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[发明专利]碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法-CN201410669080.X有效
发明人：张永平;辛帅;戴伟忠;舒畅 -专利权人：上海仪电电子股份有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种欧姆接触电极制作方法。碳化硅衬底上制备欧姆接触电极的方法，包括以下步骤步骤1，准备一设定掺杂浓度的碳化硅衬底；步骤2，于所述碳化硅衬底上光刻欧姆接触图形；步骤3，沉积薄膜层，以形成复合结构；步骤4，去除欧姆接触图形以外区域的薄膜层以得到欧姆接触电极本发明可以制备出高质量的低阻欧姆接触，使得碳化硅材料大规模用于生产各种功率器件及各种新型传感器芯片成为可能。
碳化硅衬底制备欧姆接触电极方法

[发明专利]一种共源共栅级联型GaN器件、限流装置及其制备方法-CN202310834356.4在审
发明人：吴毅锋;杨超;高吴昊 -专利权人：珠海镓未来科技有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：本发明制备集成于共源共栅级联型GaN器件的限流装置时，利用光刻技术在晶圆上形成离子注入区域和非离子注入区域，利用光刻胶作为掩膜材料，通过离子注入工艺去除所述离子注入区域处的2DEG，利用光刻技术在所述晶圆上形成欧姆接触区域，在所述欧姆接触区域上制作欧姆接触电极，最后利用热退火技术对所述欧姆接触电极进行处理。本发明的制备工艺与常用有源区隔离工艺兼容，且能够增加器件在不同工作温度下限流装置的相对稳定性及电阻的功率能力，从整体上优化了EMI控制效果。
一种共源共栅级联 gan 器件限流装置及其制备方法

[发明专利]一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法-CN201710527475.X在审
发明人：孙瑞泽;梁永齐;赵策洲;蔡宇韬 -专利权人：新加坡国立大学;苏州工业园区新国大研究院;西交利物浦大学
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法，其中，所述宽禁带半导体器件的材料为III‑V族宽禁带半导体材料，该材料由下至上依次包括衬底、缓冲层、沟道层和合金势垒层，所述方法包括以下步骤：步骤一步骤三，刻蚀钝化层，并形成钝化层窗口；步骤四，涂覆纳米球；步骤五，形成纳米凹槽；步骤六，涂覆光刻胶，并形成光刻胶窗口；步骤七，电子束蒸发或磁控溅射多层金属；步骤八，多层金属的剥离；步骤九，快速热退火，形成欧姆接触本发明的方法极大增加电极金属与宽禁带半导体的接触面积，降低宽禁带半导体器件的欧姆接触电阻，增强了器件性能，提高工艺效率，降低了工艺成本。
宽禁带半导体器件光刻胶欧姆接触电阻涂覆多层金属宽禁带半导体材料宽禁带半导体沉积钝化层电子束蒸发刻蚀钝化层快速热退火磁控溅射电极金属工艺成本工艺效率纳米凹槽欧姆接触器件性能钝化层沟道层缓冲层纳米球势垒层衬底合金剥离

[发明专利]一种氮化镓HEMT低欧姆接触电阻结构及其制作方法-CN201811384276.9在审
发明人：陈兴;王东;吴勇;张进成;何滇;伍旭东;檀生辉;卫祥;张金生;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院
申请日： 2018-11-20 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓HEMT低欧姆接触电阻结构及其制作方法，涉及微电子技术领域，包括衬底、缓冲层沟道层和势垒功能层，应用于GaN HEMT器件上，该器件结构包括：在GaN沟道层与AlGaN势垒层之间形成二维电子气沟道，采用光刻胶涂覆于AlGaN势垒层顶上中部，采用电子束蒸发或磁控溅射法在AlGaN势垒层顶上中部两侧由下至上依次沉积Ge/Au、Ti、Al、Ni和Au，去除AlGaN势垒层顶上中部的光刻胶；将欧姆接触激活，使得合金与沟道二维电子气形成低接触电阻的良好欧姆接触，进而提高了GaN HEMT器件的性能，此发明制造工艺简单，重复性好，适用于GaN基高压大功率电子器件和射频电子器件等应用。
欧姆接触电阻氮化镓HEMT 电子器件欧姆接触光刻胶二维电子气沟道微电子技术领域磁控溅射法低接触电阻电子束蒸发二维电子气高压大功率器件结构制造工艺功能层沟道层缓冲层衬底沟道去除射频势垒涂覆沉积制作合金应用激活

