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[实用新型]一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置-CN202122968104.X有效
发明人：刘慧强;周立平;魏汝省;刘英斌;张继光;李天;王琪;李明 -专利权人：山西烁科晶体有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种原位退火可控的碳化硅单晶生长装置，属于晶体制备技术领域；包括真空炉，真空炉包括真空腔体和腔体外部的加热装置，真空炉连接有送风管道和排风管道，排风管道通过风机与风冷换热装置的进风口相连接，送风管道与风冷换热装置的出风口相连接，风冷换热装置的换热介质进出管路上设置有流量控制阀；本实用新型可以实现晶体的稳定快速退火：通过加大风冷装置的冷水流量，使冷却风的温度降低，从而给中空腔快速降温；通过调整设备冷却系统冷却风的温度、风量，同时满足晶体的生长过程的安全冷却和快速退火过程中的快速冷却。
一种原位退火可控碳化硅生长装置

[发明专利]一种碳化硅退火方法-CN202011266157.0在审
发明人：焦倩倩;朱涛;张红丹 -专利权人：全球能源互联网研究院有限公司;国家电网有限公司;国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅退火方法，包括：首先在碳化硅晶圆单侧表面制备欧姆接触金属，其次将与所述接触金属对应的一侧碳化硅晶圆放于托盘内，然后将快速退火炉的反应腔室抽真空，最后将碳化硅晶圆进行20s‑600s的快速退火且退火温度为700℃‑1200℃，退火完成后，待腔室降温后开腔取出碳化硅晶圆。本发明提供的退火方法，使退火过程中的升温速率降低为2℃/s，退火方法更为简单；同时在不影响碳化硅芯片欧姆接触质量的条件下，解决了红外辐射加热的快速退火炉退火过程中托盘碎裂问题。
一种碳化硅退火方法

[发明专利]一种Ca助剂体系YAG基透明陶瓷的制备方法-CN201710427573.6在审
发明人：张乐;周天元;邵岑;孙炳恒;高光珍;王骋;陈浩 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明提供的了一种在非退火机制下，基于少量Ca单烧结助剂体系下真空烧结制备钇铝石榴石(Y3Al5O12,YAG)基透明陶瓷的方法，在以少量Ca为单烧结助剂，采用单步真空烧结法，在不加以后期退火处理的情况下
一种 ca 助剂体系 yag 透明陶瓷制备方法

[发明专利]一种Mg助剂体系YAG基透明陶瓷的制备方法-CN201710428544.1在审
发明人：张乐;邵岑;周天元;孙炳恒;高光珍;王骋;陈浩 -专利权人：江苏师范大学
申请日： 2017-06-08 - 公布日： 2017-09-05 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明提供的了一种在非退火机制下，基于少量Mg单烧结助剂体系下真空烧结制备钇铝石榴石(Y3Al5O12,YAG)基透明陶瓷的方法，在以少量Mg为单烧结助剂，采用单步真空烧结法，在不加以后期退火处理的情况下
一种 mg 助剂体系 yag 透明陶瓷制备方法

[发明专利]一种释放超薄磁性陶瓷基板热应力的方法-CN202210774326.4在审
发明人：张烽;苏祺益;潘甲东;谢艺精;黄星凡;席子钊;骆杰煌 -专利权人：福建毫米电子有限公司
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C04B41/80 文献下载
摘要：本发明提供一种释放超薄磁性陶瓷基板热应力的方法，包括如下步骤：步骤一：通过激光切割在超薄磁性陶瓷基板上加工贯通孔；步骤二：将激光切割后的超薄磁性陶瓷基板送入退火炉内，并将退火炉内抽真空；步骤三：保持恒定的升温速率将退火炉内的温度升高至第一退火温度；步骤四：在第一退火时间内使退火炉内的温度保持第一退火温度；步骤五：保持恒定的降温速率将退火炉内的温度降低至第二退火温度：步骤六：在第二退火时间内使退火炉内的温度保持第二退火温度；步骤七：关闭所有热源，使超薄磁性陶瓷基板随退火炉自动冷却；步骤八：升压，将退火炉内的气压提升至与外界气压一致，将超薄铁氧体送出基板。
一种释放超薄磁性陶瓷基板热应力方法

