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[实用新型]低接触电阻直流焊机-CN201720212208.9有效
发明人：王树波 -专利权人：青岛澳铃逆变科技有限公司
申请日： 2017-03-06 - 公布日： 2017-12-19 - 主分类号： B23K9/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低接触电阻直流焊机，所述弹性低电阻导通装置包括固定座，固定座上部安装第一弹簧、电动推杆、辊轮和插接座，第一弹簧的一端连接基础座，基础座的侧部安装滑动杆和两个旋转杆，两个旋转杆相互平行，旋转杆的一端与基础座铰接，旋转杆的另一端铰接推动板，推动板的下部安装插接导电板，滑动杆上安装固定管，本实用新型将直流电机的开关更换为弹性低电阻导通装置，弹性低电阻导通装置的基础座、旋转杆和推动板构成平行四边形
接触电阻直流

[发明专利]具有网状金属导电层的发光二极管及其制作方法-CN200310118244.1无效
发明人：赖穆人;洪详竣 -专利权人：炬鑫科技股份有限公司
申请日： 2003-12-08 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明有关于一种具有网状金属导电层的发光二极管及其制作方法，其先于P－型氮化镓欧姆接触层上形成一金属导电层并经由高温合金降低其与P－型氮化镓欧姆接触层之间的接触电阻，接着于此低接触电阻的金属导电层上制作一高反射率的网状金属导电层并经由高温合金降低其与低接触电阻的金属导电层之间的接触电阻
具有网状金属导电发光二极管及其制作方法

[发明专利]一种高粘接力、低接触电阻导电胶及其制备的异质结叠瓦太阳能组件-CN201911291131.9有效
发明人：孙玉海;宋艳;李宇婷 -专利权人：苏州瑞力博新材科技有限公司
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种高粘接力、低接触电阻导电胶及其制备的异质结叠瓦太阳能组件，本发明涉及的导电胶包括：环氧树脂单体、银粉、触变剂和潜伏型固化剂。环氧树脂单体在高粘接力、低接触电阻导电胶中的重量百分比为20‑60%，银粉在高粘接力、低接触电阻导电胶中的重量百分比为40‑80%，固化引发剂在高粘接力、低接触电阻导电胶中的重量百分比为0.1‑3%，触变剂在高粘接力、低接触电阻导电胶中的重量百分比为0.01‑4%。其有益效果是：创新性地使用四氟硼酸类潜伏型固化剂制备高粘接力的环氧导电胶，同时选用特殊结构的触变剂改善导电胶与异质结太阳能电池表面的接触特性，大大降低了导电胶与异质结太阳能电池的接触电阻。
一种接力接触电阻导电及其制备异质结叠瓦太阳能组件

[发明专利]枢轨静态接触电阻测试装置及应用-CN202211671165.2在审
发明人：姚萍屏;康丽;王兴;徐宇轩;邓敏文 -专利权人：中南大学
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：本发明涉及枢轨静态接触电阻测试装置及应用，属于电磁轨道发射技术领域。本发明首次提出在枢轨间有压力条件下利用直流低电阻仪，通过高电流位、高电压位、低电流位、低电压位的配合来直接测出枢轨间静态接触电阻。本发明利用四柱平压机给枢轨间提供预紧力以及改变枢轨间的静态接触压力，利用四线法原理测试枢轨间的静态接触电阻，并且用直流低电阻仪读取接触电阻数值，从而得到不同接触压力下的枢轨间静态接触电阻数值，有效的模拟了枢轨实际服役工况
静态接触电阻测试装置应用

[实用新型]一种新型磷酸铁锂电池-CN201620336117.1有效
发明人：王华照 -专利权人：广州力博特电子有限公司
申请日： 2016-04-20 - 公布日： 2016-08-24 - 主分类号： H01M10/0525 文献下载
摘要：一种新型磷酸铁锂电池，包括磷酸铁锂电池本体，磷酸铁锂电池本体的上部设置两个电极，电极上安装低接触电阻连接装置，低接触电阻连接装置包括金属固定板，金属固定板的上部连接导线，本实用新型的低接触电阻连接装置通过第一银金属片和第二银金属片配合与电极接触连接，大大降低了电极与第二导电板之间的接触电阻，避免了电极通过大电流时产生高温而损坏。本实用新型的丝杆可以通过自身旋转推动推板使第一银金属片和第二银金属片加紧电极，从而进一步降低电极、第一银金属片和第二银金属片的接触电阻。
一种新型磷酸锂电池

