“覃文治”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法-CN202211691595.0在审
发明人：代千;龚赤坤;覃文治;李宛励;陈庆敏;梁丕刚;舒域鑫;谢和平;潘旭;谢骞;王国胜;郝昕;周小燕;刘源;田洪军;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种铟镓砷盖革雪崩探测器的雪崩区外吸收抑制结构制备方法，基于吸收倍增分离盖革雪崩二极管结构，以铟镓砷作为吸收层材料、铟铝砷作为能带渐变材料、磷化铟作为倍增层材料，采用Zn保护环掺杂区结合凹槽扩散主结的新型PN结制备方法，缓解传统无保护环的两次扩散主结中存在的雪崩电场对雪崩区外吸收的载流子的虹吸效应，解决雪崩区内外电场控制问题，结合厚铝膜对雪崩区外的1.06μm和1.55μm波长入射光子的强吸收，有效遮蔽雪崩区外入射光，解决雪崩区外吸收载流子扩散至雪崩区问题，从光生载流子扩散路径和光子吸收路径两方面，解决雪崩区外的载流子吸收和扩散导致的光生电流发生响应拖尾的问题。
铟镓砷盖革雪崩探测器区外吸收抑制结构制备方法

[发明专利]一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构-CN202211707653.4在审
发明人：潘旭;刘绍斌;柯尊贵;陈剑;代千;覃文治;谢骞 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，包括在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层。该缓冲层结构适用于半导体衬底上制备高In组分的InGaAs红外探测器，特别是波长大于1.7μm的InxGa1‑xAs(x0.53)探测器的制备，提高了制备高In组分InGaAs探测器在衬底选择上的自由度和结构选择上的多样性。由于纺锤型缓冲层呈现上下对称的结构，所以缓冲层中的应力状态可以更有效的阻止穿透位错等缺陷往缓冲层以上的器件有源区蔓延，有望提高吸收层的结晶质量，改善器件性能。纺锤型缓冲层思想对于其他较大失配材料体系的生长同样具有借鉴意义，具有很好的通用性，减小了失配材料生长对于衬底的束缚。
一种用于 in 组分 ingaas 探测器纺锤缓冲结构

[实用新型]一种电热丝保鲜膜切割器-CN202223292720.9有效
发明人： 覃文治;覃迹棠;邓晓兰;田洪军;谢和平;刘源;陈庆敏 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-08 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： B65H35/06 文献下载
摘要：本实用新型提出一种电热丝保鲜膜切割器，包括基板、支撑脚、电池盒、定位架、背板、隔板、盒盖、盒盖把手、前导轴杆、后导轴杆、固定轴支撑板、固定轴杆卡环、固定轴杆、下压导轴杆、电热丝切割装置、发光二极管、充电插座、顶升曲柄支撑块、顶升曲柄、顶升曲柄转动轴和顶升横杆。本切割器进行具有保鲜膜切割快速、方便，操作简便、安全的特点，兼有塑料薄膜袋加热封口功能，可使用电池或外接电源进行供电，隐藏式加热丝可避免烫伤。
一种电热丝保鲜膜切割

[实用新型]一种磷化铟晶圆传递清洗盒-CN202122889714.0有效
发明人：刘源;覃文治;谢和平;齐瑞峰;陈庆敏;田红军;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-11-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体制造工艺工装领域，公开了一种磷化铟晶圆传递清洗盒，该传递清洗盒整体为长方体结构，全部采用聚四氟乙烯材料制作；传递清洗盒分为主体、上下填充挡板、前挡板三个部分，上下填充挡板为实心圆板，前挡板为实心方板；主体部分共有7层，每层结构完全相同，每一层都是由方形过渡板、晶圆凹槽、下凹槽、通孔以及前挡板卡槽构成。该传递清洗盒能够安全、方便、快捷地进行磷化铟晶圆传递、清洗，减少磷化铟晶圆在传递、清洗作业过程中发生碎裂、损伤和沾污的风险。
一种磷化铟晶圆传递清洗

