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[发明专利]一种T型纳米栅的制备方法-CN201911109145.4有效
发明人：顾国栋;吕元杰;敦少博;梁士雄;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：所述制备方法包括：在基片的上表面生长氮化硅层和二氧化硅层；在二氧化硅层上涂胶，曝光，显影，将光刻图形的窗口下方的二氧化硅层刻蚀干净，直至露出氮化硅层，形成条形栅槽；利用硅化合物的腐蚀液对形成了条形栅槽的二氧化硅层和氮化硅层进行腐蚀本发明采用单层电子束曝光和湿法腐蚀、干法刻蚀等工艺相结合的方法，仅通过合理设置光刻图形的曝光剂量和湿法腐蚀时间即可制作出理想形貌的T型栅，实现了100nm以下小栅长T型纳米栅的制备，且工艺简单易行，提高了纳米
一种纳米制备方法

[发明专利]二氧化硅颗粒的制备方法-CN201110409469.7有效
发明人：竹内荣;川岛信一郎;奥野广良;吉川英昭;增田悠二;野崎骏介;钱谷优香 -专利权人：富士施乐株式会社
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C01B33/12 文献下载
摘要：一种制备二氧化硅颗粒的方法，包括：制备二氧化硅颗粒分散液，该二氧化硅颗粒分散液包含二氧化硅颗粒以及含有醇和水的溶剂；以及使超临界二氧化碳与所述二氧化硅颗粒分散液接触以除去溶剂。与不采用超临界二氧化碳除去二氧化硅颗粒分散液中的溶剂的情况相比，本发明的制备二氧化硅颗粒的方法可获得粗粉产生量少的二氧化硅颗粒。
二氧化硅颗粒制备方法

[发明专利]一种气相二氧化硅的真空绝热板及其制作方法-CN201110419308.6有效
发明人：贾蓉蓉;支崇伟 -专利权人：上海赐业新能源材料科技有限公司
申请日： 2011-12-14 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： F16L59/065 文献下载
摘要：本发明涉及一种气相二氧化硅的真空绝热板及其制作方法，包括以下原料：气相合成二氧化硅、玻璃纤维短切丝和高阻隔PET镀铝复合薄膜，所述的气相二氧化硅的比表面积为50～400m2/g，玻璃纤维短切丝的长度为3～30mm，干法制作步骤为；玻璃纤维与气相二氧化硅混合→压制成型→干燥→分切→真空封装。与现有的湿法制作的玻璃纤维芯材的真空绝热板相比，具有制作过程能耗小、成本低、制作工艺简单、导热系数低寿命长、热桥效应低等特点。
一种二氧化硅真空绝热及其制作方法

[发明专利]中空二氧化硅颗粒的制造方法-CN201880083744.0有效
发明人：神谷广幸;金贤枝;松原俊哉 -专利权人： AGC株式会社;AGC硅素技术株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：课题在于，提供一种具有致密的二氧化硅壳层的中空二氧化硅颗粒。一种中空二氧化硅颗粒的制造方法，其中，将包含水相、油相、及表面活性剂的水包油型乳液的pH设为3.0以下，在该水包油型乳液中添加第1二氧化硅原料，在碱金属离子存在下，在添加有第1二氧化硅原料的乳液中以乳液的pH为8以上的方式添加第2二氧化硅原料，得到中空二氧化硅前体分散液，由中空二氧化硅前体分散液得到中空二氧化硅前体，然后由中空二氧化硅前体得到中空二氧化硅颗粒。
中空二氧化硅颗粒制造方法

[发明专利]用于加氢处理应用的二氧化硅-氧化铝复合材料-CN202080083217.7在审
发明人： A·梁;T·J·奥拓;J·贾;焦凌;B·Q·勒;K·乔杜里;詹必增 -专利权人：雪佛龙美国公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B01J21/12 文献下载
摘要：公开了用于制备加氢处理催化剂的二氧化硅‑氧化铝基复合材料。二氧化硅‑氧化铝复合材料通常包含至少两种二氧化硅‑氧化铝，第一种是改性的第一二氧化硅‑氧化铝，而第二种是未改性或改性的第二二氧化硅‑氧化铝。所述第一二氧化硅‑氧化铝被改性以包含二氧化硅和氧化铝域以及二氧化硅‑氧化铝界面相。所述第二二氧化硅‑氧化铝也可被同时或分开改性以包含二氧化硅和氧化铝域以及二氧化硅‑氧化铝界面相。所述第一二氧化硅‑氧化铝和所述第二二氧化硅‑氧化铝在一个或多个物理和/或化学特性方面不同，如二氧化硅与氧化铝的比率、表面积、孔隙尺寸、孔隙体积、二氧化硅域尺寸或氧化铝域尺寸。
用于加氢处理应用二氧化硅氧化铝复合材料

