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[发明专利]一种高迁移率衬底结构及其制备方法-CN201010578522.1有效
发明人：孙兵;刘洪刚 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：该衬底结构包括单晶硅衬底、缓冲层、势垒层、铟镓砷单晶层、阻挡层和锗单晶层。所述缓冲层置于所述单晶硅衬底之上，所述势垒层置于所述缓冲层之上，所述铟镓砷单晶层置于所述势垒层之上，所述阻挡层置于所述铟镓砷单晶层之上，所述锗单晶层置于所述阻挡层之上。可以利用本发明，实现硅基衬底上高迁移率铟镓砷和锗结合的CMOS器件，或者在铟镓砷单晶层和锗单晶层上制备其它高迁移率半导体器件，该衬底结构还可以制备硅基器件以及用势垒层制备光电器件等，有利于实现多元半导体器件的单片集成
一种迁移率衬底结构及其制备方法

[实用新型]一种硅基铟砷量子点结构-CN202220814398.2有效
发明人：韩付海;隋军;李林;梁炳寅;余朝晃 -专利权人：中科鑫通微电子技术（北京）有限公司
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本实用新型涉及光电技术领域，具体涉及一种硅基铟砷量子点结构。硅基铟砷量子点结构包括硅基底，晶格缓冲层，硅基铟砷量子点功能层；所述硅基底上依次生长于有GaAs层，非掺杂In0.15Ga0.85硅基铟砷量子点结构可制作量子点激光器，也可制作雪崩光电二极管，方便在Si晶圆上同时集成激光器和探测器。
一种硅基铟砷量子结构

[发明专利]基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法-CN202011286959.8在审
发明人：陈思铭;唐明初;廖梦雅 -专利权人：湖南汇思光电科技有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明具体公开了一种基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓层生长方法，所述方法包括以下步骤：S1、将硅衬底送入MBE腔中去除其表面氧化层；S2、在去除表面氧化层的硅衬底上生长一层第一外延层并退火；S3、通过步骤S2的退火后进行砷化铟纳米点生长；S4、通过步骤S3的砷化铟纳米点生长后再生长一层第二外延层并再次退火；S5、通过步骤S4的再次退火后并生长一层砷化镓缓冲层，从而获得基于纳米空洞的低穿透位错密度硅基砷化镓衬底本发明通过采用纳米尺寸的空洞极大降低了硅衬底上穿透型位错密度，能够有效避免硅衬底在后续砷化镓生长中因使用过多层数超晶格位错过滤层而导致的微裂缝问题，从而提高了硅基砷化镓衬底上器件的性能。
基于纳米空洞穿透密度硅基砷化镓层生长方法

[发明专利]基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAs PIN光电探测器-CN201110120147.0有效
发明人：盛振;仇超;甘甫烷;武爱民;杜骏杰;陈静;王曦;邹世昌 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2011-05-10 - 公布日： 2012-11-14 - 主分类号： H01L31/105 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质集成和垂直光耦合的硅基InGaAsPIN光电探测器，包括：SOI衬底；制作于SOI衬底顶层硅中的垂直耦合光栅；覆盖于垂直耦合光栅上的BCB键合层；位于BCB键合层之上的抗反射层；位于抗反射层之上的第一导电型磷化铟层；位于第一导电型磷化铟层之上的本征铟镓砷层；以及位于本征铟镓砷层之上的第二导电型磷化铟层；其中，垂直耦合光栅通过刻蚀SOI衬底的顶层硅制成，刻蚀深度为70-110nm；光栅周期为600-680nm；抗反射层的折射率介于BCB键合层与第一导电型磷化铟层之间。本发明的硅基InGaAsPIN光电探测器采用粘合性键合工艺将InP/InGaAs/InP叠堆材料层粘合于刻蚀在SOI衬底上的光栅上，使光与InP/InGaAs/InP层实现垂直耦合，为硅基InGaAs光电探测器的具体应用提供合适的设计及优化方案
基于集成垂直耦合 ingaas pin 光电探测器