[发明专利]一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法-CN202111619653.4在审
发明人：田洪军;覃文治;陈庆敏;齐瑞峰;刘源;谢和平 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体衬底上制备氮化硅薄膜的方法，该方法采用分步制备的方式，其步骤包括：一、准备干净的半导体衬底材料；二、在所述半导体衬底上制备一层满足预设Si/N含量比的富氮型氮化硅；三、在所述富氮型氮化硅上制备一层满足预设Si/N含量比的富硅型氮化硅；四、对所述氮化硅进行低温退火。本发明能够获得低应力、高硬度、耐腐蚀的氮化硅薄膜。
一种半导体衬底制备氮化薄膜方法

[发明专利]基于表面等离子体激元增强吸收的铟镓砷雪崩光电探测器-CN202111619663.8在审
发明人：陈庆敏;谢修敏;覃文治;蒋若梅;徐强;黄帅 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于表面等离子体激元的铟镓砷雪崩光电探测器，包括包括InP衬底和由下至上依次形成在InP衬底上的第一InP过渡层、第一InP接触层、InP倍增层、InP电荷层、nGaAsP能带过渡层、InGaAs光吸收层、第二InP过渡层、第二InP接触层，第二InP接触层上形成正电极和金属二维孔阵列结构，第一InP接触层上形成负电极。本发明金属二维孔阵列结构可以使得表面等离子体激元与入射光耦合，增强光吸收，由于表面等离子体激元的局域性在亚波长范围，因此设计铟镓砷雪崩光电探测器的结构时接触层和吸收区要薄，使得耦合光可以局域在吸收区附近，从而增强光吸收。
基于表面等离子体增强吸收铟镓砷雪崩光电探测器

[发明专利]无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法-CN202111630709.6在审
发明人： 覃文治;刘源;谢和平;齐瑞峰;陈庆敏;田红军;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L25/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种无串扰铟镓砷盖革模式焦平面探测芯片结构及制作方法，制备好pn结的铟镓砷盖革模式焦平面光敏阵列芯片通过金金键合与具有微透镜阵列的支撑片键合，铟镓砷盖革模式焦平面芯片p型面为公共电极，n型面电极独立且与读出电路芯片通过铟柱倒装实现互连；芯片入射光子从具有微透镜阵列的支撑片进入，通过微透镜将入射光子汇聚入铟镓砷盖革模式焦平面每个独立光敏探测区的p区，产生的脉冲信号经与n型面互连的读出电路处理后，实现单光子测距、激光三维成像。本发明可实现无串扰且可与硅基盖革模式焦平面探测器共用同类读出电路的InGaAs盖革模式焦平面光敏阵列的制作。
无串扰铟镓砷盖革模式平面探测芯片结构制作方法

[发明专利]一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法-CN201911303143.9在审
发明人： 覃文治;谢和平;陈庆敏;刘源;齐瑞峰;代千;石柱 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种预沉积扩散源制备铟镓砷光电探测器芯片的扩散方法，它涉及化合物半导体器件制造的扩散工艺。其通过磁控溅射的方式在制备有氮化硅扩散掩膜的铟镓砷外延片上预沉积上一层锌扩散源，采用等离子增强化学气相沉积设备将锌扩散源覆盖起来，在快速退火炉中进行开管高温梯度扩散，完成化合物半导体铟镓砷外延片的锌扩散工艺。本发明扩散出的铟镓砷光电探测芯片光电性能片内、片间均匀性好、重复性好，可根据快速退火炉尺寸相应扩大铟镓砷外延片尺寸，特别适合三五族化合物半导体探测器芯片的生产。
一种沉积扩散制备铟镓砷光电探测器芯片方法

[实用新型]多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片-CN201822189605.6有效
发明人： 覃文治;谢和平;石柱;代千;张伟 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片及制作方法，其包括，在同一铟镓砷外延晶片上，分布有四个光敏探测区，每个光敏探测区内由多个小单元雪崩二极管并联而成的芯片。所述芯片整体光敏面由四个方形雪崩二极管中心对称均布组成，方形APD由尺寸更小的圆形且具有相等光电特性小单元APD并联而成。四个方形光敏探测区，能对连续或低频脉冲激光信号进行坐标定位探测，方形APD光敏探测之间通过刻蚀槽和背面进光面金属膜层遮挡方式隔离四个光敏探测区，其能有效消除光敏探测区之间产生的电学、光学串扰，同时保证不会产生过大的盲区。本实用新型可实现高成品率、大面积InGaAs雪崩二极管四象限芯片的制作。
光敏雪崩二极管探测区本实用新型探测芯片四象限小单元铟镓砷并联低频脉冲激光光电探测芯片光电特性光学串扰金属膜层外延晶片中心对称坐标定位成品率光敏面进光面刻蚀槽电学均布像元相等遮挡制作背面盲区隔离保证