[发明专利]浅沟槽隔离结构制备方法-CN201310530791.4无效
发明人：江润峰;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-10-30 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一浅沟槽隔离结构制备方法，包括步骤：提供半导体基底，其表面覆盖有二氧化硅层；刻蚀在半导体基底中形成沟槽；氧化所述沟槽底部及侧壁形成覆盖其表面的二氧化硅薄膜；在上述沟槽结构表面形成线性氮化硅层；在所述线性氮化硅层表面形成线性二氧化硅层；沉积二氧化硅填充层，对沟槽进行填充；退火。与现有技术相比，致密、稳定的氮化硅层的引入，能够阻止水汽或氧气分子的扩散，有效防止了高温湿法退火导致的硅损失，同时，氮化硅层的引入也可以提高退火温度，从而改善高深宽比工艺过程中的填充缝隙，以获得高质量的浅沟槽隔离结构
沟槽隔离结构制备方法

[发明专利]超薄二氧化硅钝化层的制备方法-CN201810242569.7在审
发明人：黄仕华;黄玉清;芮哲;王佳 -专利权人：浙江师范大学
申请日： 2018-03-23 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超薄二氧化硅钝化层的制备方法，该方法在对硅片进行彻底清洗后，用68%HNO3生长1~2nm厚的界面态密度低的二氧化硅膜，然后通过PECVD进行氢钝化未饱和的悬挂键，从而实现硅片的有效钝化该发明即能达到良好的钝化效果，又解决了热氧化生长二氧化硅的厚度不可控的问题，且化学湿法制备效率高，PECVD法进行氢钝化也无有毒气体的使用，较为安全。
二氧化硅钝化层氢钝化硅片制备二氧化硅膜界面态密度热氧化生长钝化效果二氧化硅有效钝化未饱和悬挂键清洗生长安全

[发明专利]二氧化硅薄膜力学特性测试用薄膜的制备方法-CN201010293704.4无效
发明人：李以贵;白万青;邓勇;陈少军;孙健 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2010-09-27 - 公布日： 2011-02-02 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种微机电系统技术领域的二氧化硅薄膜力学特性测试用薄膜的制备方法，通过在硅片上依次热氧化生长一层二氧化硅薄膜并涂布一层光刻胶，然后将掩模板置于光刻胶正上方进行曝光并显影后将掩模板的图案转移到基片上，再采用电感耦合等离子刻蚀法进行刻蚀得到方腔结构，最后采用湿法刻蚀方腔结构得到硅支柱结构支撑下的二氧化硅薄膜。
二氧化硅薄膜力学特性测试制备方法

[发明专利]一种二氧化硅浆料组合物及其制备方法和应用-CN201611184562.1有效
发明人：胡鹏;柴颂刚 -专利权人：广东生益科技股份有限公司
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： C08K9/10 文献下载
摘要：本发明提供一种二氧化硅浆料组合物及其制备方法和应用，所述二氧化硅浆料组合物包含二氧化硅微粉和有机溶剂，所述二氧化硅微粉表面包覆有纳米级二氧化硅，所述纳米级二氧化硅的原料来源为有机硅，所述纳米级二氧化硅占二氧化硅微粉总质量的采用本发明所述的二氧化硅浆料组合物制备的环氧树脂层压板，能够很好地提高填料的分散性，改善板材的流动性。并且本发明所述的二氧化硅浆料组合物的制备方法简单高效，易于工业化生产。
二氧化硅浆料纳米级二氧化硅二氧化硅微粉制备方法和应用环氧树脂层压板组合物制备表面包覆有机溶剂分散性有机硅制备

[发明专利]用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法-CN200710117617.1无效
发明人：闫发旺;高海永;张扬;李晋闽;曾一平;王国宏;张会肖 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-06-20 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种用于氮化物外延生长的图形蓝宝石衬底的制作方法，包括如下步骤：在用于氮化物外延生长的蓝宝石衬底上淀积一层二氧化硅膜；利用常规光刻技术制备出光刻图形的掩膜；利用氢氟酸+氟化氨+H₂O混合液，将光刻图形刻蚀到二氧化硅膜上；以图形二氧化硅膜作为掩膜，采用硫酸和磷酸的混合液湿法刻蚀蓝宝石衬底，将图形刻蚀到蓝宝石衬底上；利用稀氢氟酸溶液湿法腐蚀去掉残余的二氧化硅膜，并将蓝宝石衬底清洗干净
用于氮化物外延生长图形蓝宝石衬底制作方法

[发明专利]一种致密油注水开发降压增注用纳米液及其制备方法与应用-CN201510375521.X有效
发明人：戴彩丽;王世禄;李玉阳;由庆;赵明伟;高明伟;刘逸飞;方吉超;赵光;杨帅 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2015-07-01 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： C09K8/584 文献下载
摘要：该降压增注纳米液由0.1‑1％疏水纳米二氧化硅、0.3‑3％分散剂、0.2‑1％分散助剂和余量水组成。其中，疏水纳米二氧化硅粒径在12‑22nm之间，中值粒径在16‑18nm之间。疏水纳米二氧化硅是以气相纳米二氧化硅和有机硅化合物为原料，经湿法改性制得。分散剂为辛基苯基聚氧乙烯醚、聚乙二醇400、聚乙二醇600或丙三醇，分散助剂为NaOH、Na2SiO3或正丁醇。在地层水盐离子作用下，疏水纳米二氧化硅吸附在岩石表面，使岩石表面润湿反转，产生疏水滑移效应，降低水流阻力和注入压力。 1
疏水纳米二氧化硅降压增注纳米液制备致密分散助剂聚乙二醇岩石表面注水开发分散剂辛基苯基聚氧乙烯醚气相纳米二氧化硅润湿有机硅化合物环境友好湿法改性水基分散水流阻力中值粒径注入压力丙三醇地层水盐离子正丁醇反转滑移粒径吸附应用

