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[发明专利]一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法-CN202210730245.4在审
发明人：王少青;刘祥泰;王海安;程妮妮;陈海峰 -专利权人：西安邮电大学
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/467 文献下载
摘要：本发明涉及一种图形化氧化镓的方法，具体涉及一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，本发明提供了一种湿法刻蚀图形化氧化镓的方法，包括如下步骤：S1，制备氧化镓层；S2，制备光刻胶掩膜图形层；S3，制备铝金属层；S4，形成图形化的金属铝掩膜层；S5，制备二氧化硅掩膜层；S6，制备得到图形化的二氧化硅掩膜层；S7，湿法刻蚀氧化镓层；S8，湿法刻蚀去除二氧化硅掩膜层。本发明解决了目前氧化镓的湿法刻蚀中存在掩膜层二氧化硅湿法刻蚀速率快、不易控制的技术问题以及采用二氧化硅干法刻蚀成本高的问题，本发明利用金属铝刻蚀完成二氧化硅图形化，大大降低了湿法刻蚀图形化氧化镓额工艺成本
一种湿法刻蚀图形氧化方法

[发明专利]用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物-CN201010298055.7有效
发明人：林廷训;金大玹;宇昌震;朴成焕 -专利权人：韩国泰科诺赛美材料株式会社
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： C09K13/08 文献下载
摘要：本发明提供用于以高蚀刻速率选择性地去除二氧化硅的蚀刻组合物，更具体而言，该用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物包含1至40重量％的氟化氢(HF)、5至40重量％的氟化氢铵(NH4HF2)以及水，并进一步包含表面活性剂以提高二氧化硅和氮化硅膜的选择性因为该用于湿法蚀刻二氧化硅的组合物具有高的二氧化硅相对于氮化硅膜的蚀刻选择性，所以其可用于选择性去除二氧化硅。
用于湿法蚀刻二氧化硅组合

[发明专利]浅沟槽隔离结构的制备方法-CN202211276822.3有效
发明人：欧阳文森;王胜林 -专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请提供了一种浅沟槽隔离结构的制备方法，包括如下步骤：提供一半导体衬底；形成图形化的氮化硅层，通过干法刻蚀形成浅沟槽；在浅沟槽中形成二氧化硅隔离结构，其上表面与半导体衬底上表面的高度差形成第一阶梯高度；通过第一氮化硅湿法刻蚀去除部分氮化硅层和二氧化硅隔离结构，剩余二氧化硅隔离结构上表面与半导体衬底上表面的高度差形成第二阶梯高度，第二阶梯高度小于第一阶梯高度；通过第二氮化硅湿法刻蚀去除剩余氮化硅层，其对于二氧化硅刻蚀速率为本申请通过引入两步不同的湿法刻蚀控制氮化硅层湿法刻蚀过程中对于浅沟槽隔离结构中二氧化硅层的刻蚀量，从而精确控制浅沟槽隔离结构的阶梯高度大小。
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法-CN200410035089.1无效
发明人：李俊峰;杨荣;李力南;扈焕章;蒋浩杰;白国斌;钱鹤 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于提高硅集成电感品质因数的局部介质增厚方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：淀积二氧化硅/氮化硅/二氧化硅三层复合介质；步骤2：光刻胶保护螺旋电感区域，暴露螺旋电感平面以外的区域；步骤3：湿法腐蚀顶层二氧化硅，干法刻蚀氮化硅及底层二氧化硅；步骤4：去胶清洗。
用于提高集成电感品质因数局部介质方法

[发明专利]嵌入式锗硅外延层的制造方法-CN202010466192.0有效
发明人：李中华;李润领 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：形成第一二氧化硅层和第二氮化硅层。自对准形成PMOS的凹槽，包括：进行以第一二氧化硅层为停止层的第一次氮化硅刻蚀；进行二氧化硅刻蚀；自对准刻蚀形成凹槽；使凹槽的形状为Σ型。形成嵌入式锗硅外延层。进行介质剥离，包括：进行磷酸湿法刻蚀；形成第三二氧化硅层和第四氮化硅层；进行氮化硅等离子刻蚀；进行氢氟酸湿法刻蚀；进行磷酸湿法刻蚀；去除剩余的第三二氧化硅层和第一二氧化硅层。
嵌入式外延制造方法