[发明专利]多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片-CN201811594796.2在审
发明人： 覃文治;谢和平;石柱;代千;张伟 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种多像元集成铟镓砷雪崩二极管四象限光电探测芯片及制作方法，其包括，在同一铟镓砷外延晶片上，分布有四个光敏探测区，每个光敏探测区内由多个小单元雪崩二极管并联而成的芯片。所述芯片整体光敏面由四个方形雪崩二极管中心对称均布组成，方形APD由尺寸更小的圆形且具有相等光电特性小单元APD并联而成。四个方形光敏探测区，能对连续或低频脉冲激光信号进行坐标定位探测，方形APD光敏探测之间通过刻蚀槽和背面进光面金属膜层遮挡方式隔离四个光敏探测区，其能有效消除光敏探测区之间产生的电学、光学串扰，同时保证不会产生过大的盲区。本发明可实现高成品率、大面积InGaAs雪崩二极管四象限芯片的制作。
光敏雪崩二极管探测区四象限铟镓砷光电探测芯片探测芯片小单元并联像元低频脉冲激光光电特性光学串扰金属膜层外延晶片中心对称坐标定位成品率光敏面进光面刻蚀槽电学均布相等遮挡制作背面盲区隔离保证

[发明专利]焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法-CN201611115793.7在审
发明人：谢和平;覃文治;石柱;代千;邓慧中 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种焦平面探测器铟柱等离子回流成球方法，采用氩气和氢气的等离子体对铟柱回流成球的方法。在铟柱回流过程中，利用感应耦合等离子、反应离子刻蚀或其他等离子设备完成对铟柱的回流处理。氩等离子体主要用于清洗样品和击碎铟柱表面的氧化层；氢气等离子体主要用于还原铟柱表面氧化物。该方法不需要助熔剂，方便可靠，对焦平面探测器无任何负面影响，且具有回流工艺易于控制，回流均匀性、重复性好的优势。
平面探测器等离子回流方法

[发明专利]带光子陷阱的光电探测芯片-CN201010593239.6无效
发明人：王鸥;王平秋;周红轮;郭勇;李丰;马孜;苏洁梅;何伟;石柱;钱煜;向秋澄;覃文治;李潇;刘小会;周小燕;刘从吉;柯尊贵;胡卫英 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2010-12-17 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提出的一种带光子陷阱的光电探测芯片，旨在提供一种可以解决传统直接光电探测芯片元件在吸收长度较长的波长时响应速度和量子效率的矛盾限制，实现高速和高量子效率的兼容，适合各种半导体材料的芯片，增强波长范围可以覆盖芯片全部工作波长范围的光电探测芯片。本发明通过下述技术方案予以实现：它具有光电探测元件(PD)，在所述PD芯片本体(12)上制有由反射腔体和微透镜阵列构成的光子陷阱，该光子陷阱使到达芯片表面光束经过微透镜阵列进入反射腔体，局限在芯片吸收区中反复反射，直至被完全吸收。
光子陷阱光电探测芯片

[发明专利]双层掺杂层硅基薄膜太阳电池-CN200810045753.9无效
发明人：余晨辉;余丽波;覃文治;石柱;王鸥 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2008-08-07 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： H01L31/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种双层掺杂层硅基薄膜太阳电池，在p型与n型掺杂层中，与本征层相邻较近的层的光学带隙比相邻较远的层的光学带隙大，但其带隙差值不大于0.45eV。双层掺杂层结构光学带隙的不同是按照匹配原理来排列不同材料实现，或改变同种材料的生长工艺参数对光学带隙大小进行调控来实现。根据本发明可以同时实现掺杂层与本征层界面处粒子交换作用的抑制及掺杂剂粒子与缺陷积累与分布的控制，减小了本征层内过多缺陷，同时提高太阳电池的初始光电转换效率和光照稳定性，进一步降低硅基薄膜太阳电池的生产制造成本，可应用于任何p－i－n与n－i－p结构硅基单结、叠层与多结太阳电池。
双层掺杂层硅基薄膜太阳电池

1
共 13 条