[实用新型]低弹跳、低接触电阻触头结构-CN201320635031.5有效
发明人：彭琦柯;何跃 -专利权人：中国振华电子集团宇光电工有限公司
申请日： 2013-10-15 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01H33/664 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种低弹跳、低接触电阻触头结构，包括有触头，触头上安装有触头座，触头座环内放置有加强筋，且加强筋与触头接触，导电杆套入加强筋内，导电杆下底面与触头上端面之间形成第一间隙，导电杆台阶面与加强筋上端面之间形成第二间隙本实用新型在结构上设置有第一间隙以及第二间隙，第一间隙的宽度小于第二间隙的宽度，该触头结构受到断路器的合闸压力作用后，导电杆与触头接触，当触头之间相互接触受到彼此间的反作用力时，加强筋与触头座之间会出现相对运动
弹跳接触电阻结构

[实用新型]一种接触电阻检测设备-CN201920890784.8有效
发明人：樊秋芹;赵锋涛;赵菊芝 -专利权人：庆安集团有限公司
申请日： 2019-06-14 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： G01R27/02 文献下载
摘要：本实用新型属于接触电阻测量技术领域，具体涉及一种接触电阻检测设备，用于对试片膜层接触电阻进行检测。现有技术无法保证检测过程中所施加的载荷压力始终保持稳定不变，另外指针式压力计的压力显示不够直观，且精度相对较差，最终综合导致试片膜层接触电阻检测数据的稳定性、重复性及准确性均不高。本实用新型的接触电阻检测设备，包括压力控制系统和直流低电阻测试系统，其中所述压力控制系统采用气压在电极之间施压，所述直流低电阻测试系统采用直流数字电阻测试仪进行电阻检测。准确性高，有效避免压力控制系统所引起的检测数据稳定性、重复性、准确性不高，以及直流电阻测试系统检测效率低、准确度不高、量程范围小的问题。
一种接触电阻检测设备

[发明专利]一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器-CN202110873942.0在审
发明人：林涛;解佳男;穆妍;孙婉君;李亚宁 -专利权人：西安理工大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：一种具有低N面串联接触电阻的半导体激光器，包括从上至下依次设置的：P面电极，P型欧姆接触层，P型限制层，上波导层，量子阱，下波导层，N型限制层，N型缓冲层，N型衬底，N型重掺杂层，N面电极。本发明具有低N面串联接触电阻的半导体激光器，采用在N型衬底上制备一层N型重掺杂层，该重掺杂层与N面复合金属电极形成良好欧姆接触使其具有低N面串联接触电阻，可解决长期以来N型衬底无法同时保证重掺杂和低缺陷、低杂质光吸收的问题，可以有效解决N面电极接触电阻大的问题。
一种具有串联接触电阻半导体激光器

[发明专利]一种低接触电阻型电阻浆料-CN202210078470.4有效
发明人：鹿宁;张建益;党丽萍;王妮;王顺顺;王明奎 -专利权人：西安宏星电子浆料科技股份有限公司
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01B1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种低接触电阻型电阻浆料，所述电阻浆料的质量百分比组成为：导电粉末15%～45%，玻璃粘结相20%～40%，添加剂1%～10%，有机载体30%～45%；其中导电粉末为化学沉积法制备的石墨炔复合钌酸铅本发明电阻浆料具有温度系数好、接触电阻小的特点，可满足厚膜滑动电阻器、电动工具用电阻浆料产品使用要求。
一种接触电阻浆料

[发明专利]低接触电阻石墨烯装置集成-CN201810380338.2在审
发明人：路易吉·科隆博;阿尔莎娜·韦努戈帕尔 -专利权人：德州仪器公司
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L29/45 文献下载
摘要：本发明涉及低接触电阻石墨烯装置集成。一种电子装置(100)具有带有一或多个石墨烯原子层的石墨烯层(106)，具有包含直接位于所述石墨烯层(106)上的掺杂碳的金属层(110)的低电阻触点。从接触区域以外的区域移除所述掺杂碳的金属层(110)，从而留下所述接触区域中的所述掺杂碳的金属层(110)以提供到所述石墨烯层(106)的接触层。
金属层掺杂石墨烯层电子装置石墨烯低接触电阻接触区域衬底层成本发明装置集成低电阻接触层原子层触点移除加热冷却移动

