第三氮化硅层的厚度。本发明提供的PERC电池背钝化结构及制备方法显著提高开路电压和短路电流，极大地提高了电池的转换效率。
氮化硅层背钝化结构氧化铝层电池衬底晶硅制备复合短路电流多晶硅片开路电压依次层叠转换效率沉积单晶硅片

[实用新型]一种双面钝化晶体硅太阳能电池-CN201922342665.1有效
发明人：赵华飞 -专利权人：浙江中晶新能源股份有限公司
申请日： 2019-12-24 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L31/0236 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种双面钝化晶体硅太阳能电池，包括晶体硅衬底、绒面结构层、氮化硅钝化层、氧化硅层、减反凹槽、电极栅线，所述晶体硅衬底的上下两侧面设置有绒面结构层，所述绒面结构层的外侧面设置有氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层，所述氮化硅钝化层外侧面设置有氧化硅层，所述氧化硅层上设置有若干减反凹槽，所述氧化硅层的外侧面设置有电极栅线。
一种双面钝化晶体太阳能电池

[发明专利]一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法-CN202010265825.1在审
发明人：赵保星;时宝;魏青竹;倪志春;连维飞;符欣 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片及其制备方法，简化了制备工艺。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。
一种基于钝化接触太阳能电池及其制备方法

[实用新型]一种基于钝化接触的太阳能电池片-CN202020490147.4有效
发明人：赵保星;时宝;魏青竹;倪志春;连维飞;符欣 -专利权人：苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2020-04-07 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于钝化接触的太阳能电池片法，其制备工艺较为简单。一种基于钝化接触的太阳能电池片，包括硅基体，所述太阳能电池片还包括：第一钝化层，其形成于所述硅基体的正面之上；第一多晶/非晶硅层，其形成于所述正面钝化层之上；第一掺杂氮化硅层，其形成于所述第一多晶/非晶硅层之上；第二钝化层，其形成于所述硅基体的背面之上；第二多晶/非晶硅层，其形成于所述第二钝化层之上；及第二掺杂氮化硅层，其形成于所述第二多晶/非晶硅层之上；其中，所述第一掺杂氮化硅层和所述第二掺杂氮化硅层中的一者为P型掺杂氮化硅层，另一者为N型掺杂氮化硅层。
一种基于钝化接触太阳能电池

[发明专利]一种TOPCon电池正面减反射膜结构及其制备方法-CN202310098350.5在审
发明人：刘新玉;李倩;李志彬 -专利权人：英利能源发展（保定）有限公司;英利能源发展有限公司
申请日： 2023-02-10 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：所述正面减反射膜包括依次沉积在氧化铝层表面上的氮化硅层、氮氧化硅层和氧化硅层；其中，所述氮化硅层由2个以上的氮化硅子层沉积而成，且各氮化硅子层的折射率自靠近所述氧化铝层的一侧向远离所述氧化铝层的方向依次递减通过氧化硅和氮化硅的配合使用，同时兼顾了场钝化和化学钝化，提高了钝化效果；氮化硅层、氮氧化硅层、氧化硅层的设计保证了正面减反射膜的减反射效果，进一步提高了电池的光电转换效率。通过结构优化，使TOPCon电池正面减反射膜兼顾了良好的钝化和减反射性能，进一步提高了电池的光电转换效率。
一种 topcon 电池正面减反射膜结构及其制备方法

[发明专利]用于薄膜晶体管的富氮氮化硅膜-CN202080061205.4在审
发明人：罗德尼·顺隆·利马;金正倍;王家锐;崔羿;任东吉;崔寿永 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-06-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式一般涉及富氮氮化硅和多个用以沉积富氮氮化硅的方法，和包含富氮氮化硅的多个晶体管和其他装置。在一个或多个实施方式中，一种钝化膜堆叠物包含氧化硅层，氧化硅层设置于工件上；和富氮氮化硅层，富氮氮化硅层设置于氧化硅层上。富氮氮化硅层具有约20原子百分比(at％)至约35at％的硅浓度、约40at％至约75at％的氮浓度和约10at％至约35at％的氢浓度。在一个或多个例子中，钝化膜堆叠物包含氧化硅层、富氮氮化硅层和第三层，第三层包含任何类型的氮化硅，例如是富氮氮化硅和/或富氢氮化硅。
用于薄膜晶体管氮化

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