[发明专利]磷化铟基量子级联半导体激光器材料的结构及生长方法-CN200410057151.7无效
发明人：郭瑜;刘峰奇;李成明;刘俊岐;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2004-08-27 - 公布日： 2006-03-01 - 主分类号： H01S5/00 文献下载
摘要：一种磷化铟基量子级联半导体激光器材料的生长方法，包括如下生长步骤：利用分子束外延技术首先在磷化铟衬底上分别生长铟镓砷和铟铝砷层，最终得到与衬底匹配的铟镓砷和铟铝砷层中In、Ga及In、Al的束流值；然后在磷化铟衬底上生长匹配的多层铟镓砷或铟铝砷的N型掺杂台阶，得到生长磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料时各外延层所需的掺杂浓度对应的Si源炉温度；最后在磷化铟衬底上依次生长晶格匹配的下波导层、有源区、上波导层、上包层、接触层以及欧姆接触层，得到磷化铟基铟镓砷/铟铝砷量子级联激光器材料。
磷化量子级联半导体激光器材料结构生长方法

[发明专利]一种半导体结构及其制造方法-CN202010760375.3有效
发明人：亨利·H·阿达姆松;王桂磊;徐步青;杜勇;黎奔 -专利权人：广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;中国科学院微电子研究所
申请日： 2020-07-31 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，包括提供硅衬底，在硅衬底上可以外延形成缓冲层，缓冲层可以包括锗膜和/或砷化镓膜，在缓冲层上外延形成磷化铟层。这样锗膜和/或砷化镓膜可以作为硅衬底和磷化铟层之间的缓冲层，改善硅衬底和磷化铟层之间的晶格失配，减少磷化铟层中的反向畴，减少磷化铟层中的缺陷，提高基于磷化铟层的器件的性能。
一种半导体结构及其制造方法

[发明专利]无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法-CN202111630709.6在审
发明人：覃文治;刘源;谢和平;齐瑞峰;陈庆敏;田红军;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法，制备好pn结的铟镓砷盖革模式焦平面光敏阵列芯片通过金金键合与具有微透镜阵列的支撑片键合，铟镓砷盖革模式焦平面芯片p型面为公共电极，n型面电极独立且与读出电路芯片通过铟柱倒装实现互连；芯片入射光子从具有微透镜阵列的支撑片进入，通过微透镜将入射光子汇聚入铟镓砷盖革模式焦平面每个独立光敏探测区的p区，产生的脉冲信号经与n型面互连的读出电路处理后，实现单光子测距、激光三维成像。本发明可实现无串扰且可与硅基盖革模式焦平面探测器共用同类读出电路的InGaAs盖革模式焦平面光敏阵列的制作。
无串扰铟镓砷盖革模式平面探测芯片结构制作方法

[发明专利]砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管-CN201110041984.4无效
发明人：梁德春;李新坤;金鹏;王占国 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-02-22 - 公布日： 2011-07-27 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明涉及六种采用量子点材料为有源区的砷化镓基短波长超辐射发光二极管。这六种砷化镓基短波长量子点超辐射发光二极管包括砷化镓铝铟/砷化镓铝(InAlGaAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铝铟/砷化镓铝(InAlAs/AlGaAs)量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、啁啾结构砷化铟/砷化镓铝(InAs/AlGaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管、砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管和啁啾结构砷化铟/砷化镓(InAs/GaAs)亚单层量子点超辐射发光二极管。
砷化镓基短波长量子辐射发光二极管

[发明专利]一种利用热载流子增强光电效应的红外成像单元-CN201911365056.6在审
发明人：不公告发明人 -专利权人：金华伏安光电科技有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用热载流子增强光电效应的红外成像单元，包括基底层，从下到上排列第一磷化铟层、第一砷化铟镓层、第二磷化铟层、第二砷化铟镓层、第二电极层；与第一砷化铟镓层、第二磷化铟层、第二砷化铟镓层并列的硅纳米结构层，设置于硅纳米结构层上方以及第二电极层上方的多个等离激元纳米结构层；该利用热载流子增强光电效应的红外成像单元，通过利用等离激元纳米结构层在硅纳米结构上产生光热电效应，从而提高光生载流子的利用效率，在硅纳米结构中存在的由于光生热载流子的温度梯度驱动的光电响应
一种利用载流子增强光电效应红外成像单元

[发明专利]硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法-CN200910020392.7无效
发明人：李树强;徐现刚;张新;马光宇;吴小强;卢振 -专利权人：山东华光光电子有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2009-09-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底上生长的铝镓铟磷LED外延片及其制备方法，该LED外延片采用硅衬底，在硅衬底上由下至上依次包括砷化镓低温缓冲层、砷化镓高温缓冲层、DBR反射层、铝镓铟磷下限制层、多量子阱发光区、铝镓铟磷上限制层本发明解决了硅衬底和铝镓铟磷发光层之间的热膨胀系数失配问题，在硅衬底上直接外延生长外延材料，由于硅的热导率(145.7W/m.K)是砷化镓衬底热导率(44W/m.K)的3.3倍，从而可以提高其大电流工作能力
衬底生长铝镓铟磷 led 外延及其制备方法