[发明专利]湿法研磨纳米级二氧化硅制备方法-CN201310446370.3有效
发明人：林峰;徐浩 -专利权人：上海冠旗电子新材料股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：一种湿法研磨纳米级二氧化硅制备方法，制备过程分成三个研磨阶段进行，每阶段研磨利用研磨机和循环桶进行循环研磨直到完成目标进入下一阶段研磨，具体包括以下步骤，二氧化硅粉体原料、水、分散剂混合后进行搅拌，混合均匀成为二氧化硅浆料；二氧化硅浆料由一阶段研磨机进行循环研磨直到其中二氧化硅颗粒的粒径达到1.5微米D50标准成为初级二氧化硅料；二阶段研磨机进行循环研磨直到其中二氧化硅颗粒的粒径达到500纳米D50标准成为次级二氧化硅料；三阶段研磨机进行循环研磨直到其中二氧化硅颗粒的粒径达到10纳米D90标准成为最终二氧化硅料。本发明通过三个阶段最终将二氧化硅粉体原料研磨成为纳米级二氧化硅，大大提高了最终成品的质量。
湿法研磨纳米二氧化硅制备方法

[发明专利]一种二氧化硅和石墨烯复合粉体材料及其制备方法和应用-CN202011503575.7有效
发明人：张乾;张玉德;王春雷 -专利权人：无锡菲勒高性能材料有限公司
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：本发明公开了一种二氧化硅和石墨烯复合粉体材料及其制备方法和应用；所述二氧化硅和石墨烯复合粉体材料中，二氧化硅是球形纳米颗粒，石墨烯以单层和寡层的形式包裹在纳米二氧化硅表面。本发明以白炭黑类二氧化硅和石墨粉为原料，首先制得表面有机改性二氧化硅，然后将改性二氧化硅和石墨粉，一起进行湿法研磨,以二氧化硅为研磨介质，通过机械研磨作用使石墨发生片层剥离形成石墨烯，同时负载包覆在二氧化硅表面，并通过有机改性剂形成牢固结合，再经固液分离、干燥得到二氧化硅和石墨烯复合材料。
一种二氧化硅石墨复合材料及其制备方法应用

[发明专利]一种高分散二氧化硅的制备方法-CN202010159663.3在审
发明人：张起森;游昌贵 -专利权人：福建省三明巨丰化工有限公司
申请日： 2020-03-10 - 公布日： 2020-05-26 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明公开了二氧化硅制备方法技术领域的一种高分散二氧化硅的制备方法，包括水玻璃的配制和化学合成，在二氧化硅合成反应中，利用氧化聚乙烯蜡先对配制的水玻璃溶液进行改性，将硫酸经雾化后形成无数细小的液滴，并直接与水玻璃溶液混合，保持较高压的条件，水玻璃停止加入后，改用较大的酸流率进行快速过酸，将反应得到的稀浆料过滤、洗涤得到滤饼，滤饼经打浆得到的二氧化硅浓浆，利用聚乙二醇对其进行改性，进行湿法超细研磨后，对物料进行喷雾干燥即可得到二氧化硅产品，本发明提供了一种高分散二氧化硅的制备方法，能够有效阻二氧化硅粒子之间紧密团聚，降低了二氧化硅粒子的聚合度，二氧化硅粒子分散更加均匀。
一种分散二氧化硅制备方法

[发明专利]一种疏水性二氧化硅气凝胶粉的制备方法-CN202210057415.7有效
发明人：马毓;张航;陈哲;唐瑾晨;杨明;高殷 -专利权人：中国科学院工程热物理研究所
申请日： 2022-01-18 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： C01B33/159 文献下载
摘要：本发明提供了一种疏水性二氧化硅气凝胶粉的制备方法，包括配置聚合形态二氧化硅溶胶、水解硅氧烷溶胶；将水解硅氧烷溶胶和碱催化剂依次加入预设粘度范围的聚合形态二氧化硅溶胶中，对聚合形态二氧化硅溶胶进行第一次疏水改性获得二氧化硅凝胶颗粒；对二氧化硅凝胶颗粒老化处理；采用湿法球磨方法，通过疏水改性剂进行第二次疏水改性，获得预设粒径范围内二氧化硅细凝胶颗粒分散液；过滤获得二氧化硅细凝胶颗粒，并用置换溶剂进行置换反应，抽滤获得疏水性二氧化硅湿凝胶颗粒；常压干燥获得疏水性二氧化硅气凝胶粉。
一种疏水二氧化硅凝胶制备方法

[发明专利]监测基座温度均匀性的方法-CN201510900577.2有效
发明人：林志鑫;史红涛;肖德元 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提出了一种监测基座温度均匀性的方法，在晶圆表面形成二氧化硅，将晶圆放置在基座上进行升温，同时通入氢气，借助于氢气的还原作用与二氧化硅进行反应，改变二氧化硅薄膜的光学特性，温度越高的区域还原反应速率越快，二氧化硅薄膜的光学特性改变的越多，由此推算出温度均匀性，此外，晶圆表面形成的二氧化硅可以通过湿法刻蚀去除，解决晶圆回收问题，并且不会对反应腔室造成污染。
监测基座温度均匀方法

