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[发明专利]形成没有凹陷的沟槽隔离的方法-CN99109273.2无效
发明人：南信祐;徐俊;崔昶源;洪瑛基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 1999-06-24 - 公布日： 1999-12-29 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：提供一种形成嵌埋于半导体衬底中的沟槽隔离的方法，其中采用干法腐蚀去掉氮化物沟槽掩模，以抑制氮化物沟槽衬里的凹陷现象。干法腐蚀以相同的腐蚀速率腐蚀沟槽掩模和沟槽衬里。
形成没有凹陷沟槽隔离方法

[发明专利]形成浅沟槽隔离结构的方法和形成浅沟槽的刻蚀方法-CN200710094466.2有效
发明人：刘乒;陈海华;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种形成浅沟槽隔离结构的方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成掩膜层，所述掩膜层上形成有与浅沟槽位置对应的开口；以掩膜层为罩幕，沿开口刻蚀腐蚀阻挡层至露出垫氧化层；以掩膜层和腐蚀阻挡层为罩幕，刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽；去除掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明还提供一种形成浅沟槽的刻蚀方法。本发明在腐蚀阻挡层上形成刻蚀过程中保护腐蚀阻挡层的掩膜层，使刻蚀气体对腐蚀阻挡层不会产生影响，腐蚀阻挡层的厚度也不发生变化，从而使浅沟槽隔离结构的隔离效果提高。
形成沟槽隔离结构方法刻蚀

[发明专利]一种循环冷却的沟槽腐蚀机-CN201710877769.5在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：南通华林科纳半导体设备有限公司
申请日： 2017-09-26 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种循环冷却的沟槽腐蚀机，包括沟槽腐蚀机，所述沟槽腐蚀机的一侧固定连接有固定杆，所述固定杆远离沟槽腐蚀机的一端固定连接有冷却装置，所述冷却装置包括外壳、冷却管、冷却泵、冷却管入口和冷却管出口，所述固定杆远离沟槽腐蚀机的一端固定连接有外壳，所述外壳靠近沟槽腐蚀机一侧的上端开设有冷却管入口，所述冷却管入口内固定安装有冷却管，所述冷却管远离冷却管入口的一端固定连接有冷却泵。该循环冷却的沟槽腐蚀机，具备结构简单，使用方便，制冷效果好，腐蚀效果好等优点，解决了现有的腐蚀槽制冷是用冰块或水制冷的，冷却时间长，温度不匀，效果不佳且费时费力的问题。
一种循环冷却沟槽腐蚀

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN99108904.9有效
发明人：乔伊·吉米·瓦塔那比;马修·托马斯·赫里克;特里·格兰特·斯帕克斯;奈杰尔·格莱梅·卡夫 -专利权人：摩托罗拉公司
申请日： 1999-06-24 - 公布日： 2004-04-07 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：根据本发明的实施例，形成沟槽级介质膜(26)和通孔级介质膜(24)覆盖半导体器件的衬底(10)。用对沟槽级介质膜(26)比对通孔级介质膜(24)有更高腐蚀选择性的第一腐蚀剂在沟槽级介质膜中(26)腐蚀出通孔开口(42)。在覆盖沟槽级介质膜(26)的光刻胶层(52)内构图沟槽开口(54)。用第二腐蚀剂腐蚀通孔级介质膜(24)将通孔开口(42)延伸到通孔级介质膜(24)内。腐蚀通孔级介质膜(26)形成沟槽开口。
半导体器件形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200610119055.X有效
发明人：林竞尧;肖春光 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-04 - 公布日： 2008-06-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：在半导体基板上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层，并依次定义腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体基板，在半导体基板内形成沟槽；在沟槽内表面形成衬氧化层；采用第一高密度等离子体化学气相沉积工艺在沟槽内部以及垫氧化层侧壁和腐蚀阻挡层表面形成第一绝缘衬层；形成覆盖第一绝缘衬层并填满沟槽的隔离绝缘层；平坦化所述隔离绝缘层至曝露出腐蚀阻挡层；依次去除半导体基板上的腐蚀阻挡层和垫氧化层。本发明形成的浅沟槽隔离结构可以避免在沟槽侧壁与垫氧化层和腐蚀阻挡层的界面产生孔洞。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]包括由镶嵌工艺形成内连线的半导体器件及其制造方法-CN03143451.7无效
发明人：松原直辉;藤田和范 -专利权人：三洋电机株式会社
申请日： 2003-09-27 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L23/52 文献下载
摘要：一种包括由镶嵌工艺形成内连线的半导体器件及其制造方法，在把形成在下层内连线1上的层间电介质薄膜4腐蚀成具有小孔的形状之后，利用腐蚀抑制层5，把上层电介质薄膜6腐蚀成具有沟槽的形状。通过附加的腐蚀除去暴露在沟槽底部的腐蚀抑制层5，然后，把暴露在沟槽底部的层间电介质薄膜4向后腐蚀到预定的厚度。接着，用内连金属10填塞该小孔和沟槽。
包括镶嵌工艺形成连线半导体器件及其制造方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制作方法-CN200810201776.4有效
发明人：倪百兵;刘焕新 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2008-10-24 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底，其中半导体衬底内形成有浅沟槽；在浅沟槽内壁形成牺牲层；刻蚀腐蚀阻挡层后，刻蚀垫氧化层且去除牺牲层；在浅沟槽内壁形成衬氧化层后，向浅沟槽内填充满绝缘层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明的浅沟槽内壁平整均匀。
沟槽隔离结构制作方法