[发明专利]一种镀膜机通用退火装置-CN202211284699.X在审
发明人：寇洋;张梦蝶;袁磊;杨峰;黄康 -专利权人：齐鲁中科光物理与工程技术研究院
申请日： 2022-10-17 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： C23C14/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种镀膜机通用退火装置，该退火装置包括流量控制器，气体恒温装置，气体过滤器，运动组件，温度参数控制部，加热部和气体管。本发明装置能根据不同镀膜机尺寸进行调整，安装并使用在镀膜机上，是一种能够安装于不同型号镀膜机的退火装置。利用本发明公开的退火装置进行薄膜退火，可以在镀膜工序结束后直接进行退火处理，可以避免薄膜在非真空环境中与杂质接触。该退火装置可以灵活调控气体出射位置与待退火样品的距离，气体流量和退火温度等退火条件，达到不同退火效果。结构稳定性好，安装调整灵活，不影响镀膜机正常运行。
一种镀膜通用退火装置

[发明专利]一种补温调温退火炉系统-CN201910159558.7有效
发明人：双著杰;刘智武 -专利权人：浙江天旗杯业有限公司
申请日： 2019-03-04 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C21D9/00 文献下载
摘要：本发明涉及电子电路晶体零件领域，具体为一种补温调温退火炉系统。一种补温调温退火炉系统，包括炉主体和互补调温器，所述互补调温器通过补偿通气管和炉主体连接，其中：所述互补调温器包括调温仓、冷凝抽真空管、机械抽气真空管、冷凝抽真空泵、机械抽气真空泵；调温仓通过头端的补偿通气管和炉主体连接，调温仓内设置电加热片堆，调温仓尾端接通冷凝抽真空管，冷凝抽真空管尾端向下连接冷凝抽真空泵，机械抽气真空管连接机械抽气真空泵，机械抽气真空管的进口和冷凝抽真空管相连接，补偿通气管连接通过调温仓至冷凝抽真空管接通冷凝抽真空泵形成抽真空通路
一种调温退火炉系统

[发明专利]一种具有稀磁特性锡酸钡薄膜的制备方法-CN202310467753.2在审
发明人：杜文汉;顾俨湘;陈旺泽;杨景景;杜晓娇;蒋鼎 -专利权人：常州大学
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：本发明采用磁控溅射方法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；先预溅射去除锡酸钡靶材表面的杂质，控制真空度，气体氛围调整为氩气氧气混合气，衬底温度维持室温，采用磁控溅射法在衬底上沉积锡酸钡薄膜；然后将锡酸钡薄膜样品放入退火炉中采用真空退火处理或纯氧条件退火处理方法进行退火热处理。将不同热处理条件的锡酸钡薄膜样品放入震动样品磁强计进行磁性参数测量。测出的数据表明制备的锡酸钡薄膜具备室温下的稀磁特性。
一种具有特性锡酸钡薄膜制备方法

[发明专利]白色杜美丝的生产方法-CN99115420.7无效
发明人：王继红 -专利权人：王继红
申请日： 1999-06-10 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： C25D7/06 文献下载
摘要：一种生产杜美丝的方法，包括以下步骤选取定线膨胀系数的铁镍合金棒为芯材，用三氯化乙烯进行表面清洗，然后退火，H2SO4溶液中进行阳极浸蚀，电镀镀铜，将镀铜后的铁镍合金棒进行退火，然后再进行冷拉丝加工；再将镀铜铁镍合金丝放入镀镍槽镀镍；最后将镀镍后的三金属复合丝先退火，拉制成各种规格的成品，成品再进行连续退火。采用这种工艺，镍层厚度易控制，且镍具有较好的抗氧化性，用这种产品做电真空器件、电导引线，能提高其真空气密性，延长其使用寿命。
白色杜美丝生产方法

[发明专利]冷精锻齿轮毛坯等温球化退火工艺-CN200810196496.9无效
发明人：夏汉关;赵红军;包文慧;张立平;沫桂萍;王耀祖 -专利权人：江苏太平洋精密锻造有限公司
申请日： 2008-09-10 - 公布日： 2009-02-11 - 主分类号： C21D9/32 文献下载
摘要：本发明公开一种冷精锻齿轮毛坯等温球化退火工艺，涉及金属热处理技术领域。该工艺在封闭的退火加热炉中按工艺流程依次进行，改进之处在于退火加热炉中充入高纯氮气和甲醇裂解气，加热炉前后分别设有前、后真空换气室，室内预抽真空后充入高纯氮气至大气压，主要工艺流程为：预热——升温——保温本发明用于冷精锻齿轮毛坯的等温球化退火，不仅生产成本低，生产效率高，而且确保产品无氧化无脱碳，质量优良稳定，完全达到产品技术要求。
冷精锻齿轮毛坯等温退火工艺

