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[外观设计]穿层钻孔气渣分离器-CN202030758383.5有效
发明人：文光才;赵旭生;邹云龙;孙东玲;康建宁;陈金华;邓敢博;孙锐;刘文杰;隆清明;刘延保;代元杰;钟川;陈德敏;牟景珊;彭涛;黄雨;周鹏;王光锦;郭小良;黄旭;何红梅;张雨晴;樊梦 -专利权人：中煤科工集团重庆研究院有限公司
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： 15-99 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：穿层钻孔气渣分离器。2.本外观设计产品的用途：用于矿井钻孔中的气渣分离。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
钻孔分离器

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201510514775.5有效
发明人：梁荣成;崔正薰;金忠义 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：公开了一种太阳能电池，并且该太阳能电池包括：半导体基板；隧穿层，该隧穿层在半导体基板的表面上；缓冲层，该缓冲层在隧穿层上，其中，缓冲层是与隧穿层分开的层并且包括本征缓冲部，并且其中，缓冲层的材料、成分和晶体结构中的至少一项与隧穿层的不同；导电类型区域，该导电类型区域在隧穿层上，并且包括具有第一导电类型的第一导电类型区域和具有第二导电类型的第二导电类型区域；以及电极，该电极连接到导电类型区域。该缓冲层定位成与隧穿层相邻并且与电极分开。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]减少阻障层电阻面积(RA)的产品与磁性装置应用的垂直磁性各向异性(PMA)的保护-CN201580032651.1有效
发明人：刘焕龙;朱健;皮克宇;童儒颖 -专利权人：海德威科技公司
申请日： 2015-01-29 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：一种形成具穿隧阻障层的磁性隧穿接合，其公开具有高穿隧磁阻比与低电阻面积值，本方法于邻接穿隧阻障层上下表面的上、下磁性层保留垂直磁性各向异性；其关键特征在于第一镁金属层沉积于下磁性层后采用的最大氧气压力为10‑5托尔的被动氧化程序，第一镁金属层的下半部份(21)仍维持未氧化状态，来保护下磁性层于接续完成穿隧阻障层与磁性隧穿接合的氧化或退火步骤的实质氧化，最上层镁金属层可作为穿隧阻障层于沉积上磁性层前的最上层
减少阻障电阻面积 ra 产品磁性装置应用垂直各向异性 pma 保护

[实用新型]一种预制烟道-CN201720334987.X有效
发明人：曾颖 -专利权人：安徽筑诚环保节能新型建材有限责任公司
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： E04F17/02 文献下载
摘要：现有的烟道的密封和固定效果不好，本实用新型提供一种预制烟道，包括直筒段和穿层段；直筒段由一体成型的管状本体和连接插头组成，连接插头设于管状本体的下口；穿层段由穿层管、插头以及外凸挡块组成；外凸挡块位于穿层管中部并顺着穿层管外圈表面向外突出形成一个环状的凸起结构；穿层管下半部分开有一个通风口，穿层管的下口设有一个管插头；穿层管、外凸挡块以及管插头为一体成型的整体结构；直筒段之间通过连接插头首尾插接；穿层段连接在两个直筒段之间，穿层段的上口套在一个直筒段的连接插头上，穿层段下口的管插头插在另一个直筒段的上口内。
一种预制烟道

[发明专利]PIP电容器-CN202111397143.7在审
发明人：王帆;钟朝枫;于鹏;方明海;周玲;刘棋;吴龙;陈畅 -专利权人：武汉新芯集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L29/788 文献下载
摘要：本发明提供了一种PIP电容器，包括：衬底；栅极结构，包括自下向上形成于所述衬底上的隧穿氧化层、浮栅层、栅间介质层和控制栅层，所述浮栅层、所述栅间介质层和所述控制栅层构成栅间介质层电容，所述浮栅层、所述隧穿氧化层和所述衬底构成隧穿氧化层电容；耗尽层，在工作状态下形成于所述隧穿氧化层下方的衬底顶部，所述浮栅层、所述隧穿氧化层、所述耗尽层和所述衬底构成耗尽层电容，所述耗尽层电容与所述隧穿氧化层电容串联之后与所述栅间介质层电容并联。
pip 电容器

