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[发明专利]一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法-CN202110662034.7有效
发明人：杨尚洁;杨永峰;张万垚;李林;折宇;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻使用硬掩膜作为刻蚀阻挡层可解决湿法腐蚀的侵蚀问题，使用干法预刻蚀解决湿法腐蚀速率非线性变化的问题，可有效控制电阻图形的宽度、长度，提高电阻的精度。
一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法

[发明专利]一种矿物绝缘电缆二氧化硅瓷柱的制备方法-CN201810570595.2在审
发明人：张明;卢洋;章书周 -专利权人：博侃电气（合肥）有限公司
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C04B35/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种矿物绝缘电缆二氧化硅瓷柱的制备方法，属于电缆技术领域，包括按重量比例称取100目二氧化硅粉、140目二氧化硅粉、200目二氧化硅粉、325目二氧化硅粉以及粒经大于325目的二氧化硅粉，进行混合后得到级配二氧化硅粉；在级配二氧化硅粉中添加粘结剂，进行造粒后得到二氧化硅粒；将二氧化硅粒进行干燥处理，并将干燥处理后的二氧化硅粒进行压制处理，得到二氧化硅瓷柱坯体；将二氧化硅瓷柱坯体在烧结炉中进行烧结，得到二氧化硅瓷柱。通过优化二氧化硅颗粒度级配的方式，既保证了瓷柱的强度和稳定的密度，又有效的降低了添加剂的添加量，降低了二氧化硅瓷柱中的杂质含量。
二氧化硅二氧化硅粉瓷柱级配矿物绝缘电缆干燥处理坯体制备电缆技术领域二氧化硅颗粒强度和稳定烧结烧结炉添加量粘结剂称取粒经造粒添加剂压制优化保证

[发明专利]一种石墨烯自对准顶栅场效应晶体管器件的方法-CN201511026682.4在审
发明人：刘丽蓉 -专利权人：东莞市青麦田数码科技有限公司
申请日： 2015-12-29 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种石墨烯自对准顶栅场效应晶体管器件的方法，该方法包括：在石墨烯上沉积金属镍薄层、二氧化硅介质层；在二氧化硅介质层上制作栅槽；采用湿法腐蚀的方法腐蚀金属镍；在石墨烯上沉积栅介质，制备栅金属电极；以栅金属电极为掩膜，刻蚀二氧化硅介质层，并侧向横刻蚀二氧化硅；腐蚀金属镍，自对准沉积源漏金属形成源漏金属电极。
一种石墨对准场效应晶体管器件方法

[发明专利]一种具有防腐作用的湿式牙膏用二氧化硅及其制备方法-CN201910679956.1有效
发明人：赵国法;郑松玲;王宪伟;庹文喜;王义品 -专利权人：金三江（肇庆）硅材料股份有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： C01B33/193 文献下载
摘要：本发明属于二氧化硅制备技术领域，具体涉及一种具有防腐作用的湿式牙膏用二氧化硅及其制备方法。加入热水；S2加入硫酸溶液调节pH值，加入苯甲酸盐，同时加入硅酸钠溶液和硫酸溶液，硅酸钠溶液加完后停止加酸；S3同时加入硅酸钠溶液和硫酸溶液，硅酸钠溶液加完后停止加酸；S4加入硫酸溶液调节终点pH值，制得二氧化硅浆液；S5二氧化硅浆液经压滤洗涤后搅拌成浆状，通过湿法研磨成纳米级料浆，制得二氧化硅。本发明湿式牙膏用二氧化硅具有良好的牙膏增稠和防腐作用，可降低牙膏制作成本，简化牙膏生产工艺，具有良好的应用前景。
一种具有防腐作用牙膏二氧化硅及其制备方法

[发明专利]用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法-CN200410035088.7无效
发明人：杨荣;李俊峰;海潮和;徐秋霞;韩郑生;柴淑敏;赵玉印;周锁京;钱鹤 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2004-04-23 - 公布日： 2005-11-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于射频横向扩散场效应晶体管的自对准硅化物方法，包括如下步骤：在硅片上，多晶栅刻蚀成形后进行无掩膜的漂移区注入；用正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层二氧化硅；以光刻胶保护漂移区，回刻二氧化硅，在栅极靠近源测形成二氧化硅侧墙；源漏自对准注入并去胶；快速热退火，以消除注入损伤和激活杂质；分别以正硅酸乙酯热分解法淀积一薄层衬垫二氧化硅和低压化学气相淀积法淀积一层氮化硅；依次回刻氮化硅、二氧化硅，在二氧化硅一次侧墙基础上形成氮化硅二次侧墙；溅射一薄层钛；快速热退火，让钛与硅反应形成钛硅化物；选择性湿法腐蚀去除未反应的钛；快速热退火，让高阻态的钛硅化物转化为低阻态的钛硅化物。
用于射频横向扩散场效应晶体管对准硅化物方法

