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[发明专利]用于极紫外光刻的表膜框架-CN202180030677.8在审
发明人： K·卡斯特斯;R·G·C·迪布恩;M·克鲁兹恩卡;L·A·斯科维纳斯 -专利权人： ASML荷兰有限公司
申请日： 2021-03-25 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G03F1/64 文献下载
摘要：一种表膜框架(17)，包括：第一部分(40)；和多个第二部分(42)。所述第一部分用于连接至表膜(19)的边界(19a)。所述第一部分包括中空且大致矩形的本体。所述多个第二部分用于连接至图案形成装置(MA)。所述第一部分和所述多个第二部分都由第一材料形成。所述第二部分中的每个由弹簧部分(44)连接至所述第一部分，所述弹簧部分由所述第一材料形成。这样的表膜框架是有利的，这是由于所述第一部分、所述多个第二部分和所述弹簧部分都由相同材料形成。这种情形显著简化了所述表膜框架的制造。例如，所述表膜框架的所有部分可以一起被一体地形成。
用于紫外光刻框架

[发明专利]极紫外光刻工艺和掩膜-CN201310244934.5有效
发明人：卢彦丞;游信胜;严涛南 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： G03F1/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种极紫外光刻(EUVL)工艺。该工艺包括：接收具有多种状态的极紫外(EUV)掩膜。主多边形和邻近第一主多边形分配为不同的状态。
紫外光刻工艺

[发明专利]用于极紫外光刻的液体压印靶-CN202180044680.5有效
发明人：耶基尔·R·弗兰克 -专利权人：劳伦斯利弗莫尔国家安全有限公司
申请日： 2021-05-12 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H05G2/00 文献下载
摘要：公开了一种EUV光源，包括：真空室；微滴注射器，该微滴注射器可操作地连接到真空室，用于将微滴引导到真空室中；微滴，这些微滴由微滴注射器产生，其中，微滴具有一侧和与该一侧相对的另一侧，微滴包括在低Z液体中的固态较高Z珠；以及至少一个激光束，该至少一个激光束被引导到微滴的一侧上。
用于紫外光刻液体压印

[实用新型]极紫外光刻机的清洗装置-CN202023312024.0有效
发明人：顾峥;伍强;李艳丽 -专利权人：上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型提供一种极紫外光刻机的清洗装置，包括：曝光真空腔，所述曝光真空腔内设有工件台、物镜装置、辉光放电装置，与所述曝光真空腔的充气端相连的充气装置、以及与所述曝光真空腔的抽气端连接的抽真空装置；其中在曝光真空腔设置环绕工件台的辉光放电装置，通过辉光放电装置清理曝光真空腔内吸附的光刻胶或其他污染物，避免了频繁停机保养作业。
紫外光刻清洗装置

[发明专利]微纳米结构的制备方法-CN201611093544.2有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种微纳米结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一第一基板，所述第一基板的表面上设置有一光刻胶层；将一光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面，所述光刻掩模板包括一第二基板和设置于该第二基板的表面上的一复合层；采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得该紫外光穿过所述第二基板及复合层入射至该光刻胶层上，对该光刻胶层进行曝光；从所述光刻胶层的表面上移除所述光刻掩模板，对曝光后的光刻胶层进行显影处理，得到一图案化的光刻胶微纳米结构
光刻胶层掩模板光刻微纳米结构第二基板第一基板复合层制备紫外光照射显影处理紫外光曝光光刻胶图案化入射上移穿过覆盖

[发明专利]一种光刻掩膜版及其制备方法-CN201811121061.8在审
发明人：王峰 -专利权人：苏州瑞而美光电科技有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种光刻掩膜版，包括透明基板，所述透明基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面形成有铬层，所述铬层上设置有钝化层，所述第二表面形成有紫外光增透层。该光刻掩膜版尺寸大，超薄型，在曝光面做了光子晶体结构，能够提高紫外光的增透性，从而在光刻工艺中减少曝光时间，不仅提高产能，而且还延长了紫外灯部件的使用寿命。另外，在光刻胶接触面采用了高致密高硬度的氧化铝钝化层保护，可以提高光刻版的耐划伤性，从而大大提高了光刻版的使用寿命，降低了生产成本。
光刻掩膜版紫外光第二表面第一表面使用寿命透明基板光刻版铬层光子晶体结构氧化铝钝化层紫外灯部件光刻工艺耐划伤性超薄型钝化层高硬度高致密光刻胶曝光面增透层增透性产能制备生产成本曝光