[发明专利]一种保护芯片钝化前清洗制造工艺-CN202110680388.4在审
发明人：崔文荣 -专利权人：江苏晟驰微电子有限公司
申请日： 2021-06-18 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种保护芯片钝化前清洗制造工艺，包括以下步骤：1)沟槽腐蚀前处理：将沟槽光刻完的产品放入120°烘箱20分钟；2)去除沟槽内氧化层：沟槽内的氧化层放入40℃BOE内腐蚀10分钟，冲水；3)沟槽腐蚀：用氢氟酸硝酸冰乙酸水混合酸腐蚀沟槽，沟槽深度根据产品要求作业；4)去挂边：用超声清洗去除沟槽边缘氧化层；5)硝化酸清洗；6)硫酸双氧水清洗；7)电泳玻璃：电泳玻璃粉，烧结；8)引线孔光刻；9)蒸发金属；10)金属光刻；11)测试，本发明操作方法简单，增加硝化酸清洗，沟槽腐蚀后，PN结裸漏出来，稀硝酸将硅轻微氧化形成阻挡层，阻挡层能有效阻挡外界沾污，在作业电泳前更好的保护裸漏的PN结，提升整体产出率。
一种保护芯片钝化清洗制造工艺

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200710094464.3有效
发明人：陈海华;黄怡;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底，所述腐蚀阻挡层中有贯穿腐蚀阻挡层且露出垫氧化层的开口；以腐蚀阻挡层为掩膜，沿开口刻蚀垫氧化层和半导体衬底，形成浅沟槽，其中，浅沟槽侧壁有聚合物；通入与聚合物反应的气体，去除残留聚合物；在浅沟槽内填充满绝缘氧化层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明通入与聚合物反应的气体，去除残留聚合物，对浅沟槽侧壁不产生影响，使最终形成的浅沟槽隔离结构完整。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200610116858.X有效
发明人：辜良智;魏峥颖;朱赛亚;翁健 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-09-30 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括如下步骤：在半导体基板上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层，并依次定义腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体基板，形成沟槽；在沟槽表面形成衬氧化层；形成填满沟槽并覆盖垫氧化层侧壁和腐蚀阻挡层的隔离氧化层；平坦化隔离氧化层，直至曝露出腐蚀阻挡层表面；依次去除半导体基板上的腐蚀阻挡层和垫氧化层；在半导体基板和隔离氧化层上形成旋制氧化层，填满沟槽隔离结构侧壁的凹陷；去除旋制氧化层，直至曝露出半导体基板和隔离氧化层本发明的沟槽隔离结构的形成方法避免了形成的沟槽侧壁凹陷的缺陷。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN200710039813.1有效
发明人：向阳辉;荆学珍 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-20 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种浅沟槽隔离结构的形成方法，包括下列步骤：在半导体基底上依次形成垫氧化层和腐蚀阻挡层；蚀刻腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体基底，形成浅沟槽；在浅沟槽侧壁形成衬氧化层；用次常压化学气相沉积法在浅沟槽内填充满绝缘层，所述沉积法选用比例为10/1～20/1的O₃/TEOS；退火半导体基底后，平坦化绝缘层至露出腐蚀阻挡层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。经过上述步骤，浅沟槽隔离结构中不会产生带洞的缝隙，进而不会产生漏电流及短路现象。
沟槽隔离结构形成方法