[发明专利]一种背接触太阳能电池及其制作方法-CN202310217369.7在审
发明人：丰明璋;叶巨洋;蔡永梅;何胜;徐伟智;黄海燕 -专利权人：正泰新能科技有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本申请涉及光伏领域，公开了一种背接触太阳能电池及其制作方法，包括：硅片的背面具有间隔分布的第一区域和第二区域，在位于硅片背面第一区域的隧穿层中形成多孔点阵；在隧穿层背离硅片的表面形成掺杂型多晶硅层，掺杂型多晶硅层中掺杂浓度在远离隧穿层的方向上逐渐减小本申请在隧穿层中形成许多孔，从而在隧穿层形成载流子隧穿通道，同时掺杂多晶硅层中的掺杂原子会在隧穿层的表面形成原子层级的“针孔”，使得隧穿接触电阻小。掺杂多晶硅层中接触隧穿层的区域掺杂浓度最高，与隧穿层共同形成更高的非对称偏移势垒层，允许多数载流子通过，少数载流子不通过，即使得多数载流子的收集更加均匀和畅通，提升钝化效果，进而提升电池的效率。
一种接触太阳能电池及其制作方法

[发明专利]芳纶W型防穿撕输送带-CN200910144025.8无效
发明人：周海林;周国荣;赵恺 -专利权人：张家港市华申工业橡塑制品有限公司
申请日： 2009-07-03 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： B65G15/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种芳纶W型防穿撕输送带，包括：上覆盖耐磨层和下覆盖耐磨层，在所述的上覆盖耐磨层和下覆盖耐磨层之间从上至下依次设置有芳纶上W型网防穿撕层、涤芳浸胶帆布层和芳纶下W型网防穿撕层，在上覆盖耐磨层、芳纶上W型网防穿撕层、涤芳浸胶帆布层、芳纶下W型网防穿撕层和下覆盖耐磨层的两端上分别设置有边胶骨架保护层。其优点是：这种结构的芳纶W型防穿撕输送带，耐磨层与涤芳浸胶帆布层之间的粘合内聚强度较高，在使用过程中输送带不容易出现穿撕现象，使用寿命长，使用更加方便，提高了生产效率。
芳纶型防穿撕输送带

[发明专利]叠穿用补充衣以及叠穿衣服群-CN201310015053.6无效
发明人：金山洋太郎 -专利权人：法恩翠克股份有限公司
申请日： 2013-01-10 - 公布日： 2013-07-17 - 主分类号： A41D13/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供叠穿用补充衣，在5层的叠穿结构上进一步叠穿，可以补充外侧2层的衣服功能。该在5层的叠穿结构上进一步叠穿的补充衣，具有在5层的叠穿结构中的最外层的外侧衣5的紧贴内侧穿着的第1补充衣10，形成6层的叠穿结构。进一步，具有在前述外侧衣5的紧贴外侧穿着的第2补充衣20，形成7层的叠穿结构。
叠穿用补充以及穿衣服

[发明专利]磁性隧穿接合元件制程/前图案化的晶种层的整合方法-CN201880023888.7在审
发明人：杰斯明·哈克;锺汤姆;滕忠健;沈冬娜 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-03-07 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：描述一种蚀刻磁性隧穿接合(MTJ)结构的方法。在基底(10)上提供底电极层(12)。在底电极层上沉积晶种层(16)。图案化晶种层和底电极层。于图案化的晶种层和底电极层上方沉积介电层，并将其平坦化，其中露出晶种层。其后，在图案化的晶种层上沉积磁性隧穿接合层的堆叠(30)，包括扎钉层(18)、隧穿阻障层(20)、和自由层(22)。接着，图案化磁性隧穿接合堆叠，以形成磁性隧穿接合元件。因为在磁性隧穿接合图案化的步骤之前，图案化晶种层，元件暴露于蚀刻等离子体气体的时间缩短，而因此最小化蚀刻的损害。
晶种层图案化隧穿底电极层蚀刻接合堆叠沉积等离子体气体沉积介电层接合元件时间缩短接合层平坦化扎钉层自由层阻障层最小化基底暴露损害

[实用新型]一种隔离扎带总成-CN201921033650.0有效
发明人：杨小见;翟金祥 -专利权人：东风商用车有限公司
申请日： 2019-07-04 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： B60R16/02 文献下载
摘要：一种隔离扎带总成，包括扎带、锁头与隔离块，所述扎带的固定端与锁头的外部相连接，隔离块包括由上至下依次连接的上穿层、中间层、下穿层，所述上穿层、下穿层的内部分别开设有上穿经腔、下穿经腔，所述扎带的活动端依次穿经下穿经腔、上穿经腔、锁止腔后延伸至锁头的外部。
一种隔离总成