[实用新型]一种光刻掩膜版-CN201821574276.0有效
发明人：王峰 -专利权人：苏州瑞而美光电科技有限公司
申请日： 2018-09-26 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： G03F1/60 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光刻掩膜版，包括透明基板，所述透明基板包括第一表面和第二表面，所述第一表面形成有铬层，所述铬层上设置有钝化层，所述第二表面形成有紫外光增透层。该光刻掩膜版尺寸大，超薄型，在曝光面做了光子晶体结构，能够提高紫外光的增透性，从而在光刻工艺中减少曝光时间，不仅提高产能，而且还延长了紫外灯部件的使用寿命。另外，在光刻胶接触面采用了高致密高硬度的氧化铝钝化层保护，可以提高光刻版的耐划伤性，从而大大提高了光刻版的使用寿命，降低了生产成本。
光刻掩膜版紫外光第二表面第一表面使用寿命透明基板光刻版铬层光子晶体结构氧化铝钝化层紫外灯部件光刻工艺光刻掩膜耐划伤性超薄型钝化层高硬度高致密光刻胶曝光面增透层增透性产能生产成本曝光

[发明专利]一种紫外宽光谱光刻镜头-CN202010413573.2有效
发明人：李文静;薛业保;章广飞;王运钢 -专利权人：安徽国芯智能装备有限公司
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明一种紫外宽光谱光刻镜头，其特征在于，镜头包括：沿紫外光源到目标的顺序依次设置的紫外光源、第一镜组、第二镜组第三镜组以及第四镜组，紫外光源包括数字微反射镜以及第一透镜，第一透镜为双或平凸透镜；第一镜组包括：沿紫外光源到目标的顺序依次设置的第一数量个正透镜以及第二数量个负透镜，且第一镜组的组合焦距为正；第二镜组包括：沿紫外光源到目标的顺序依次设置的第三数量个正透镜以及第四数量个负透镜，且第二镜组的组合焦距为正，第二镜组中距离第一镜组最近的透镜可以沿光轴方向运动；第三镜组包括：沿紫外光源到目标的顺序依次设置的第五数量个正透镜，且第三镜组的组合焦距为正。应用本发明实施例，可以降低光刻成本。
一种紫外光谱光刻镜头

[实用新型]一种紫外光电管的极间绝缘件-CN201120343892.7有效
发明人：张列平;李志贵;张皎 -专利权人：成都凯迈科技有限公司
申请日： 2011-09-14 - 公布日： 2012-05-02 - 主分类号： H01J40/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及紫外光电管领域，具体涉及一种紫外光电管的极间绝缘件。本实用新型的紫外光电管的极间绝缘件厚度在0.2-0.6mm范围内，极间绝缘件上下平面的平行度公差范围控制在10um以内。本实用新型的紫外光电管的极间绝缘件确保了紫外光电管制作过程中阴极和阳极之间的距离和平行度，提高器件工作时间和使用寿命。
一种紫外光电管绝缘

[发明专利]多列式可缩放LED-UV模块-CN201080038593.0有效
发明人： A·D·马丁内斯;S·J·梅特卡夫 -专利权人：气动系统股份有限公司
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： B05C9/12 文献下载
摘要：本发明提供一种紫外光发光二极管(LED-UV)灯，其可在紫外光固化工艺中容易地更换，并可以精细的分辨率在长度上进行缩放，从而使所述紫外光发光二极管灯可容易地针对任何紫外光固化应用而定制。所述紫外光发光二极管灯可包含多列发光二极管，并可包含对应的光学元件，所述光学元件有效地将辐射功率递送至几英寸距离处的基板。
多列式可缩放 led uv 模块