[发明专利]MOS晶体管的形成方法-CN201410603289.6在审
发明人：何有丰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-10-30 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种MOS晶体管的形成方法，先干法刻蚀栅极结构两侧的有源区形成碗状凹槽，接着采用HF酸溶液腐蚀半导体衬底后采用碱性溶液腐蚀碗状凹槽形成sigma形凹槽，其中，至少在HF酸溶液腐蚀半导体衬底前，在起隔离相邻有源区作用的浅沟槽隔离结构表面形成改性区以减弱HF酸对其的腐蚀。如此，由于改性区的存在，可以使得HF酸腐蚀半导体衬底时，避免腐蚀浅沟槽结构，进而避免浅沟槽隔离结构出现空洞或在sigma形凹槽内填入压应力材料或拉应力材料以形成源漏区时，还在腐蚀去除的浅沟槽结构处形成导电的源漏区填入材料，最终改善浅沟槽隔离结构的绝缘性，避免制作的相邻MOS晶体管之间出现信号相互干扰现象。
mos 晶体管形成方法

[发明专利]一种硅片沟槽开槽方法-CN201710615645.X在审
发明人：王晓捧;王彦君;孙晨光;徐长坡;陈澄;武卫;梁效峰;王宏宇;杨玉聪;史丽萍;徐艳超;陈亚彬 -专利权人：天津环鑫科技发展有限公司
申请日： 2017-07-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：一种硅片沟槽开槽方法，步骤包括：印刷保护层、激光开槽、腐蚀、去除表面保护层、清洗、烘干。本发明相较于原工艺的有益效果是采用先激光开槽再沟槽腐蚀的沟槽制作方式，可以防止因腐蚀时间长导致硅片表面保护层脱落，大大缩短沟槽制作的时间，确保保护层与硅片表面的粘附性，避免保护层脱落的不良现象。
保护层硅片表面激光开槽硅片开槽腐蚀表面保护层印刷保护层不良现象沟槽腐蚀粘附性烘干去除制作清洗

[实用新型]表面防腐蚀的回转支承-CN201821495531.2有效
发明人：黄厚平 -专利权人：南京回转支承机械有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： F16C19/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种表面防腐蚀的回转支承，应用在回转支承领域，解决了现有技术中公布的回转支承耐腐蚀性能较差、容易被腐蚀的技术问题，其技术方案要点是：包括内圈、外圈；内圈的外侧壁上设有环状的内沟槽，所述外圈的内侧壁上设有环状的外沟槽，所述内沟槽和所述外沟槽之间设有钢球；所述外沟槽包括承载弧面和抵接弧面，所述承载弧面朝向所述内圈的方向延伸超过所述钢球的球心；所述内圈和所述外圈之间设有密封圈；所述内圈和外圈的表面均设有锌膜；具有的技术效果是回转支承的表面设有防腐层，可以较好的防止回转支承的表被腐蚀；并且内圈与外圈之间设有密封圈，较好的避免回转支承表面及内部沟槽、钢球被腐蚀。
回转支承内圈外沟槽钢球密封圈承载弧面防腐蚀内沟槽腐蚀球心技术方案要点本实用新型耐腐蚀性能方向延伸防止回转技术效果防腐层内侧壁外侧壁抵接弧面锌膜支承应用

[发明专利]零层对准标记及制作方法-CN200710171089.8无效
发明人：肖德元;刘永 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种零层对准标记的制作方法，包括：提供依次带有垫氧化层、腐蚀阻挡层和光刻胶层的半导体衬底；在光刻胶层上定义出零层对准标记图形和浅沟槽图形；以光刻胶层为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层、垫氧化层和半导体衬底，形成零层对准标记沟槽和浅沟槽；去除光刻胶层后，在零层对准标记沟槽和浅沟槽内壁形成衬氧化层；在零层对准标记沟槽和浅沟槽内填充满绝缘介质层，形成零层对准标记和浅沟槽隔离结构；去除腐蚀阻挡层。
对准标记制作方法

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