[发明专利]具有内侧墙的浅槽填充方法-CN201110398277.0有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛恺;周克然;潘嘉;李昊;王永成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-05 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有内侧墙的浅槽填充方法，将形成内侧墙的材料由非掺杂的二氧化硅改为高n型掺杂的二氧化硅，从而在刻蚀形成内侧墙时，巧妙地利用了干法反刻对高n型掺杂的二氧化硅和非掺杂的二氧化硅具有较高选择比的特点，完整保留非掺杂的二氧化硅，从而在保护了硅材料不受损伤。又将首次形成衬垫氧化层的工艺由原有的热氧化生长工艺改为淀积工艺，而将再次形成的新的衬垫氧化层由淀积工艺改为热氧化工艺。由于硅材料并未受到任何损伤，因此热氧化生长的新的衬垫氧化层具有较高的质量，对湿法腐蚀工艺的承受能力较强。最终，在形成金属硅化物的步骤中，便降低结刺穿风险以及漏电水平。
具有内侧填充方法

[发明专利]一种解决凹坑残留的浅槽隔离工艺制备方法-CN202210901510.0在审
发明人：李林;杨尚洁;杨永峰;张万垚 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-07-28 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种解决凹坑残留的浅槽隔离工艺制备方法，在0.18pumCMOS工艺平台中，浅槽隔离形成的工艺过程为：首先完成氮化硅硬掩膜刻蚀，并以氮化硅作为硬掩膜完成硅片的干法刻蚀形成浅沟槽。然后采用化学气相沉积在浅沟槽中填充二氧化硅，并采用化学机械研磨去掉多余的二氧化硅，再通过磷酸全剥去除氮化硅，形成完整的浅槽隔离。本发明在湿法清洗工艺中引入硬掩膜回刻技术后，增加了二氧化硅介质的填充宽度，可在后续的湿法全剥工艺中抵消横向刻蚀作用；通过优化多步湿法腐蚀和清洗工艺解决浅槽隔离工艺制作过程中出现的凹坑残留问题，达到平坦化刻蚀提升器件的隔离性能
一种解决残留隔离工艺制备方法

[发明专利]核壳结构二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子微珠及其制备方法-CN201310179775.5有效
发明人：孙立国;吕莉丽;赵冬梅;张艳红;汪成 -专利权人：黑龙江大学
申请日： 2013-05-15 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： B01J13/02 文献下载
摘要：核壳结构二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子微珠及其制备方法，它涉及一种金纳米粒子微珠及其制备方法。本发明为了解决现有的金属纳米结构拉曼光谱质量差的技术问题。核壳结构二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子微珠由核层和壳层组成，方法如下：制备二氧化硅纳米小粒子；制备二氧化硅纳米种子；制备核壳结构的二氧化硅@介孔二氧化硅纳米粒子溶胶液；制备二氧化硅@介孔二氧化硅纳米粒子；制备壳层带有氨基基团的二氧化硅@介孔二氧化硅纳米粒子；制备核壳结构的二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子；制备核壳结构二氧化硅@介孔二氧化硅支持金纳米粒子微珠。
结构二氧化硅支持纳米粒子及其制备方法

[发明专利]一种绝热片、使用其的电子设备及绝热片的制造方法-CN201810908399.1有效
发明人：及川一摩;丰田庆;冈田伸二;酒谷茂昭 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：绝热片具有第1二氧化硅干凝胶层、第2二氧化硅干凝胶层和复合层。第1二氧化硅干凝胶层包含第1二氧化硅干凝胶，第2二氧化硅干凝胶层包含第2二氧化硅干凝胶。复合层位于第1二氧化硅干凝胶层与第2二氧化硅干凝胶层之间、且含有至少一种无纺布纤维和第3二氧化硅干凝胶。第3二氧化硅干凝胶位于无纺布纤维中的空间体积。
一种绝热使用电子设备制造方法

[发明专利]一种绝热片、使用其的电子设备及绝热片的制造方法-CN201680001196.3有效
发明人：及川一摩;丰田庆;冈田伸二;酒谷茂昭 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2016-03-16 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： B32B5/24 文献下载
摘要：绝热片具有第1二氧化硅干凝胶层、第2二氧化硅干凝胶层和复合层。第1二氧化硅干凝胶层包含第1二氧化硅干凝胶，第2二氧化硅干凝胶层包含第2二氧化硅干凝胶。复合层位于第1二氧化硅干凝胶层与第2二氧化硅干凝胶层之间、且含有至少一种无纺布纤维和第3二氧化硅干凝胶。第3二氧化硅干凝胶位于无纺布纤维中的空间体积。
一种绝热使用电子设备制造方法