[发明专利]监测基座温度均匀性的方法-CN201510901208.5有效
发明人：林志鑫;史红涛 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提出了一种监测基座温度均匀性的方法，在晶圆表面形成二氧化硅，将晶圆放置在基座上进行升温，同时通入氢气，借助于氢气的还原作用与二氧化硅进行反应，减少二氧化硅薄膜厚度，温度越高的区域还原反应速率越快，二氧化硅薄膜的厚度减少的越多，由此推算出温度均匀性，此外，晶圆表面形成的二氧化硅可以通过湿法刻蚀去除，解决晶圆回收问题，并且不会对反应腔室造成污染。
监测基座温度均匀方法

[发明专利]一种纳米二氧化硅分散液的制备方法-CN202011485701.0有效
发明人：沈家锋;王益庆;邵进 -专利权人：安徽进化硅纳米材料科技有限公司
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种纳米二氧化硅分散液的制备方法，通过调节二氧化硅浆料的浓度、pH值和二氧化硅的平均粒径等条件，得到高稳定性、高品质、高固含量的纳米二氧化硅分散液。本发明所提供的纳米二氧化硅分散液的制备方法所使用的设备成熟度高、成本低，易于工业化，且制备的产品固含量高、稳定性好，可用于制备乳胶制品、湿法混炼橡胶制品、涂料、油墨、胶黏剂等。
一种纳米二氧化硅分散制备方法

[发明专利]基于湿法纺丝的壳聚糖/二氧化硅纤维的制备及应用-CN202310924634.5在审
发明人：陈呈;贾小钰;施明扬;刘兰;崔钧婷;代洪亮;王新刚;耿洪亚 -专利权人：江苏科技大学;清华大学深圳国际研究生院
申请日： 2023-07-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： D01F9/00 文献下载
摘要：本发明公开了基于湿法纺丝的壳聚糖/二氧化硅纤维制备及应用，所述方法包括：制备壳聚糖前驱体溶液、制备壳聚糖/二氧化硅前驱体溶液、制备凝固浴及制备壳聚糖/二氧化硅纤维。与现有技术相比，其优点在于：(1)所述方法能够一步法制得壳聚糖/二氧化硅纤维，具有高效、简捷、能耗低的优势；(2)所述方法制得的壳聚糖/二氧化硅纤维具有较高的断裂强度，和改善体感温度的功能；(3)将壳聚糖/二氧化硅纤维的应用领域拓展至可穿戴式的辐射冷却器，较现有材料有明显价格优势。
基于湿法纺丝聚糖二氧化硅纤维制备应用

[发明专利]一种高品质稻壳基活性炭和湿法硅酸钠联产的新工艺-CN202111033839.1在审
发明人：卢元健;方世国;余梁哥;陈卫群;欧文;周晓兰;林祥龙 -专利权人：南平元力活性炭有限公司
申请日： 2021-09-03 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： C01B33/32 文献下载
摘要：本发明提供一种高品质稻壳基活性炭和湿法硅酸钠联产的新工艺。其方法在于采用还原性气体对稻壳进行炭、活化供热；活化用水蒸汽经高温加热后与炭化料反应，通过水蒸汽热量平衡活化反应的吸热消耗，可维持在二氧化硅较低晶格化速率的温度下活化。该方法可降低物料内部二氧化硅的晶格转化速率，得到高含碳量的稻壳活化料，含碳量阻碍了二氧化硅的聚合。活化料中的二氧化硅较易提取，活化料采用低温常压梯度提取即可制取高模数硅酸钠，二氧化硅总溶出率可达95％以上。同时与石英砂湿法硅酸钠工艺相结合，解决湿法模数低的问题。本发明是一种同时实现稻壳制备高品质活性炭和湿法提取高模数硅酸钠的新工艺。
一种品质稻壳活性炭湿法硅酸钠联产新工艺

[发明专利]一种湿法腐蚀与干法刻蚀相结合图形化蓝宝石的方法-CN201110078480.X有效
发明人：张建宝;顾小云 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2011-03-30 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿法腐蚀与干法刻蚀相结合图形化蓝宝石衬底的方法。该方法具体步骤如下：在蓝宝石衬底上沉积一层二氧化硅膜；利用光刻技术在所述的二氧化硅膜上制备出带图形的光刻胶掩膜；将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形化的二氧化硅膜为掩膜，采用湿法腐蚀结合短时间干法刻蚀的方法，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；湿法腐蚀去掉二氧化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净，完成图形化蓝宝石衬底的制备。该方法采用将湿法腐蚀与干法刻蚀相结合，并通过优化相关的工艺参数，既保证了刻蚀速率，又能降低刻蚀成本，同时还能获得较好的图形精度，达到良好的刻蚀效果。
一种湿法腐蚀刻蚀相结合图形蓝宝石方法

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