[发明专利]一种n型GaAs欧姆接触电极材料及其制备方法-CN202111439744.X在审
发明人：翟章印;左芬;边心田 -专利权人：淮阴师范学院
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开了一种n型GaAs欧姆接触电极材料及其制备方法，本发明在n型GaAs基片上采用掩膜法设置两个电极区，采用离子溅射法，在两个电极区先溅射AuGeNi合金，再溅射Au，构成两个相对应的AuGeNi/Au电极结构；最后高温退火，得到n型GaAs的稳定欧姆接触的电极。本发明方法制备的n型GaAs的欧姆接触电极，经检测，电极组分均匀，表面平整光滑。两电极之间的I‑V曲线具有很好的线性和对称关系，电极电阻率远小于GaAs基片的电阻率，其性能指标均符合稳定接触的电极要求，可成功应用于n型GaAs相关的器件中。
一种 gaas 欧姆接触电极材料及其制备方法

[实用新型]一种肖特基辐射伏特电池-CN201520911612.6有效
发明人：谷文萍;张赞;胡笑钏;张林 -专利权人：长安大学
申请日： 2015-11-16 - 公布日： 2016-05-25 - 主分类号： G21H1/06 文献下载
摘要：，提高封装密度，所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置注入有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极
一种肖特基辐射伏特电池

[发明专利]具有高推力值的发光二极管芯片及其制备方法-CN202310697593.0在审
发明人：俄文文;王雪;郭凯;张晓娜;李开心;李晋闽 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L33/60 文献下载
摘要：本发明属于芯片制备技术领域，具体涉及具有高推力值的发光二极管芯片及其制备方法，包括基底、氮化铝层、N半导体结构、量子阱结构、P半导体结构、N欧姆接触电极、N填平结构和P欧姆接触电极，N半导体结构上刻蚀有台面，N欧姆接触电极蒸镀在N半导体结构的台面上，N填平结构蒸镀在N欧姆接触电极上，P半导体结构上刻蚀有台面，P欧姆接触电极蒸镀在P半导体结构的台面上。本发明在N欧姆接触电极上生长N填平结构，消除了电极焊盘之间的高度差，使电极焊盘处于同一平面。并且本发明在电极焊盘上刻蚀出齿轮状焊接图形，提高了固晶与共晶的稳定性，提高了芯片的推力值。
具有推力发光二极管芯片及其制备方法

[发明专利]基于铟锡氧化物透明电极的异面型光导开关及其制作方法-CN201710154172.8有效
发明人：郭辉;曹鹏辉;吴建鲁;张玉明;张晨旭 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-15 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：其包括钒补偿的碳化硅半绝缘衬底(1)、上欧姆接触电极(2)、下欧姆接触电极(3)、上薄膜电极(4)和下薄膜电极(5)，该上欧姆接触电极(2)及下欧姆接触电极(3)分别淀积在掺钒碳化硅衬底(1)的正面和背面，该上薄膜电极(4)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)正面及上欧姆接触电极(2)的表面，该下薄膜电极(5)淀积在掺钒碳化硅衬底(1)背面及下欧姆接触电极(3)的表面；所述上薄膜电极和下薄膜电极均采用透明铟锡氧化物材料
基于氧化物透明电极异面型光导开关及其制作方法

[发明专利]氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法-CN201711287917.4有效
发明人：李国强;刘智崑;陈丁波;万利军 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2022-05-24 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化镓电子器件的欧姆接触的制备方法，在氮气氛围下，采用激光扫描含钛金属电极，通过激光引发含钛金属电极与氮气的化学反应，形成氮化钛欧姆接触；单位面积含钛金属电极的总化学反应时间小于0.01s本发明所获得的欧姆接触的接触电阻小，反应时间短，而且GaN薄膜材料的电性能不受影响。本发明是一种快速的氮化镓器件欧姆接触制备方法，对于实现高性能的氮化镓电子器件同时提高生产效率有重要的意义。
氮化电子器件欧姆接触制备方法

[发明专利]一种低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用-CN201910943294.4在审
发明人：王玮;王宏兴;林芳;问峰;张明辉;陈根强 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种低比接触电阻率的p‑GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用，包括：p‑GaN材料层，所述p‑GaN材料层形成有重掺杂p‑GaN层；所述重掺杂p‑GaN层上形成有底层接触金属层，所述底层接触金属层上形成有上层盖帽金属层
重掺杂欧姆接触电极接触电阻率接触金属层制备方法和应用欧姆接触特性金属层注入层盖帽上层