[发明专利]一种适用于穿层柱计算的模拟方法、系统及存储介质-CN202010553779.5有效
发明人：林超伟;王兴法;方飞虎;王亚杰;吴昀泽;高义奇;刘红星;沈忠伟;冯若楠;余泽宇 -专利权人：深圳市柏涛蓝森国际建筑设计有限公司
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于穿层柱计算的模拟方法、系统及存储介质，本方法包括建立第i层结构，第i层结构不包含穿层柱构件，激活第i层结构，施加荷载；依次建立第i+j层结构，第i+j层结构不包含穿层柱构件，激活第i+j层结构，施加荷载，直至建立第i+n层结构，第i+n层结构包含穿层柱构件，将穿层柱构件的下节点坐标修改为第i层的下节点坐标，激活第i+n层结构，施加荷载，输出模拟结果以作为模拟结果。本发明的方法中模拟的穿层柱仅对第i+n层的刚度与抗剪承载力有贡献，而对第i～(i+n‑1)层都没有贡献，操作简单，方便实用，可应用于多层、高层或超高层及各类复杂结构的穿层柱模拟，应用范围广。
一种适用于穿层柱计算模拟方法系统存储介质

[发明专利]用于穿硅通路金属化的粘合层-CN201410395895.3有效
发明人：阿尔图尔·科利奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2014-08-13 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及用于穿硅通路金属化的粘合层。为了实现上述目的并且本发明目的，提供了一种用于在硅晶片中形成铜填充穿硅通路特征的方法。在硅上蚀刻穿硅通路。在穿硅通路内形成绝缘层。在穿硅通路内形成阻挡层。在阻挡层上沉积无氧硅、锗、硅锗粘合层。在粘合层上沉积种子层，然后晶片经过退火。用铜和铜合金填满特征。使堆层退火。
用于通路金属化粘合

[发明专利]磁穿隧接面及三维磁穿隧接面数组-CN201610805752.4有效
发明人：林育中 -专利权人：林育中
申请日： 2016-09-07 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L43/02 文献下载
摘要：一种磁穿隧接面单元具有一第一电极，第一电极具有沿着实质上垂直于一基板之一主动表面之一方向延伸的一轴向。该磁穿隧接面单元更具有一固定层、一U形自由层、夹置于该固定层与该U形自由层之间的一穿隧层、及嵌于该U形自由层中的一第二电极。设于该第一电极与该第二电极之间的该固定层、该穿隧层、及该U形自由层构成一磁穿隧接面。该穿隧层亦可为U形。
磁穿隧接面三维数组

[发明专利]磁性隧穿结器件及其制作方法-CN201811495874.3在审
发明人：刘强;俞文杰;陈治西;刘晨鹤;任青华;赵兰天;王曦 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-12-07 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明提供一种磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上，且与MOS管的漏极连接；第一金属过渡层，形成于第一金属连接层上；固定磁层，形成于第一金属过渡层上；隧穿层，形成于固定磁层；自由磁层，形成于隧穿层上；第二金属过渡层，形成于自由磁层上；第二金属连接层，形成于第二金属过渡层上。本发明在制作完隧穿层之后，采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层，相比于溅射工艺来说，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明可以将磁性隧穿结器件直接制备于传统的硅基CMOS电路上，也可制备在柔性衬底电路上，减小了器件制备成本，扩大了其应用范围。
磁性隧穿结器件及其制作方法

[实用新型]一种TOPcon电池-CN202120404153.8有效
发明人：于琨;刘长明;张昕宇;金浩;高贝贝 -专利权人：浙江晶科能源有限公司;晶科能源股份有限公司
申请日： 2021-02-23 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本实用新型属于太阳能电池技术领域，提供了一种TOPcon电池，包括P型硅基底，所述P型硅基底的正面依次包括层叠隧穿层、多晶硅层和氮化硅层；所述层叠隧穿层包括层叠设置的下述膜层中的一种或几种：氧化铝层、氧化铪层、氧化硅层、碳化硅层或氮化硅层、氮氧化硅；所述层叠隧穿层的总厚度为1.2～1.8nm，所述层叠隧穿层中靠近所述P型硅基底的膜层的厚度为0.4～1.2nm。本实用新型所提供的技术方案，通过在P型TOPcon电池的正面设置由特定的复合膜层组成的层叠隧穿层，并优化层叠隧穿层的总厚度以及层叠隧穿层中靠近P型硅基底的膜层的厚度，从而减小电池填充和开压波动，提高电池效率集中度
一种 topcon 电池