[发明专利]一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法-CN201110127037.7有效
发明人：宋建博;张志国;于峰涛;王勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2011-05-17 - 公布日： 2011-11-02 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种低比接触电阻、低粗糙度欧姆接触制作方法，其特征在于在欧姆接触金属种引入难容的Mo金属，形成TiAlNiMoAu组合，在相同的合金条件下降低了合金后的表面粗糙度和比接触电阻率。该方法利用Mo的低扩散性，以及匹配的二元合金相，既实现了低接触电阻又降低了合金后欧姆接触的粗糙度，又有助于提高工艺中光刻工艺的套刻精度，减小工艺步骤，提高欧姆接触的稳定性，为器件工艺实用化打下坚实的基础
一种接触电阻粗糙欧姆制作方法

[发明专利]一种低内阻金属双极板及其制备方法-CN201910136765.0有效
发明人：燕希强;王铎霖;王继明;黄振旭;贾佳;崔士涛;孙注江 -专利权人：佛山科学技术学院;佛山（云浮）氢能产业与新材料发展研究院;广东国鸿氢能科技有限公司
申请日： 2019-02-22 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01M8/0228 文献下载
摘要：本发明公开了一种低内阻金属双极板及其制备方法，包括金属薄板、超低接触电阻导电层，所述的超低接触电阻导电层覆盖在不锈钢金属薄板的外表面，形成带超低接触电阻导电层的金属薄板。低内阻金属双极板制备包括柔性石墨或石墨烯薄膜复合金属薄板基材制作、极板冲压加工、氢氧极板焊接或粘结、极板表面改性，获得的金属双极板不仅极大地降低了氢氧极板之间的接触电阻，同时也降低了金属双极板冷却通道内部的腐蚀速率，提高了燃料电池电堆的性能，延长金属双极板的使用寿命，本发明的制备工艺简单、成本低、双极板电阻小、耐腐蚀、使用寿命长，具有实用价值。
一种内阻金属极板及其制备方法

[发明专利]芯片低接触电阻背面金属化工艺方法以及结构-CN200810121915.2无效
发明人：王平;王英杰;韩飞;范伟宏 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2008-10-22 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供了一种芯片低接触电阻背面金属化结构，其特征在于依次包括硅、金砷、背面金属化金属。同时本发明还提供了一种芯片低接触电阻背面金属化工艺方法，本发明提供的芯片低接触电阻背面金属化工艺方法简便，可以有效降低产品的碎片等异常，提高作业效率，降低生产成本，同时本发明提供的一种芯片低接触电阻背面金属化结构采用砷合金材料
芯片接触电阻背面金属化工艺方法以及结构

[发明专利]积分式接触电阻测量系统及测量方法-CN201210218362.9无效
发明人：任万滨;曹晟;周志凯;陈宇;武剑 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2012-06-28 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： G01R27/08 文献下载
摘要：积分式接触电阻测量系统及测量方法，涉及一种电阻测量系统及测量方法。它是为了解决接触电阻测量方法的数据稳定性差、准确性低的问题。它采用高阻低倍率电压放大器采集待测部件两端的电压，并将采集的电压进行放大；采用电压跟随器采集待测部件和标准检流电阻之间的电压，并进行隔离，获得低阻抗输出电压，然后将该低阻抗输出电压输入至多路AD转换器；采用量程切换开关设定模拟积分器的积分常数，采用模拟积分器对放大后电压进行模拟积分；采用单片机计算待测部件的两端电压和通过待测部件的激励电流，从而获得待测部件的电阻值；实现积分式接触电阻的测量。本发明适用于接触电阻的测量。
积分接触电阻测量系统测量方法

[发明专利]无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法-CN202111136252.3在审
发明人：蒋洋;汪青;于洪宇;郑韦志;杜方洲 -专利权人：南方科技大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种无金欧姆接触电极、半导体器件和射频器件及其制法，属于射频器件领域。该形成于半导体器件的外延结构上的无金欧姆接触电极包括：接触层，堆叠于所述外延结构的顶表面；金属帽层，堆叠于所述接触层之上。其中，接触层包括合金结构、含硅结构或含低功函金属结构。该无金欧姆接触电极具有低的欧姆接触电阻，从而在基于其制作射频器件时，可以降低导通电阻，进而有助于获得输出功率的改善的效果。
欧姆接触电极半导体器件射频器件及其制法

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