[发明专利]一种高性能复合芯材真空绝热板及其生产方法-CN201110056371.8无效
发明人：周介明 -专利权人：苏州维艾普新材料有限公司
申请日： 2011-03-10 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： B32B9/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能复合芯材真空绝热板,包含芯材，该芯材为复合芯材，包括：湿法玻璃纤维芯材、干法玻璃纤维芯材和二氧化硅粉末；所述湿法玻璃纤维芯材位于最外层，二氧化硅粉末位于干法玻璃纤维芯材和湿法玻璃纤维芯材之间本发明将固水性很好的亲水的二氧化硅粉末与杆法玻璃纤维芯材和湿法玻璃纤维芯材复合，吸收玻璃纤维芯材中部分吸附能力较强在常压下难以释放的吸附水，延缓了真空绝热板性能的退化，延长了使用寿命，可以有效降低其应用场合的能耗
一种性能复合真空绝热及其生产方法

[实用新型]一种带有导流装置的二氧化硅表面改性和干燥装置-CN201820439587.X有效
发明人：张志建;范希周;张声河;魏宝明;叶明太 -专利权人：福建省沙县金沙白炭黑制造有限公司
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： C09C1/28 文献下载
摘要：本实用新型公开一种带有导流装置的二氧化硅表面改性和干燥装置，包括反应槽，其特点为在反应槽所安装的折流板中至少有一个折流板的侧面安装有带有上下开口的导流管，导流管的下开口位于反应槽的底部，导流管的上开口位于反应槽的上部；出料口经液泵与喷雾干燥装置的改性二氧化硅浆料进口相连接；喷雾干燥装置包括干燥塔，干燥塔的顶部设置有离心喷雾设备，干燥塔的底部为改性二氧化硅出料口，改性二氧化硅出料口连接一带脉冲的袋滤器，在干燥塔的左右两侧面设置有气流压力喷雾设备，气流压力喷雾设备包括压缩空气进口和改性二氧化硅浆料进口。本实用新型可在对二氧化硅滤饼进行打浆的同时对其进行湿法表面改性，能显著降低成本和提高生产效率。
改性二氧化硅反应槽干燥塔出料口导流管二氧化硅表面喷雾干燥装置气流压力喷雾本实用新型导流装置干燥装置浆料进口折流板改性二氧化硅滤饼离心喷雾设备压缩空气进口表面改性侧面安装顶部设置上下开口生产效率打浆袋滤器两侧面上开口下开口脉冲经液湿法

[发明专利]一种高透气、超疏水聚醚砜中空纤维膜的制备方法-CN201611130118.1在审
发明人：李颖娜;张玉忠;徐志彬;刘大成;宋长友;刘艳娟;张建生;孟丽聪;吴楠;罗望;李悦;刘昆;汪晓艳 -专利权人：唐山学院
申请日： 2016-12-09 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： B01D67/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种高透气、超疏水聚醚砜中空纤维膜的制备方法，包括(1)高透气聚醚砜中空纤维膜的制备；(2)氟化二氧化硅溶胶凝胶过滤液的制备；(3)超疏水聚醚砜中空纤维膜的制备。本发明通过干湿法选定特定的内凝固浴制备单皮层的高透气PES中空纤维膜，然后，通过溶胶凝胶法制备二氧化硅溶胶凝胶，并用含氟硅烷对二氧化硅溶胶凝胶进行修饰，制备氟化的二氧化硅溶胶凝胶过滤液，采用真空抽滤的方法将氟化的二氧化硅溶胶凝胶沉积到高透气
一种透气疏水聚醚砜中空纤维制备方法

[发明专利]一种发动机壳体碳纤维湿法缠绕用轻质高耐热环氧树脂-CN202211542435.X在审
发明人：黄驰;胡铭杰;廖俊;冯栩声;周睿;赵飞;郑磊 -专利权人：湖北航泰科技有限公司;湖北航天技术研究院总体设计所
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C08L63/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种发动机壳体碳纤维湿法缠绕用轻质高耐热环氧树脂，包括改性中空纳米二氧化硅粒子和环氧树脂，所述中空纳米二氧化硅粒子的粒径为10‑30nm，改性中空纳米二氧化硅粒子的中空孔径为5‑20nm。本发明使用高刚度的特定尺寸的二氧化硅纳米粒子与耐热环氧体系化学键合，纳米粒子的尺度协同效应能够进一步提高环氧树脂的耐热性；具体而言，从本发明的研究来看，当二氧化硅粒径小于10nm无法制成中空结构；当其粒径在
一种发动机壳体碳纤维湿法缠绕用轻质高耐热环氧树脂