[发明专利]紫外发光二极管曝光装置及系统-CN202211332385.2在审
发明人：罗先刚;赵承伟;龚天诚;贾桂园;王长涛;王彦钦 -专利权人：中国科学院光电技术研究所
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开提供一种紫外发光二极管曝光装置及系统，涉及曝光处理技术领域，装置包括：紫外发光二极管光源，包括阵列贴片式的紫外发光二极管灯珠，紫外发光二极管灯珠用于发射紫外光束；准直镜组，用于对紫外光束进行收光准直；复眼镜组，用于对收光准直后的紫外光束进行匀光；聚光镜组，用于对匀光后的紫外光束进行聚光；曝光面，用于利用聚光后的紫外光束进行曝光的工作面；控制模块，用于通过高频开关模式，独立控制每个紫外发光二极管灯珠的开关该紫外发光二极管曝光装置及系统有效地提高了光源输出功率的稳定性及能量的利用率，减少了发热和提高散热效果，实现了紫外光束的高效准直，并且，满足设备框架和其他部件空间限制要求。
紫外发光二极管曝光装置系统

[发明专利]光刻方法和装置-CN201910765186.2有效
发明人：游信胜;刘如淦;黄旭霆;林进祥 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-08-19 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本公开涉及光刻方法和装置。一种极紫外光刻(EUVL)方法，包括：提供具有相同图案的至少两个相移掩模区域。在衬底上方形成抗蚀剂层。
光刻方法装置

[发明专利]紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法-CN201110001219.X无效
发明人：郑凯;赵懿昊;李全宁;熊聪 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-01-05 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种紫外激光干涉条纹的辅助检测装置及方法。该辅助检测装置在紫外激光全息光刻系统中增加了一套可见性的激光光路，在确定可见激光波长和紫外激光波长的关系后，通过观察可见激光的干涉条纹来对紫外激光干涉条纹周期进行检测，从而简化了在紫外光全息光刻系统中检测紫外激光干涉条纹的过程，缩短了全息光刻工艺的周期，并降低了光刻工艺的成本。
紫外激光干涉条纹辅助检测装置方法

[实用新型]Taiko晶圆背面光刻掩具-CN202121443039.2有效
发明人：吕琳;杨震;聂敦伟;周曙华 -专利权人：尼西半导体科技（上海）有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种Taiko晶圆背面光刻掩具，涉及半导体加工技术领域，该掩具包括能让紫外光线穿过的光刻掩版，及用于贴附在Taiko晶圆正面的可耐受180℃高温至少2小时的耐高温贴膜，并且耐高温贴膜能让365nm～1000nm的光波穿过；所述光刻掩版的下表面印制有能阻止紫外光线穿过的光刻图形，并且在光刻掩版的下表面开设有圆环形的晶圆环容纳槽，所述晶圆环容纳槽用于容纳Taiko晶圆的晶圆环，并且晶圆环容纳槽围住光刻掩版下表面的光刻图形本实用新型提供的掩具，适合Taiko晶圆背面光刻使用。
taiko 背面光刻

[发明专利]一种空间极紫外光度计-CN201911387552.1在审
发明人：何玲平;陈波;毛石磊;韩振伟;郭权锋;宋克非;张宏吉;刘阳;刘阳;王孝东 -专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
申请日： 2019-12-30 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明涉及一种空间极紫外光度计，涉及极紫外光学器件技术领域。本发明解决极紫外波段无带高抑制比通滤光片的技术难题。本发明的空间极紫外光度计是由薄膜吸收滤光片、极紫外窄带多层膜反射镜组成的光学系统、反射镜背部重金属遮挡板和光电二极管探测器组成。本发明将极紫外窄带多层膜反射镜组成的光学系统与薄膜吸收滤光片、反射镜背部重金属遮挡板和高灵敏度光电二极管探测器组合成极紫外光度计，通过地面的高精度定标，可实现空间目标极紫外辐射的高精度定量化探测。本发明的空间极紫外光度计具有结构简单、体积小、重量轻、可靠性高的特点，不仅可以探测空间目标在特定极紫外波段的辐射亮度，也可广泛应用于该波段空间载荷的在轨定标。
一种空间紫外光度计