[发明专利]一种电子束退火制备氧化锌薄膜的方法-CN201510809773.9在审
发明人：李艳丽;孔祥东;韩立;许壮;李晓娜;张雪娜 -专利权人：中国科学院电工研究所
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2016-02-24 - 主分类号： H01L21/477 文献下载
摘要：一种电子束退火制备氧化锌薄膜的方法，采用电子束在真空中对溶胶凝胶(Sol-Gel)法制备的氧化锌前驱膜进行退火，在几分钟的退火时间内使前驱膜中的含锌有机物发生分解反应最终生成氧化锌薄膜。退火时电子束参数依据不同的退火温度要求来确定，通过精确控制电子束能量和剂量来完成不同衬底ZnO前驱膜的退火。本发明可用于大面积氧化锌功能薄膜的制备。
一种电子束退火制备氧化锌薄膜方法

[发明专利]氧化镓光电探测器的制备方法-CN202210441409.1在审
发明人：赵晓龙;马晓兰;吴咏慧;候小虎;徐光伟;龙世兵 -专利权人：中国科学技术大学
申请日： 2022-04-25 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镓光电探测器的制备方法，包括：对衬底进行预处理；利用真空沉积法在衬底上形成氧化镓薄膜；将氧化镓薄膜进行预退火处理，提高氧化镓薄膜的结晶度；将预退火处理后的氧化镓薄膜在含氢氛围内进行退火处理，钝化氧化镓薄膜的晶体缺陷；在退火处理后的氧化镓薄膜上形成电极。通过预退火处理和退火处理能在保证光响应度的前提下明显提升氧化镓光电探测器的响应速度。
氧化光电探测器制备方法

[发明专利]原位多晶薄膜生长的方法-CN200610080203.1无效
发明人：金汉基;金明洙;许明洙;郑锡宪;姜熙哲 -专利权人：三星SDI株式会社
申请日： 2006-05-11 - 公布日： 2006-11-15 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：不需要后续的退火或脱氢工艺。该方法包括排尽室内气体以形成真空室，然后净化真空室并引入催化剂。然后在真空室内放置基底，并将反应气体注射到室中。在真空室内反应气体与催化剂反应以在基底上生长多晶薄膜。本发明的方法缩短了工艺时间并降低了生产成本，并且，由于省去了笨重的退火设备，本发明可用于制造更大的器件。
原位多晶薄膜生长方法

[发明专利]一种单体抗直流分量磁芯的制做方法-CN201910168379.X在审
发明人：李伟;李雪;闫晓茹;纪付江;李宝彪;孙利军 -专利权人：天津奥纳富霖科技有限公司
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： H01F41/02 文献下载
摘要：选用非晶钴基非晶材料，厚度在23um至26um的合金材料；把真空退火炉温度升到预设温度300度；把绕制好的磁芯放进步骤三中的真空退火炉内进行退火处理；用仪表控制退火的温度，从300度开始，并利用80分钟将温度升到350度，再保温70分钟使磁芯部分晶化，全部过程不开真空泵使磁芯氧化处理，保温结束后取出磁芯进行快速降温至室温；采用上述技术方案后，本发明有益效果为：其制作工艺简单，效率高，生产周期短速度快，不但解决了磁芯导磁率线性问题
磁芯抗直流分量保温生产周期退火真空退火炉非晶材料合金材料快速降温退火处理线性问题氧化处理仪表控制真空退火制作工艺导磁率真空泵非晶晶化炉温绕制预设钴基取出制作

[发明专利]一种防止零件真空退火时效热处理时氧化的方法-CN202310781745.5在审
发明人：漆诚;王义良;彭亮亮;吕晨;熊路兰;吕晓雷;陈韦;吴宁;王琴;向勇;魏娜;李彩虹;张海盟;廖可;李旭勇;曾莉;文彬;毛萍萍 -专利权人：江西洪都航空工业集团有限责任公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C21D1/26 文献下载
摘要：本发明涉及一种防止零件真空退火时效热处理时氧化的方法，属于金属材料热处理技术领域。一种防止零件真空退火时效热处理时氧化的方法，包括以下步骤：步骤1：将零件、工装和金属屑用丙酮清洗干净并晾干；步骤2：将零件用金属屑包裹后放入工装中；步骤3：将使用金属屑包覆后的零件放置在加热设备的有效工作区内，按照材料的工艺参数进行退火时效热处理。本发明具有如下优点：1、在降低设备、气体纯度等热处理要求的情况下，可生产出符合要求的零件；2、解决了现有零件在真空退火时效热处理过程中易出现氧化变色的问题；3、该方法操作简单可靠，对操作工人要求低，并且充分利用零件机加过程中产生的金属屑
一种防止零件真空退火时效热处理氧化方法