[发明专利]一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法-CN202210989618.X有效
发明人：郭霞;刘巧莉;胡安琪;张世凤;许莉;任艳玲;蔡子昱;王涛;张明;陈力;廖建新 -专利权人：北京邮电大学;无锡中微晶园电子有限公司;北京中盾安民分析技术有限公司
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种抗辐照加固单光子探测器及其制备方法，抗辐照加固单光子探测器包括衬底、钝化层、雪崩层、补偿层、第一欧姆接触复合层和第二欧姆接触复合层；第二欧姆接触复合层、衬底和钝化层依次层叠设置，第一欧姆接触复合层包括第一接触电极和第一欧姆接触层，雪崩层和第一欧姆接触层均位于衬底内，雪崩层与第一欧姆接触层朝向第二欧姆接触复合层的一面连接；第一接触电极与钝化层同层设置，且第一接触电极与第一欧姆接触层连接；补偿层位于衬底内，补偿层背离第二欧姆接触复合层的一面与钝化层接触
一种辐照加固光子探测器及其制备方法

[发明专利]焦平面红外探测器芯片、探测器和制备方法-CN202110416974.8在审
发明人：郝宏玥;徐应强;牛智川;王国伟;蒋洞微 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-07-16 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：本发明公开了一种焦平面红外探测器芯片，包括：接触层，接触层上设置有第一欧姆接触电极和像元阵列；陷光结构阵列，设置在接触层的下面；其中，像元阵列的每一个像元上设置有第二欧姆接触电极，每一个第二欧姆接触电极上设置有铟柱，铟柱与读出电路连接，像元阵列、接触层和第一欧姆接触电极的掺杂类型相同，接触层和第二欧姆接触电极形成PN结。
平面红外探测器芯片探测器制备方法

[发明专利]一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法-CN201910156034.2有效
发明人：彭钰仁;贾钊;赵炆兼;郭冠军;曹广亮;赵丽 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本发明提供一种高密度VCSEL阵列结构及其制备方法，结构包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。有效地增加了欧姆接触的面积，减少了芯片接触电阻的升高，避免了电压上升、光电转换效率下降等问题。
一种高密度 vcsel 阵列结构及其制备方法

[实用新型]一种高密度VCSEL阵列结构-CN201920262683.6有效
发明人：彭钰仁;贾钊;赵炆兼 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2019-03-01 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01S5/183 文献下载
摘要：本实用新型提供一种高密度VCSEL阵列结构，包括依次层叠设置的衬底、第一DBR层、有源层、氧化层、第二DBR层和欧姆接触层，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面设有多个相互独立的出光区域，各所述出光区域的周围分别设有由所述欧姆接触层延伸至所述有源层的氧化孔，所述欧姆接触层远离所述第二DBR层的表面于除所述出光区域以外的区域均设有电极，相邻两个所述出光区域通过所述电极连通。有效地增加了欧姆接触的面积，减少了芯片接触电阻的升高，避免了电压上升、光电转换效率下降等问题。
欧姆接触层出光区域源层光电转换效率本实用新型电极连通电压上升欧姆接触芯片接触依次层叠氧化层氧化孔有效地电极衬底电阻升高延伸

[发明专利]碳化硅器件的欧姆接触测试方法-CN201410669159.2有效
发明人：张永平;辛帅;王浩;王硕 -专利权人：上海仪电电子股份有限公司
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： G01R27/14 文献下载
摘要：本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种碳化硅器件的欧姆接触测试方法。步骤1，准备第一预定结构样品和第二预定结构样品，所述第一预定结构样品和所述第二预定结构样品上分别形成多个欧姆接触电极组，每一组所述欧姆接触电极组包括四个呈设定间隔设置的欧姆接触电极，以所述第一预定结构样品作为参考测试样品；步骤2，测试并获得每一组所述欧姆接触电极组的电学性能；步骤3，对所述第一预定结构样品的电学性能和所述第二预定结构样品的电学性能进行对比。本发明用于测试碳化硅器件的欧姆接触，测试准确度高，便于进行对比试验。
碳化硅器件欧姆接触测试方法