[发明专利]用于后照式图像传感器的激光退火方法-CN202210022068.4在审
发明人：宗立超;王星杰;顾培楼 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-01-10 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种用于后照式图像传感器的激光退火方法，提供衬底，对衬底的背面减薄，再对衬底进行湿洗；在衬底的正面形成第一二氧化硅层；对衬底进行掺杂，在衬底的顶端生成掺杂层；采用高能激光对衬底进行退火，使得第一二氧化硅层转化为硅层本发明对衬底进行激光退火前淀积有二氧化硅层，减少砷离子注入过程中的隧道效应；在激光退火过程中保护硅，防止衬底局部区域在激光退火产生的高温下熔融；二氧化硅有激光增透的作用，退火效果更好；二氧化硅将与炭反应并在增强的激光退火中转变为纯硅，无需湿法保护前表面。
用于后照式图像传感器激光退火方法

[发明专利]一种硅微针基板及其制备方法-CN201611176719.6在审
发明人：郭文平;赵科研;许南发 -专利权人：山东元旭光电股份有限公司
申请日： 2016-12-19 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： A61M37/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅微针基板及其制备方法，硅微针制备方法包括硅基板清洗，硅基板保护膜，光刻，图形转移和湿法刻蚀硅基板步骤。硅基板净化后，在硅基板的两面生长二氧化硅膜，然后在二氧化硅膜上面遮盖上带有实体图形的掩膜板，经过光刻、曝光等将掩膜板上的实体图形转移到二氧化硅膜上，再利用湿法刻蚀硅基板制得针尖和针体，然后用BOE腐蚀去掉多余的二氧化硅膜得到硅微针基板本发明工艺简单，仅需湿法刻蚀便可制得所需硅微针，避免了干法刻蚀带来的环境污染和大量资金使用，经济实惠，所制硅微针耐用性好，特别适合用于美容、医疗器械和生物医疗领域，尤其是透皮给药的异平面硅微针基板的制备
一种硅微针基板及其制备方法

[发明专利]一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法-CN200410038260.4有效
发明人：陈弘;王晶;贾海强;郭丽伟;周均铭;李卫;汪洋;邢志刚 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-05-18 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：本发明涉及一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底的方法，包括：采用常规技术在C面蓝宝石上蒸镀二氧化硅掩膜层；利用光刻技术沿[1100]或[1120]方向光刻条形二氧化硅掩膜图形；用硫酸、或硫酸与磷酸的混合液作为腐蚀液湿法腐蚀该衬底；最后再用稀的氢氟酸溶液腐蚀二氧化硅掩膜层，即可得到蓝宝石图形衬底。本发明提供的方法采用直接形成图形的衬底生长外延层，避免了采用二氧化硅层条纹衬底生长时对生长层的污染；与干法刻蚀相比湿法刻蚀有利于保护衬底免受损伤和污染，降低成本；在得到的图形衬底上外延生长GaN基时，穿透位错方向由垂直偏转为水平
一种湿法腐蚀蓝宝石图形衬底方法

[发明专利]核壳二氧化硅粒子及用于减少恶臭的用途-CN201480068570.2在审
发明人：潘桂生;苏曼·乔普拉 -专利权人：高露洁-棕榄公司
申请日： 2014-12-18 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及核壳二氧化硅粒子，其中每个核壳二氧化硅粒子包含二氧化硅核，并且所述二氧化硅核的表面被金属硅酸盐蚀刻，所述核壳二氧化硅粒子是通过以下步骤制备：i)将一定量在水中的二氧化硅粒子与一定量的碱混合以产生核壳二氧化硅粒子，其中所述碱包含一价金属离子，每个核壳二氧化硅粒子包含二氧化硅核，并且所述二氧化硅核的表面被一价金属离子的硅酸盐蚀刻；及ii)使在步骤i)中形成的核壳二氧化硅粒子与包含第二金属离子的金属盐反应以形成在二氧化硅核表面上包含第二金属离子硅酸盐的核壳二氧化硅粒子
二氧化硅粒子用于减少恶臭用途

[发明专利]中空二氧化硅颗粒的制造方法-CN202310895158.9在审
发明人：神谷广幸;金贤枝;松原俊哉 -专利权人： AGC株式会社;AGC硅素技术株式会社
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明涉及中空二氧化硅颗粒的制造方法。课题在于，提供一种具有致密的二氧化硅壳层的中空二氧化硅颗粒。一种中空二氧化硅颗粒的制造方法，其中，将包含水相、油相、及表面活性剂的水包油型乳液的pH设为3.0以下，在该水包油型乳液中添加第1二氧化硅原料，在碱金属离子存在下，在添加有第1二氧化硅原料的乳液中以乳液的pH为8以上的方式添加第2二氧化硅原料，得到中空二氧化硅前体分散液，由中空二氧化硅前体分散液得到中空二氧化硅前体，然后由中空二氧化硅前体得到中空二氧化硅颗粒。
中空二氧化硅颗粒制造方法