[实用新型]硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管-CN200920021649.6无效
发明人：李树强;徐现刚;张新;马光宇;吴小强;卢振 -专利权人：山东华光光电子有限公司
申请日： 2009-04-29 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种硅衬底上外延生长的铝镓铟磷发光二极管，该发光二极管的外延结构采用硅衬底，在硅衬底上由下至上依次包括砷化镓低温缓冲层、砷化镓高温缓冲层、DBR反射层、铝镓铟磷下限制层、多量子阱发光区、铝镓铟磷上限制层、电流扩展层。本实用新型解决了硅衬底和铝镓铟磷发光层之间的热膨胀系数失配问题，在硅衬底上直接外延生长外延材料，由于硅的热导率(145.7W/m.K)是砷化镓衬底热导率(44W/m.K)的3.3倍，从而可以提高其大电流工作能力
衬底外延生长铝镓铟磷发光二极管

[发明专利]单晶硅衬底多结太阳电池-CN200910009001.1无效
发明人：索拉安吉 -专利权人：北京索拉安吉清洁能源科技有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2009-07-15 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种基于单晶硅衬底的多结太阳电池，用于太阳能发电，特别适用于高效聚光太阳能发电系统。首先在硅单晶片上生长锗硅合金过渡层，再依次外延生长锗电池结构、铟镓砷电池结构和铟镓磷电池结构。该发明以硅单晶片替代锗单晶片和砷化镓单晶片，可以大大降低多结太阳电池的成本，提高硅基太阳电池的转换效率，加快太阳能发电的应用和发展。
单晶硅衬底太阳电池

[发明专利]一种三维集成CMOS集成单元-CN201610402612.2有效
发明人：孙兵;刘洪刚;王盛凯;常虎东;龚著靖 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2019-07-16 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明属于半导体集成技术领域，具体提供一种三维集成CMOS集成单元，该三维集成CMOS集成单元采用单芯片三维集成的方式将高电子迁移率的铟镓砷沟道NMOSFET和高空穴迁移率的应变硅锗沟道PMOSFET三维集成在单晶硅衬底上，铟镓砷沟道NMOSFET和应变硅锗沟道PMOSFET的通孔互连技术可以与源漏接触的通孔互连技术工艺相同。本发明能够有效避免常规通孔硅(TSV)技术晶圆级封装技术引入的对准误差，提高CMOS集成技术的集成度，减小不同沟道器件间互连引线延迟，具有取代传统硅基CMOS器件的潜力，在后摩尔时代具有实际的应用价值。
一种三维集成 cmos 单元

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510465545.4有效
发明人：韩秋华;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域；在PMOS区域的半导体衬底上形成第一鳍部，在NMOS区域的半导体衬底上形成第二鳍部；在第一鳍部的侧壁表面形成第一硅锗层，在第二鳍部的侧壁表面形成第二硅锗层；形成覆盖第二硅锗层表面的掩膜层；对第一硅锗层进行锗凝结处理，形成锗鳍部和位于锗鳍部表面的氧化硅层；去除掩膜层和第二鳍部，在相邻的第二硅锗层之间形成空腔；在第二硅锗层的侧壁和顶部表面上形成铟铝砷层；在所述铟铝砷层的表面形成铟镓砷层；在形成铟镓砷层后，去除所述锗鳍部表面的氧化硅层。
半导体结构形成方法

[发明专利]砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构-CN200510088980.6无效
发明人：李海鸥;尹军舰;张海英;叶甜春 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2005-08-04 - 公布日： 2007-02-07 - 主分类号： H01L29/201 文献下载
摘要：一种砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构，为单片集成增强/耗尽型，其采用铟镓砷/铟铝砷/铟镓砷材料结构，在半绝缘砷化镓衬底材料上，应用缓变生长技术生长线性缓变铟铝镓砷外延层作为缓冲层，然后在缓冲层上顺序生长：铟铝砷层、铟镓砷层、铟铝砷层、平面掺杂层、铟铝砷层、铟磷层、铟铝砷层、铟镓砷层。
砷化镓基增强耗尽应变电子迁移率晶体管材料结构

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